用于GaAs功率MESFET的新型钝化膜

用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明，AlN钝化的器件性能较好，它是一种很有前途的GaAs钝化材料。

两种功率MESFET的I_(ds)模型的比较及修正

通过对两种常用FET的Ids与偏置之间函数关系模型比较 ,且根据实际中存在的问题 ,对这两种模型进行了修正 ,通过比较 ,确定了其中的一种修正方法是最为精确的 ,用修正的模型作为实际电路的模型。

功率MESFET大信号非线性等效电路的谐波平衡分析

利用谐波平衡 (HB)分析方法 ,对微波大功率MESFET管芯进行了输入、输出匹配电路设计。首先讨论了对非线性MESFET等效电路网络进行非线性与线性网络的划分方法。然后 ,利用所建立的GaAsMESFET非线性等效电路模型 ,描述了电路匹配设计的方法、步骤及计算结果 ,并且将计算结果与测量结果进行比较。结果表明方法是成功的 ,具有非常重要的工程意义 ,为微波功率GaAsMESFET的实用化奠定了技术基础。

Digi-Key现在库存Cree的SiC RF功率MESFET

日前，电子组件经销商Digi-Key Corporation与宽禁带晶体管及射频集成电路（RFIC）的领先者Cree．Inc．（Nasdaq股市代号：CREE）共同宣布。Digi-Key现在库存并准备发运Cree的碳化硅（SiC）金属半导体场效应晶体管（MESFET）。

GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型

GaAsMESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下,由于自热效应,在很短的时间内(100μs数量级),芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化,这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的。本文通过建立、求解热扩散方程及能量平衡方程,建立起沟道温度的一维瞬态热模型。

4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态。