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用于CdZnTe探测器的低噪声前端读出电路
被引量:
1
1
作者
甘波
魏廷存
胡永才
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第3期336-340,共5页
设计并实现了一种应用于多通道CdZnTe探测器的低噪声前端读出专用电路,并对其性能进行了测试与评估。每个读出通道由电荷灵敏放大器、漏电流补偿电路、零极相消电路、CR-(RC)4整形器、输出缓冲器以及反相放大器组成。芯片采用TSMC 0.35...
设计并实现了一种应用于多通道CdZnTe探测器的低噪声前端读出专用电路,并对其性能进行了测试与评估。每个读出通道由电荷灵敏放大器、漏电流补偿电路、零极相消电路、CR-(RC)4整形器、输出缓冲器以及反相放大器组成。芯片采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,尺寸为2.6mm×2.2mm。测试结果表明,读出通道的能量分辨范围为5~375keV,每通道功耗小于3.5mW,最小等效噪声电荷仅为49.6e-。将EV公司的CdZnTe探测器与该前端读出电路芯片相连,组成辐射检测系统,并使用241 Am源进行能谱分析,所得能谱主峰的能量分辨率仅为5.2%。
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关键词
CdZnTe探测器
低噪声
前端读出专用电路
X射线检测
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职称材料
题名
用于CdZnTe探测器的低噪声前端读出电路
被引量:
1
1
作者
甘波
魏廷存
胡永才
机构
西北工业大学计算机学院
出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第3期336-340,共5页
基金
国家重大科学仪器设备开发专项资助项目(2011YQ040082)
国家自然科学基金资助项目(11475136
+2 种基金
11575144
61176094)
陕西省自然科学基金资助项目(2015JM1016)
文摘
设计并实现了一种应用于多通道CdZnTe探测器的低噪声前端读出专用电路,并对其性能进行了测试与评估。每个读出通道由电荷灵敏放大器、漏电流补偿电路、零极相消电路、CR-(RC)4整形器、输出缓冲器以及反相放大器组成。芯片采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,尺寸为2.6mm×2.2mm。测试结果表明,读出通道的能量分辨范围为5~375keV,每通道功耗小于3.5mW,最小等效噪声电荷仅为49.6e-。将EV公司的CdZnTe探测器与该前端读出电路芯片相连,组成辐射检测系统,并使用241 Am源进行能谱分析,所得能谱主峰的能量分辨率仅为5.2%。
关键词
CdZnTe探测器
低噪声
前端读出专用电路
X射线检测
Keywords
CdZnTe detector
Low noise
Front-end readout ASIC
X-ray detection
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于CdZnTe探测器的低噪声前端读出电路
甘波
魏廷存
胡永才
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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