微结构光纤正常色散区飞秒激光脉冲传输光谱展宽的功率饱和效应

利用自制的微结构光纤进行了飞秒激光脉冲传输实验，输入激光脉冲的中心波长为800nm，位于微结构光纤的正常色散区。随着输入激光脉冲的平均功率从220mw逐渐增大到300mW，输出光谱同时向长波和短波方向展宽，光谱中的反斯托克斯线对应的能量逐渐占据主导地位。平均功率达到280mW时，光谱的展宽范围不再增大，显示出了一种功率饱和效应。在微结构光纤的正常色散区实现了波长从560～960nm的20dB展宽谱。

非线性慢波电路中跳变幅度对饱和输出功率的影响

本文以罗埃大信号理论为基础，对提高小型化行波管效率的动态速度渐变技术和二次谐波的抑制问题进行了模拟计算分析。重点研究了非线性双跳变电路中跳变幅度的变化对饱和输出功率的影响。获得了实现动态速度渐变的最佳双跳变电路变化幅度。证明了在最佳跳变幅度，基波分量得到加强，二次谐波受到抑制，饱和功率在全频带范围（６～１８ＧＨｚ）内具有均衡输出。

放大器型自由电子激光饱和功率的定标定律

用量纲分析和数值计算相结合的方法,给出常参数放大器型毫米波自由电子激光基模辐射的饱和功率和饱和长度的一套定标定律。

无人自行车平衡及路径跟踪耦合控制策略研究

为提高自行车自行驶过程稳定性,提出一种实现车身平衡及路径跟踪耦合控制策略。由自行车动力学模型得到车身理想倾角与前轮转角关系,在惯性飞轮提供外力矩实现车身平衡的基础上,将车身主动倾斜辅助惯性飞轮平衡车身。当惯性飞轮电机输出功率饱和或车身受横向干扰时,前轮转向由路径跟踪切换至辅助车身平衡。研究测试表明:提出的控制策略,实现车身自平衡及路径跟踪,同时减小惯性飞轮电机输出力矩,有效提高了自行车行驶过程的抗干扰性。

具有APD-TIA光模块的饱和光功率偏低研究

GPON ONU用光接收模块的光接收灵敏度和饱和光功率分别要求-28dBm和-8dBm。测试表明,具有2.5Gb/s APD-TIA光接收模块在25℃和85℃下接收光灵敏度和饱和光功率一般没问题,但在-40℃下,部分模块饱和光功率低于-8dBm。分析指出,饱和光功率偏低,主要与APD的结构、温度特性以及TIA、AGC性能有关。

探讨5G无线接收功率过饱和的优化方法

终端作为非线性接收机,并不是接收到的功率越强越好,而是要保持在正常接收范围之内。功率过饱和功能有效确保5G用户在近点强信号下的速率稳定,提高用户5G使用感知,能有效实现节能减排,具有显著的经济效益和社会效益。

油气管道VSAT卫星链路计算方法研究

为了解决VSAT卫星链路完全依靠卫星厂家进行计算且无法核对厂家提供的数据是否正确的问题,针对VSAT卫星链路计算的可靠性和健壮性,提出了一种油气管道VSAT卫星链路计算方法。该方法采用“功带平衡”算法,将VSAT卫星链路的带宽占用比等同于功率占用比,计算出卫星转发器最大输出功率,进而计算等效功率密度,根据每载波占用卫星的ERIP值公式,计算出饱和通量密度,匹配出卫星天线尺寸及功放矩阵,根据匹配的卫星天线及功放计算VSAT卫星链路总载噪比,将VSAT卫星链路总载噪比和系统最低载噪比进行对比,VSAT卫星链路总载噪比大者为合适的卫星天线及功放,反之为不合适选项,用推算出的卫星天线及功放推算出功率占用比,功率占用比与带宽占用比差别较大时,需调整卫星天线及功放的选择,计算功率占用比,直到卫星天线及功放达到功率占用比等于带宽占用比,即为最优的卫星天线和功放。通过最终的计算可得出卫星天线与功放的匹配矩阵,在实际工程中需从中选取合适的卫星天线与功放中的最小值达到最经济、可靠的匹配。该计算方法通过软件编程进行了界面可视化显示,并在诸多工程中进行了详细验证,结果表明此方法准确可靠,很好地提升了VSAT卫星链路计算的可靠性和健壮性。

超宽带高饱和单行载流子光探测器研究(特邀)

超宽带单行载流子(UTC)光电探测器因其仅需快速的电子输运过程,较传统PIN探测器具有明显宽带优势,是6G宽带无线通信、太赫兹成像、超宽带噪声发生器等亚太赫兹频段系统中的核心光电子器件之一。面向亚太赫兹频段光电转换需求,针对UTC探测器中大带宽与高饱和功率之间的矛盾问题,分别研究并突破了光生载流子高速输运机理、感性共面波导器件(CPW)结构等关键技术,研制成功带宽106 GHz、饱和输出功率7.3 dBm的双漂移层结构MUTC探测器芯片,和带宽超过150 GHz的超宽带MUTC探测器芯片。

高功率同轴波导Ubitron放大器的高频特性研究

用三维非线性理论,对高功率同轴波导Ubitron放大器进行了研究。该Ubitron放大器采用环形相对论电子注与同轴波导的TE01模相互作用。通过数值模拟,在Ku波段得到了2.24MW的输出功率,其效率为10.9%,带宽为35%。数值计算结果表明:电子注的自场导致饱和功率减少,频带变窄,增益下降。使用摇摆器幅值渐变,器件工作效率从10.9%提高到12.3%。

220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器

南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。

大功率多电子注TWT的大信号互作用分析与计算

多电子注技术是提高行波管功率水平的一种有效方法，其慢波结构为紧密耦合的螺旋线、梯形线或耦合腔阵列。文中将对以耦合腔阵列作为慢波结构的多电子注行波管进行分析，建立大信号分析的物理和数学模型，编制大信号计算程序，给定输入功率，计算得到了多电子注行波管的饱和功率、增益和电子效率。

一种42~46 GHz高效率功率放大器设计

基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为2.70 mm×2.90 mm。芯片测试结果表明,在42~46 GHz内,饱和输出功率大于41 dBm,功率增益大于18 dB,功率附加效率大于30%。

基于65nm工艺的E类功率放大器设计

为进一步提高射频功率放大器的效率与增益性能,设计一种工作在5GHz频率上的E类功率放大器。设计采用三级级联的D类功率放大器作为驱动级放大器,并包含一个工作在E类状态的cascode结构功率放大器,对负载回路进行负载牵引匹配优化。通过理论分析,使用Cadence软件Spectre对设计结构展开仿真。仿真结果得到器件在5 GHz及1.6 GHz~5.5 GHz区间的增益数据,证实设计具有很好的平坦度,同时得到功率附加效率、饱和输出功率的数值,证明其具有较好的线性度。本设计在5G通信技术领域具有重要应用及研究价值。

基于实频技术的1.3～2.4 GHz宽带功率放大器的研究

功率放大器作为射频微波发射机系统中的关键部件,一直成为学术界以及产业界的重点研究对象。主要对功放的性能提升技术进行相应的研究,使用实频技术研究功放的匹配技术,首先理论分析实频技术,然后通过ADS进行仿真验证,仿真结果表明,使用CGH40010FGaN HEMT功放管进行输入输出匹配网络,在1.3~2.4GHz频率范围内功放的漏极附加效率不小于58%,输出饱和功率≥40dBm,功放增益>6.5dB,显著地提升功放效率以及功放的输出功率。

20MHz^520MHz宽带功率放大器的研制

新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料,具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性,在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联,匹配电路为集中元件和分布元件混合,采用负反馈技术提高带宽,RC并联网络提高稳定性,设计了一款20 MHz^520 MHz的宽带功放。利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试,在20 MHz^520 MHz频段内,功放模块饱和输出功率大于9 W,增益大于29.5 dB,漏极效率高于40%,带内平坦度为±0.7 dB。

2.4GHz E类射频功率放大器的设计

射频功率放大器是无线发射机的核心部分,本文在传统经典射频功率放大器理论研究的基础上,采用将经典E类功率放大器的射频扼流圈看做一般电感,采用新的设计方法,设计出了一款工作于2.4GHz频段的射频功率放大器。基于理想的设计方程,采用级联反向器驱动级,在TSMC0.18μm工艺环境下,设计出的伪差分放大器的饱和输出功率可达29dBm,PAE为63%。

宽带脉冲行波管放大器功率管理技术研究

介绍了一种宽带脉冲行波管放大器,阐述了行波管放大器的基本工作原理,分析了影响行波管输出功率的主要因素,并提出了一种切实可行的宽带行波管放大器的功率管理技术。

HA5100系列C—Band光纤功率放大器

产品概述 华泰HA5100系列C—Band功率放大器主要为单频道或1～8个连续的带状频道（ITU波长）的应用而设计，具有噪声系数低、饱和输出功率大，适用中心局、分局和线路中继，也可用其他光纤通信网络，是CATV系统中应用最普遍，用量最多的一种光纤放大器。

离心泵的轴功率特性探讨

推导了离心泵饱和轴功率特性产生的理论条件，给出了无因次拍功率特性曲线的绘制方法和离心泵最大轴功率值及其位置的预测公式，为无过我离心泵的研究提供了理论依据。

C波段固态功率放大器

Aethercomm公司推出了一种高功率C波段功率放大器，工作频率为5．0GHz～6．2GHz．25℃下1dB增益压缩(P1dB)功率最大值为20W．25℃下的饱和输出功率典型值为25W，输入／输出电压驻波比(VSWR)最大值为2．0：1。其标准性能是反向极性保护、输出短路与开路保护、集成DC／DC变换器具有过压和欠压保护。该器件还配有合适的DC开关电路，