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半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
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作者 孙福楠 吴江红 +3 位作者 柳蔚 李英辉 于大秋 冯庆祥 《低温与特气》 CAS 2009年第1期1-3,共3页
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统... 在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。 展开更多
关键词 半导体 剧毒有害气体 SIH4 B2H6 GeH4 PH3 AsH3 干法解毒
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