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反激式电源设计中MOSFET的选择与功耗验证
被引量:
3
1
作者
李华嵩
俞卞章
秦祖荫
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006年第5期107-109,共3页
讨论了反激电源设计的另外一个方面,即MOSFET场效应管的选择和功耗验证,提出了相应的计算公式与验证流程。该思想也可用于其它电路设计中的MOSFET检验。
关键词
电源
功耗/反激式
金属氧化物场效应晶体管
下载PDF
职称材料
题名
反激式电源设计中MOSFET的选择与功耗验证
被引量:
3
1
作者
李华嵩
俞卞章
秦祖荫
机构
西北工业大学
西安交通大学
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006年第5期107-109,共3页
文摘
讨论了反激电源设计的另外一个方面,即MOSFET场效应管的选择和功耗验证,提出了相应的计算公式与验证流程。该思想也可用于其它电路设计中的MOSFET检验。
关键词
电源
功耗/反激式
金属氧化物场效应晶体管
Keywords
power supply
power dissipation / flyback
MOSFET
分类号
TM5 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
反激式电源设计中MOSFET的选择与功耗验证
李华嵩
俞卞章
秦祖荫
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
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