剪切压电陶瓷块微位移测量及非线性修正

通过搭建的剪切压电陶瓷块微位移测量系统，进行了5个不同目标电压的剪切压电陶瓷微位移测量实验，对实验数据分别进行二阶、三阶、四阶最小二乘拟合后进行非线性修正实验，其中采用三阶最小二乘拟合进行修正时效果最好，其位移1050nm行程时最大非线性误差为3nm。对所得三阶最小二乘拟合多项式的系数进行样条插值拟合，从而实现对不同目标位移的非线性修正，其中位移900nm行程时最大非线性误差为4nm，仅为原始非线性误差的11％。