一种实用的逆变桥功率开关管门极关断箝位电路

针对1kVA高频在线式UPS主功率电路的设计,并结合实际电路调试中所遇到的问题,提出了一种实用的电路———逆变桥功率开关管门极关断箝位电路熏它可以有效地抑制开关管门极的干扰,从而提高电路的可靠性;同时给出了部分电路的实验波形和实验结果。

GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真

针对目前 GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题提出一些新的结构改进设想 ,包括改变栅区掺杂浓度以及平面版图设计 ,并对此进行了仿真研究 .结果证明可将最大集电极电流提高到 2 .1倍 。

伺服驱动器功率开关管故障检测仪设计

以TMS320LF2407A DSP作为核心处理器,设计了一种基于电机电流信号分析法的伺服驱动器功率开关管故障检测仪。该检测仪使用了小波多分辨率分析的方法从伺服驱动器的输出电流信号中提取开关管开路故障特征向量。实验结果表明了所设计检测仪的可行性和有效性。

大功率开关管驱动芯片UAA4002的应用

介绍一种大功率开关管的驱动保护芯片UAA4002的主要性能,针对实际应用中出现的稳定性问题,提出了一些切实可行的抗干扰措施.

功率开关管及LED驱动芯片的散热器设计

功率开关管(简称MOSFET)是开关电源的核心器件,这里讲的MOSFET可以是分立的,也可以集成在LED驱动芯片之中首先阐述分立式MOSFET散热器的设计方法、注意事项及设计实例;然后介绍通过计算平均功耗来完成单片LED驱动电源散热器设计的方法。

半绝缘多晶硅在大功率开关管3DK106中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ－ＳＩＰＯＳ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ－ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。

应用轨迹法分析功率开关管的损耗

本文提出了一种用于判断功率开关管损耗的新方法——轨迹法,它使得用普通示波器观察功率开关管的损耗成为可能。实验结果表明,该方法具有较强的实用性。

苏泊尔C16BS电磁炉大功率开关管的代换

一台苏泊尔C16BS电磁炉使用中突然停止加热．出现声光故障报警。

IGBT大功率开关管及其驱动器

IGBT是一种新型的大功率开关管,近年来在国内外变频器或开关电源中获得广泛的使用。为了避免短路过载烧坏管子,必须要用相应的驱动器来驱动和保护。本文首先介绍IGBT的工作原理,再介绍台湾斯米克公司生产的一种IGBT分立式驱动器IDM400A,最后提出应用中的几个问题供读者使用时参考。 IGBT的基本原理及特性一.IGBT的基本原理 IGBT是绝缘栅双极型人功率晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的简称,自80年代中期以来,它作为一种新一代的电力电子器件在交流变频器、逆变器、大功率开关电源、电子焊机等方面获得了广泛应用。

具有保护功能的功率开关管IRSF3010的特点及其应用

具有保护功能的功率开关管ＩＲＳＦ３０１０的特点及其应用李明１、引言ＩＲＳＦ３０１０是美国ＩＲ公司生产的一种三端单片智能功率场效应管，ＴＯ—２２０封装，与现有的功率ＭＯＳＦＥＴ完全兼容，其输入电流非常小（３００μＡ），Ｎ沟道逻辑电平控制。它具有短路保护...

一种开关磁阻风力发电机新型功率变换系统及其最大功率点跟踪控制

本文提出一种含可变励磁电压且所用开关管数量最少的新型开关磁阻发电机(SRG)功率变换器,包括主电路与励磁电路,主电路所需主开关管数量等于SRG相绕组数,励磁电路仅需一只主开关管。励磁电压与发电电压解耦并可独立控制,励磁电路无隔离环节并与主电路共地。在分析该新型功率变换器工作原理的基础上,针对变速风力发电应用工况,提出基于该新型功率变换器的SRG最大功率点跟踪(MPPT)控制方法,给出励磁电压扰动控制策略。通过对一台750W的SRG样机系统进行仿真和实验,并与基于共上管功率变换器的SRG风电MPPT进行比较,结果表明本文所述新型SRG功率变换器的输出功率增加1.5%,验证了该新型功率变换器及其控制策略的有效性。

基于逆变器交流侧的四开关功率解耦技术研究

针对两级式单相逆变器常用大容量电解电容来缓冲其固有的二倍频脉动功率,大大降低其耐用性和可靠性这一问题,本文在保证变换器稳定运行的前提下提出了一种四开关功率解耦电路,对降低逆变器电容总容值具有实际工程意义。分析讨论解耦电路的工作原理,通过对4种不同的工作模式进行分析,从而确定解耦主电路各个开关管开关时序。在此基础上,设计了相应的脉冲能量调制策略以实现瞬时能量的精准补偿,提升了四开关功率解耦电路的解耦性能,改善了两级式逆变器交直流侧波形质量。该方案逆变电路与功率解耦电路相互独立,有利于传统设备的改造。最后,搭建了仿真模型和实验样机,仿真和实验结果验证了增加交流侧四开关功率解耦电路后,变换器只需几十μF的薄膜电容就能对二倍频脉动功率进行有效解耦。

压控型脉冲功率半导体器件技术及应用

近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。

K波段GaN大功率开关芯片的设计与实现

为分析氮化镓(Gallium Nitride,GaN)开关芯片的功率压缩机理,基于0.15μm GaN pHEMT工艺技术,采用了有效的电路拓扑,设计并实现了一款可应用于K波段的GaN大功率开关芯片。测试结果表明,该大功率开关芯片在18~22 GHz的频率范围,0.1 dB输入压缩的功率点可达到连续波12 W,开关插损1.1 dB,隔离度32 dB。控制电压为0 V和-28 V这2个互补电平,芯片尺寸为1.90 mm×1.50 mm×0.08 mm,满足实际工程应用的需求。

通过栅极驱动器提高开关电源功率密度

序言:像许多电子领域一样,进步持续发生。目前,在3.3kW开关电源(SMPS)中,产品效率高达98%,IU结构尺寸,其功率密度可达100W/in^(3)。这之所以可以实现是因为我们在图腾柱PFC级中明智地选择了超结(SJ)功率MOSFET(例如CoolMOS^(TM)),碳化硅(SiC)MOSFET(例如CoolSiC^(TM)),而且还采用了氮化镓(GaN)功率开关(例如CoolGaN^(TM))用于400V LLC应用。

DF100A100kW短波发射机功率开关模块和功率控制模块工作原理

本文介绍了DF100A100kW短波发射机PSM脉冲阶梯调制技术原理及实现过程,叙述了功率开关模块的组成和工作过程,分析了功率开关控制模块基本结构及其工作原理,介绍了模块风机的作用和注意的事项。

大功率高频开关电源节能技术的运用与研究

电源是设备运行的重要动力来源,随着人们对电力资源需求的提升,电源优化逐渐向节能环保的方向发展。大功率高频开关电源作为稳压电源中的典型,如何通过技术实现节能目的是技术人员需要关注的重点。基于此情况,重点围绕大功率高频开关电源节能技术的运用开展研究,并结合现阶段行业现状,提出运用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)逆变整流方式与数字化管控技术强化电源节能效益的理念,有效处理传统可控硅电源运用过程中的低效问题。目前,此类电源已经被广泛运用在电子铜箔等生产工作中,成为电子信息等产业建设的重要基础。在设备应用过程中,可减少资源消耗,帮助企业提高经济效益,为行业可持续建设奠定基础。

IGCT和IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件

硬驱动概念的出现极大地改进了门极可关断晶闸管 (GTO)的关断性能 ,并导致了集成门极换向型晶闸管 (IGCT)的出现。IGCT在 GTO技术的基础上 ,采用新技术集成了硬驱动门极驱动电路及反并联二极管 ,使器件不需关断吸收电路、可靠性更高、工作频率更高 ,易于串联工作。电子注入增强门极晶体管 (IEGT)是东芝公司于 1 993年开发出的新一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。 IGCT和 IEGT将逐步取代 GTO广泛应用于中等电压大容量变流器中。文中简要地介绍了 IGCT和 IEGT的基本结构、工作原理、性能比较 ,以及在静止补偿器和逆变器中的应用情况。

晶闸管脉冲功率开关保护参数优化计算及其影响

晶闸管具有承受浪涌电流的特点,提出利用它构建强脉冲功率投切开关,代替传统切换开关。整个投切过程是在母线电流过零/电压过零时进行,因此冲击小、无电磁暂态过渡过程,且无拉弧现象。以ABB公司的5STP52U5200晶闸管为例,讨论工作于脉冲开关状态时它的反向恢复电流特点,并归纳出吸收电阻和电容的优化计算方法和设计准则。利用MATLAB的SIMULINK环境构建以晶闸管充当脉冲功率开关的整个试验回路的仿真建模,分析阻容吸收回路参数对晶闸管过电压的影响特性。该仿真模型能够正确反映晶闸管的开关暂态过程,具有良好的灵活性、与扩展性。试验验证了所提出的晶闸管的计算方法和设计准则的有效性,并有利于快速设计出满足工程需求的脉冲功率开关(阀)组件。

开关功率变换器中的间歇现象——理论分析

鉴于间歇分谐波与间歇混沌的产生可以从电路耦合滤波的角度进行合理的解释 ,则可以此为基础 ,用参数域上的分叉来映射时间域上的分叉 ,从而使得可以用一般的特征值分析方法 (针对参数分叉 )来实现变换器中间歇现象的分析 (针对时间分叉 ) ,特征值、分叉图及最大Lyapunov指数均表明得到的研究结果与仿真及实验是完全一致的 。