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应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化
1
作者
薛春来
时文华
+2 位作者
成步文
姚飞
王启明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期435-438,共4页
高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟...
高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.
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关键词
SIGE
HBT
高频大
功率
最大单边
功率
增益
功率增加效率
下载PDF
职称材料
题名
应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化
1
作者
薛春来
时文华
成步文
姚飞
王启明
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期435-438,共4页
基金
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010)、国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)和国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目
文摘
高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.
关键词
SIGE
HBT
高频大
功率
最大单边
功率
增益
功率增加效率
分类号
TN323+4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化
薛春来
时文华
成步文
姚飞
王启明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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