在消声室环境下测试了三款线阵列扬声器样品的垂直指向性。结果显示中高频段在主瓣以外方向角位置的辐射强度衰减量仅为10 d B或以下,原因是扬声器箱体之间无辐射间隙的栅格干涉效应,形成副极大瓣,其所在的方向角位置与理论计算结果基...在消声室环境下测试了三款线阵列扬声器样品的垂直指向性。结果显示中高频段在主瓣以外方向角位置的辐射强度衰减量仅为10 d B或以下,原因是扬声器箱体之间无辐射间隙的栅格干涉效应,形成副极大瓣,其所在的方向角位置与理论计算结果基本吻合,并且由于扬声器箱体及辐射单元的物理结构限制,辐射面填充率难以进一步提高。展开更多
文摘在消声室环境下测试了三款线阵列扬声器样品的垂直指向性。结果显示中高频段在主瓣以外方向角位置的辐射强度衰减量仅为10 d B或以下,原因是扬声器箱体之间无辐射间隙的栅格干涉效应,形成副极大瓣,其所在的方向角位置与理论计算结果基本吻合,并且由于扬声器箱体及辐射单元的物理结构限制,辐射面填充率难以进一步提高。