集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述

随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固技术的研究进展进行了介绍和总结,为抗辐射工艺加固技术的发展与应用提供了有益参考。

硅基GaN单片功率集成电路的研制

研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。

刍议从区域层面构建集成电路全产业链

党的二十届三中全会提出,抓紧打造自主可控的产业链供应链,健全强化集成电路等重点产业链发展体制机制,全链条推进技术攻关、成果应用。集成电路(下文不严格区分“集成电路”“半导体”“芯片”等概念的差别,一般都用“IC”予以指代)被称为“现代工业的粮食”,广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业控制、物联网等领域。IC产业是衡量一个国家科技实力、经济实力的重要标志之一。

1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计

文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55～125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是SPIC的一种典型电路。

集成电路(IC)人才成才规律研究

在当前全国IC产业蓬勃发展之际,IC人才需求及培养已成为业界人士共同关注的话题,本文通过对IC人才特点与成才之路的研究,认识到IC产业人才成长的若干规律,并由此探索了相关的成才之路。

科锐展示业界首款用于卫星通信的C波段GaN HEMT单片式微波集成电路(MMIC)高功率放大器

科锐公司日前在巴尔的摩举行的2011年IEEE国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器（HPA）。与现有商用GaAs MESFET晶体管或基于行波管的放大器相比，该产品可大幅提高性能。

新型电力电子器件与功率集成电路最新进展

综述了新型电力电子器件与功率集成电路的最新进展，指出ＳｉＣ和金刚石是优于Ｓｉ和ＧａＡｓ的制造电力电子器件的理想材料。

集成电路高功率微波易损性预测评估模型

介绍了集成电路高功率微波易损性的基本概念,给出了利用人工神经网络建立集成电路高功率微波易损性预测评估模型的基本步骤,通过一个实例,对预测评估模型的有效性进行了检验。实践表明:人工神经网络作为一个有效工具,可以较好地应用到集成电路高功率微波易损性预测评估工作中。

功率集成电路中一种抗闩锁方法研究

在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计

我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.

集成电路自动测试设备大功率电压电流源的设计与实现

为了满足对大功率集成电路器件的测试需求,需要在测试系统中使用大功率负载驱动能力的电压电流源;该系统采用了四象限钳位、输出继电器保护和创新性的调压恒流技术,改善了传统大功率电压电流源设计的局限性;系统输出电压电流范围宽并且输出值精确;应用结果表明,该检测系统运行稳定可靠,测量精度高。

功率驱动集成电路安全性分析与设计

功率驱动电路是控制电路和功率放大器的联接纽带。功率放大器多数选择相应的功率电路形式(三相全桥或H桥等)以及主功率器件,而对于功率驱动电路设计,则是电路安全工作的核心,特别是对于中、大功率控制器设计。文中先抛开电路布线安全性设计,主要介绍驱动集成电路原理安全性设计。

垂直双扩散结构MOS功率集成电路的设计

提出了一种新型功率集成电路结构的设计方法。通过恰当的版图设计和利用垂直双扩散技术，可以在同一芯片上实现具有效强功率驱动能力的功能电路。这种结构的加工过程同ＶＤＭＯＳ完全兼容，关键技术是采用对接双重扩散形成ＮＭＯＳ结构，为实现芯片中ＮＭＯＳ结构与功率器件结构击穿性能的一致性，图形设计时，应将ＮＭＯＳ单元放置在ＶＤＭＯＳ器件的中心附近以取代部分ＶＤＭＯＳ元胞。通过电路与功率器件的内部连接而形成功率集成电路。

灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究

功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。

VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．

高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究

高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 。

TWH9205功率型开关集成电路的原理及应用

本文介绍了THW 92 0 5开关集成电路的结构 性能特点和工作原理 。

L4981功率因数校正集成电路的特点及应用

１．简介功率因数校正电路（ＰＦＣ）分为有源和无源两种。无源校正电路通常由大容量的电感、电容和工作于工频电源的整流器组成。有源校正电路往往工作于高频开关状态，它们的体积小、重量轻，比无源校正电路效率高。图１是功率因数校正电路的三种不同结构形式。不同的结...

集成电路老化温度与耗散功率、频率关系的研究

在集成电路的可靠性试验中,耗散功率随着集成电路技术发展而增长,这也是由于温度和集成电路频率作用的关系。因此,在老化环境中,耗散功率会加大对老化的影响。文章将重点讨论在老化环境中,温度和频率的调整对集成电路老化所产生的作用。

一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路

介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。