期刊文献+
共找到15篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性
1
作者 王源 张义门 张玉明 《计算物理》 CSCD 北大核心 2003年第5期467-470,共4页
 提出了一种功率AlGaAs/GaAsHBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.
关键词 功率algaas/gaashbt 自加热 温度模型 频率特性 异质结双极性晶体管 晶格温度 截止频率 最高振荡频率
下载PDF
高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 被引量:6
2
作者 严北平 张鹤鸣 戴显英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期247-250,共4页
利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频... 利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7% 展开更多
关键词 自对准结构 功率密度 异质结双极晶体管 algaas/GAAS 砷化镓
下载PDF
大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计 被引量:4
3
作者 王俊 马骁宇 +2 位作者 林涛 郑凯 冯小明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2449-2454,共6页
本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关... 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2. 展开更多
关键词 功率808nm半导体激光器 GaAsP/algaas量子阱激光器 分别限制异质结构
下载PDF
808nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器
4
作者 张素梅 赵世舜 +1 位作者 石英学 石家纬 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期177-180,共4页
 设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW RJH)激光器,其发射波长为808nm,腔长为900μm,条宽为100μm。其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p n结和有源区间...  设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW RJH)激光器,其发射波长为808nm,腔长为900μm,条宽为100μm。其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层。对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阈值电流偏大、导通电压偏高的直流特性。经4200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。 展开更多
关键词 功率 远结 单量子阱 algaas/GAAS
下载PDF
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
5
作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 高欣 李梅 王玲 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期90-92,共3页
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
关键词 梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/algaas 输出功率 镓铝砷化合物
下载PDF
高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
6
作者 张素梅 石家纬 +1 位作者 赵世舜 胡贵军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期267-271,共5页
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半... 为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。 展开更多
关键词 功率半导体激光器 远结 单量子阱 algaas/GAAS
下载PDF
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征(英文) 被引量:3
7
作者 乔彦彬 陈燕宁 +1 位作者 赵东艳 张海峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期10-13,35,共5页
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级... 利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象. 展开更多
关键词 半导体技术 热耦合特征 红外热成像技术 有限元 功率808 nm algaas/GaAs基半导体激光器巴条
下载PDF
Al/Ti栅AlGaAs/GaAs功率HFET上氢处理的体效庆和正月面效应
8
《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第6期49-49,共1页
关键词 Al/Ti栅 algaas/GaAs功率 HFET 氢退化 氢修理 体效应 表面效应 电压击穿
下载PDF
The Third-Order Intermodulation Distortion in the AlGaAs/GaAs HBT Amplifier
9
作者 廖小平 魏同立 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 1999年第1期33-38,共6页
在测试了AlGaAs/GaAsHBT(异质结晶体管)的直流特性和S参数的基础上,建立了其微波小信号等效电路,准确的等效电路有利于其微波线性应用的分析.应用Voltera级数,计算了AlGaAs/GaAsHBT放大器... 在测试了AlGaAs/GaAsHBT(异质结晶体管)的直流特性和S参数的基础上,建立了其微波小信号等效电路,准确的等效电路有利于其微波线性应用的分析.应用Voltera级数,计算了AlGaAs/GaAsHBT放大器的三阶互调失真,计算结果和双音测试结果相当一致。 展开更多
关键词 algaas/gaashbt 三阶互调失真 等效电路
下载PDF
基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制 被引量:2
10
作者 卢建娅 谭明 +3 位作者 杨文献 陆书龙 张玮 黄健 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第5期688-693,共6页
对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同... 对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同类型和体积比的溶液对GaAs/GaInP/AlInP结构腐蚀的选择特性,最终选用不同配比的H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得快速、可控制、重复性好的去除衬底的两步腐蚀法。原子力显微镜测试结果表明,通过此方法能够成功地将电池外延层薄膜转移到Cu衬底上,并且在剥离和转移过程中外延层薄膜没有受到损伤。柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的开路电压超过3.4V。 展开更多
关键词 AlGaInP/algaas/GaAs 太阳电池 柔性薄膜 湿法腐蚀 重量比功率
下载PDF
S波段大功率GaAs PHEMT单片放大器 被引量:2
11
作者 武继斌 吴洪江 +1 位作者 张志国 高学邦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第8期489-493,共5页
GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%。建立了基于EEHEMT的大信... GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%。建立了基于EEHEMT的大信号模型,利用ADS软件搭建了有耗匹配的二级放大电路拓扑结构,进行最佳效率匹配,得到优化电路。采用4英寸(1英寸=2.54cm)GaAs0.35μm标准工艺研制了AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT MMIC电路,测试结果表明,在测试频率为2.2~3.4GHz,测试电压VDS为10V时,输出功率大于12W,功率增益大于22dB,功率附加效率大于40%。 展开更多
关键词 algaas/InGaAs PHEMT 单片功率放大器 功率 S波段
下载PDF
北斗系统射频功率放大器的研究与设计
12
作者 王钟 《中国新通信》 2014年第8期95-96,共2页
本文设计了一款可应用于我国北斗卫星导航系统的单片微波集成功率放大器。该功率放大器基于台湾WIN半导体公司的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管(HBT)器件Q360模型,仿真结果表明,其在1.5—1.7GHz的工作频率范围内,小信号增益稳定在40dB左... 本文设计了一款可应用于我国北斗卫星导航系统的单片微波集成功率放大器。该功率放大器基于台湾WIN半导体公司的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管(HBT)器件Q360模型,仿真结果表明,其在1.5—1.7GHz的工作频率范围内,小信号增益稳定在40dB左右,输入输出反射系数均在-10dB以下,P1dB输出功率为35dBm,大信号功率增益达到36.5dB,效率附加效率(PAE)达到56%,可满足我国北斗系统的常规应用。 展开更多
关键词 北斗卫星导航系统 功率放大器 lnGaP gaashbt 小信号增益 P1dB输出功率
下载PDF
High Performance SLED Fabricated by Pulsed Anodic Oxidation
13
作者 高欣 薄报学 +2 位作者 张晶 李辉 曲轶 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS 2009年第1期47-51,共5页
InGaAs/AlGaAs MQW superluminescent LED(SLED) is fabricated by using pulsed anodic oxidation and molecular beam epitaxy(MBE).The power and spectral output characteristics of three kinds of device structures are investi... InGaAs/AlGaAs MQW superluminescent LED(SLED) is fabricated by using pulsed anodic oxidation and molecular beam epitaxy(MBE).The power and spectral output characteristics of three kinds of device structures are investigated.An output power above 10 mW with FWHM of 18 nm is demonstrated at a current of 150 mA. 展开更多
关键词 脉冲阳极氧化 高性能材料 超辐射发光二极管 algaas 输出功率 分子束外延 MBE技术 多量子阱
下载PDF
MACOM携5G新品亮相EDICON China 2019
14
《中国集成电路》 2019年第5期3-3,共1页
日前,MACOM在北京举办的2019电子设计创新大会(EDI CON China)展示了丰富的高性能射频产品组合,包括行业领先的MMIC、二极管、AlGaAs开关、功率放大器、前端模块和氮化镓器件,以及适用于5G连接、无线基站、雷达、测试和测量及工业、科... 日前,MACOM在北京举办的2019电子设计创新大会(EDI CON China)展示了丰富的高性能射频产品组合,包括行业领先的MMIC、二极管、AlGaAs开关、功率放大器、前端模块和氮化镓器件,以及适用于5G连接、无线基站、雷达、测试和测量及工业、科学和医疗(ISM)射频应用的全新产品解决方案。MACOM公司无线产品中心资深总监成钢先生,射频和微波解决方案销售总监孟爱国先生接受了本刊编辑的采访。 展开更多
关键词 5G algaas 产品组合 功率放大器 设计创新 MMIC 前端模块 无线基站
下载PDF
应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器(英文) 被引量:1
15
作者 毕晓君 张海英 +1 位作者 陈立强 黄清华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1868-1872,共5页
报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级间匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mm×0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、... 报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级间匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mm×0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、低功率模式下,PAE分别为43%和16%,增益达到了28.5以及24dB.当输入QPSK调制信号时,在低输出功率以及高输出功率状态下,1.6MHz/3.2MHz中心频偏处,ACPR分别低于-45dBc/-56dBc和-39dBc/-50dBc.本芯片尺寸小,电压稳定性高,性能优越,为低成本化的大规模生产提供了可能性. 展开更多
关键词 TD-SCDMA 功率放大器 INGAP/gaashbt 功率附加效率 邻近信道功率抑制比
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部