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适用于SAR ADC的CMOS比较器的设计
被引量:
2
1
作者
裴晓敏
《电子设计应用》
2008年第7期71-74,共4页
本文提出一种带时钟控制的CMOS比较器结构,它由两级前置差分放大器和一级带有正反馈的NMOS锁存器组成。此设计在前置预放和锁存器级联的基础上,引入了交叉耦合负载,复位、钳位技术,获得了高精度和较低的功耗。设计采用0.18μm CMOS工艺...
本文提出一种带时钟控制的CMOS比较器结构,它由两级前置差分放大器和一级带有正反馈的NMOS锁存器组成。此设计在前置预放和锁存器级联的基础上,引入了交叉耦合负载,复位、钳位技术,获得了高精度和较低的功耗。设计采用0.18μm CMOS工艺,电源电压为3.3V,分辨率为0.8mV,获得12bit的精度,可以应用于SAR ADC等模数转换器电路中。
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关键词
正反馈
比较器
前置预放
锁存器
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职称材料
题名
适用于SAR ADC的CMOS比较器的设计
被引量:
2
1
作者
裴晓敏
机构
襄樊学院物电系
出处
《电子设计应用》
2008年第7期71-74,共4页
文摘
本文提出一种带时钟控制的CMOS比较器结构,它由两级前置差分放大器和一级带有正反馈的NMOS锁存器组成。此设计在前置预放和锁存器级联的基础上,引入了交叉耦合负载,复位、钳位技术,获得了高精度和较低的功耗。设计采用0.18μm CMOS工艺,电源电压为3.3V,分辨率为0.8mV,获得12bit的精度,可以应用于SAR ADC等模数转换器电路中。
关键词
正反馈
比较器
前置预放
锁存器
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
TN958 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
适用于SAR ADC的CMOS比较器的设计
裴晓敏
《电子设计应用》
2008
2
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