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D类功率放大器的设计 被引量:2
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作者 郑友均 《中国新技术新产品》 2010年第4期6-7,共2页
本系统以高效率D类功率放大器为核心,输出开关管采用高速VMOSFET管,连接成互补对称H桥式结构,最大不失真输出功率大于1W,平均效率可达到70%左右,兼有输出1:1双变单电路,此外还有输出短路保护及指示、输出音量电平指示等辅助功... 本系统以高效率D类功率放大器为核心,输出开关管采用高速VMOSFET管,连接成互补对称H桥式结构,最大不失真输出功率大于1W,平均效率可达到70%左右,兼有输出1:1双变单电路,此外还有输出短路保护及指示、输出音量电平指示等辅助功能,比较理想地实现了设计指标的要求。 展开更多
关键词 D类 功率放大器设计
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一种数字电视发射机激励放大器设计浅析
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作者 金克敏 《科技与企业》 2014年第13期127-127,共1页
作为数字电视发射机的重要组成部分,数字功率激励放大器相对于传统的模拟电视发射机的激励功率放大器在设计上对于线性度和稳定性提出了更高的要求,数字电视发射机的激励功率放大器一定要增益稳定的工作,处于较高的线性状态。
关键词 功率放大器设计 优化与仿真 测试结果
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UHF power amplifier design in 0.35μm SiGe BiCMOS
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作者 宋家友 Li Zhiqun Wang Zhigong 《High Technology Letters》 EI CAS 2009年第2期147-150,共4页
A two-stage power amplifier operated at 925 MHz was designed and fabricated in Jazz' s 0.35μmSiGe BiCMOS process.It was fully integrated excluding the inductors and the output matching network.Under a single 3.3V... A two-stage power amplifier operated at 925 MHz was designed and fabricated in Jazz' s 0.35μmSiGe BiCMOS process.It was fully integrated excluding the inductors and the output matching network.Under a single 3.3V supply voltage,the off-chip bonding test results indicated that the circuit has a smallsignal gain of more than 24dB,the input and output reflectance are less than- 24dB and-10dB,re-spectively,and the maximal output power is 23.5 dBm.At output power of 23.1 dBm,the PAE(poweradded efficiency)is 30.2%,the IMD2 and IMD3 are less than- 32 dBc and-46 dBc,respectively.The chip size is 1.27mm ×0.9mm. 展开更多
关键词 power amplifier SIGE BICMOS heterojuncfion bipolar transistor
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