-
题名半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
- 1
-
-
作者
孙福楠
吴江红
柳蔚
李英辉
于大秋
冯庆祥
-
机构
光明化工研究设计院
-
出处
《低温与特气》
CAS
2009年第1期1-3,共3页
-
文摘
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。
-
关键词
半导体
剧毒有害气体
SIH4
B2H6
GeH4
PH3
AsH3
干法解毒
-
Keywords
semiconductor
highly toxic gases
SiH4
B2 H6
GeH4
PH3
AsH3
detoxification techniques by pyrolysis
-
分类号
X705
[环境科学与工程—环境工程]
-