期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
反激式电源设计中MOSFET的选择与功耗验证 被引量:3
1
作者 李华嵩 俞卞章 秦祖荫 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2006年第5期107-109,共3页
讨论了反激电源设计的另外一个方面,即MOSFET场效应管的选择和功耗验证,提出了相应的计算公式与验证流程。该思想也可用于其它电路设计中的MOSFET检验。
关键词 电源 功耗/反激式 金属氧化物场效应晶体管
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部