1
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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 |
李泽宏
张磊
谭开洲
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
12
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2
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功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展 |
唐昭焕
杨发顺
马奎
谭开洲
傅兴华
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《微电子学》
CSCD
北大核心
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2017 |
4
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3
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评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型 |
冯筱佳
唐昭焕
杨发顺
马奎
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2020 |
0 |
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4
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大气与真空下功率VDMOS散热特性研究 |
丁凯凯
冯士维
郭春生
刘静
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
3
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5
|
用虚拟制造设计低压功率VDMOS |
夏宇
王纪民
蒋志
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
3
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6
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低压功率VDMOS的结构设计研究 |
王蓉
李德昌
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《电子科技》
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2010 |
2
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7
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功率VDMOS器件的SEB致SEGR效应研究 |
张小林
严晓洁
唐昭焕
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《微电子学》
CAS
北大核心
|
2020 |
2
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8
|
功率VDMOS器件的研究与发展 |
杨法明
杨发顺
张锗源
李绪诚
张荣芬
邓朝勇
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
|
2011 |
9
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|
9
|
功率VDMOS的EMI分析 |
周嵘
陈文梅
李泽宏
包慧萍
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《电子元件与材料》
CAS
CSCD
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2016 |
0 |
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10
|
抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究 |
徐政
吴素贞
徐海铭
廖远宝
吴锦波
彭时秋
赵文彬
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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11
|
低压功率VDMOS的设计研究 |
何怡
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《新技术新工艺》
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2015 |
0 |
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12
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功率VDMOS器件热阻测试 |
单长玲
许允亮
刘琦
田欢
刘金婷
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《机电元件》
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2018 |
0 |
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13
|
高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计 |
李中江
夏俊峰
刘美溶
薛发龙
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1989 |
0 |
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14
|
VDMOS单粒子效应简化电路模型研究 |
徐大为
徐政
吴素贞
陈睿凌
赵小寒
彭宏伟
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《集成电路与嵌入式系统》
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2024 |
0 |
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15
|
星用功率VDMOS器件SEGR效应研究 |
王立新
高博
刘刚
韩郑生
张彦飞
宋李梅
吴海舟
|
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2012 |
3
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16
|
VDMOS功率场效应器件的设计与研制 |
廖太仪
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1990 |
1
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17
|
基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术 |
徐政
郑若成
吴素贞
徐海铭
廖远宝
唐新宇
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《电子与封装》
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2023 |
1
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18
|
关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究 |
张丽
庄奕琪
李小明
姜法明
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《电子器件》
EI
CAS
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2005 |
7
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19
|
VDMOSFET二次击穿效应的研究 |
张丽
庄奕琪
李小明
姜法明
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《现代电子技术》
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2005 |
2
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20
|
低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计 |
白朝辉
刘文辉
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《现代电子技术》
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2007 |
1
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