功率型发光二极管的寿命与失效分析

可靠性是影响发光二极管应用的一个重要因素。对1 W大功率发光二极管分批在不同电流及不同结温下进行试验,分析了电流和结温对功率型发光二极管寿命的影响,应用应力加速模型推测在不同电流或结温条件下发光二极管的寿命,同时研究了试验过程中发光二极管的光电性能的变化,探索其失效机理,为功率型发光二极管的应用提供参考。

功率型发光二极管的研究与应用进展

文章首先对功率型发光二极管的起源和发展作了回顾和简要的叙述 .然后以固体光源照明为目标 ,给出了几种可见光功率发光二极管芯片和封装的典型结构 ,并且对它们各自的特点进行了比较 .

功率型LED芯片的热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光LED芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将LED芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率型LED光电特性和出光一致性较好,证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技术。

浅析发光二极管失效成因和使用寿命影响因素

该文对发光型二极管的基本原理进行阐述,并在此基础上分析了影响发光型二极管寿命和失效的相关因素,建立了分析发光二极管的数学模型,通过实验实测数据,探索了其失效机理。

大功率照明白光LED恒流驱动芯片设计

基于0.6μm标准CMOS工艺,研究设计了一款大功率照明白光LED恒流驱动芯片,可为两路功率型LED分别提供恒定的350mA驱动电流。驱动电路的输出级大功率管采用蛇形栅结构的设计,在标准CMOS工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。采用单电源供电,最高输出功率可达3W以上;单电源电压在4～7V范围内,芯片能够实现良好的恒流驱动功能,驱动电流恒流失配度保持在3.09%以内;当标准5V电源有10%的变化时,驱动电流的变化可控制在1.42%之内,恒流失配度保持在2.84%以内;而当环境温度在10～90℃范围内变化,驱动电流最多增大1.75%,恒流失配度保持在3.15%以内。采用双电源供电时,芯片电源转换效率可达83%。