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AlGaAs/InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果
被引量:
4
1
作者
陈效建
刘军
郑雪帆
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
1995年第2期133-141,共9页
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、...
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。
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关键词
功率phemt
CAD
异质结
双平面掺杂
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职称材料
Ku波段10W功率PHEMT
2
作者
陈堂胜
杨立杰
+2 位作者
周焕文
李拂晓
陈效建
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期42-44,50,共4页
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 ...
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。
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关键词
KU波段
功率phemt
内匹配
赝配高电子迁移率晶体管
固态
功率
放大器
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职称材料
紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
被引量:
1
3
作者
王闯
钱蓉
孙晓玮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期1094-1097,共4页
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21~28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,...
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21~28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.
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关键词
功率phemt
MMIC
功率
放大器
全芯片级电磁场仿真
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职称材料
题名
AlGaAs/InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果
被引量:
4
1
作者
陈效建
刘军
郑雪帆
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
1995年第2期133-141,共9页
文摘
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。
关键词
功率phemt
CAD
异质结
双平面掺杂
Keywords
Power
phemt
CAD
AlGaAs/InGaAs
Heterojunction
Double-δ-Doping
Poisson-Schroedinger Equation Solver
Optimization
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ku波段10W功率PHEMT
2
作者
陈堂胜
杨立杰
周焕文
李拂晓
陈效建
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期42-44,50,共4页
文摘
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。
关键词
KU波段
功率phemt
内匹配
赝配高电子迁移率晶体管
固态
功率
放大器
Keywords
internally matching
high power
power
phemt
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
被引量:
1
3
作者
王闯
钱蓉
孙晓玮
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期1094-1097,共4页
基金
上海市科委基金(批准号:045115021)
上海市新泰基金资助项目~~
文摘
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21~28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.
关键词
功率phemt
MMIC
功率
放大器
全芯片级电磁场仿真
Keywords
power
phemt
MMIC power amplifier
full layout EM simulation
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaAs/InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果
陈效建
刘军
郑雪帆
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
1995
4
下载PDF
职称材料
2
Ku波段10W功率PHEMT
陈堂胜
杨立杰
周焕文
李拂晓
陈效建
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
下载PDF
职称材料
3
紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
王闯
钱蓉
孙晓玮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
已选择
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