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压接式SiC MOSFET模块
被引量:
1
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作者
朱楠
陈敏
徐德鸿
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020年第6期179-191,共13页
介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热器引入的寄生电感,采用了一种厚度较薄且具有良好散热性...
介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热器引入的寄生电感,采用了一种厚度较薄且具有良好散热性能的微通道散热器。介绍了研制的压接式SiC MOSFET样品,并通过仿真和实验评估了样品的电、热特性,验证了所提出封装方案的可行性。
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关键词
功率半导体封装
压接式器件
SiC
MOSFET
寄生电感
热管理
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职称材料
题名
压接式SiC MOSFET模块
被引量:
1
1
作者
朱楠
陈敏
徐德鸿
机构
浙江大学电气工程学院
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020年第6期179-191,共13页
基金
国家自然科学基金资助项目(51477152)
国家留学基金委联合培养博士生资助项目。
文摘
介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热器引入的寄生电感,采用了一种厚度较薄且具有良好散热性能的微通道散热器。介绍了研制的压接式SiC MOSFET样品,并通过仿真和实验评估了样品的电、热特性,验证了所提出封装方案的可行性。
关键词
功率半导体封装
压接式器件
SiC
MOSFET
寄生电感
热管理
Keywords
power semiconductor packaging
press-pack device
SiC MOSFET
stray inductance
thermal management
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压接式SiC MOSFET模块
朱楠
陈敏
徐德鸿
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020
1
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