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Au-GaAs(īīī)界面特性的研究
1
作者
何丕模
罗晋生
刘古
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期148-152,共5页
我们对Au—GaAs(īīī)界面进行了角分辨AES和UPS研究。分析了Au、Ga和As原子在热退火前后的界面行为,同时由功函数变化定性地讨论了界面势垒的形成。
关键词
Au-GaAs
界面
原子扩散
功函数变化
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职称材料
题名
Au-GaAs(īīī)界面特性的研究
1
作者
何丕模
罗晋生
刘古
机构
西安交通大学电子工程系
浙江大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期148-152,共5页
文摘
我们对Au—GaAs(īīī)界面进行了角分辨AES和UPS研究。分析了Au、Ga和As原子在热退火前后的界面行为,同时由功函数变化定性地讨论了界面势垒的形成。
关键词
Au-GaAs
界面
原子扩散
功函数变化
Keywords
Interface
Atomic difusion
Segregation
Work function Change
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Au-GaAs(īīī)界面特性的研究
何丕模
罗晋生
刘古
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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