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AES中S盒的面积、功耗与安全性分析 被引量:1
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作者 韩煜 邹雪城 +1 位作者 刘政林 陈毅成 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期49-52,共4页
研究了高级加密标准(AES)中不同结构S盒实现的面积、功耗与安全性因素,为资源受限和安全性要求高的嵌入式加密应用场合提供了设计参考依据.基于仿真工具和0.25μm,1.8 V工艺库,完成了包括查找表(LUT)、有限域分解(GF(24))、译码交错编码... 研究了高级加密标准(AES)中不同结构S盒实现的面积、功耗与安全性因素,为资源受限和安全性要求高的嵌入式加密应用场合提供了设计参考依据.基于仿真工具和0.25μm,1.8 V工艺库,完成了包括查找表(LUT)、有限域分解(GF(24))、译码交错编码(DSE)等在内的5种S盒结构设计.基于功耗分析攻击,引入了S盒的功耗比率-相关系数积作为安全性指标.仿真结果表明GF结构S盒具有面积小、安全性高等特点,而DSE结构S盒具有极低功耗特性. 展开更多
关键词 信息安全 高级加密标准 S盒 分析攻击 汉明距离 功耗比率-相关系数积
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估计CMOS VLSI芯片的功耗
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作者 严立雄 《微处理机》 1997年第2期8-9,16,共3页
介绍了估计CMOSVLSI芯片的功耗的基本方法和功耗对封装的要求。
关键词 CMOS 能量-延迟 VLSI 封装
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高速低耗BiCMOS OC门及其线与逻辑系统 被引量:7
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作者 成立 朱漪云 +2 位作者 王振宇 刘星桥 祝俊 《江苏大学学报(自然科学版)》 EI CAS 北大核心 2007年第2期156-159,共4页
为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电... 为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电阻RL的计算式;对所设计的4种BiCMOS OC门和一种传统的TTL OC门线与系统进行了仿真试验和硬件电路试验.长工验数据和分析结果表明,所设计的BiCMOS OC门线与系统的电源电压均可为2.6-4.0V,工作速度与TTL OC门线与系统相接近,在60 MHz测试条件下它们的功耗比TTL OC门减少4.77-5.68 mW,且它们的延迟-功耗积平均降低了45.5%. 展开更多
关键词 数字系统 双极互补金属氧化物半导体 开集门 线与逻辑系统 延迟-
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三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门 被引量:5
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作者 成立 王振宇 +1 位作者 张兵 武小红 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期166-170,共5页
采用0.35μm BiCMOS工艺技术,设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路,并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明.所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V,工作速度比常用的CMOS三态门快... 采用0.35μm BiCMOS工艺技术,设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路,并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明.所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V,工作速度比常用的CMOS三态门快约5倍。功耗在60MHz下仅高出约2.2~3.7mW.而延迟一功耗积却比该常用的CMOS三态门平均降低了38.1%,因此它们特别适用于低压、高速、低功耗的数字系统。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 双极互补金属氧化物半导体器件 三态逻辑门电路 数字逻辑单元 延迟-
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一种BiCMOS光电耦合隔离放大器的设计 被引量:4
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作者 成立 徐志春 +3 位作者 李俊 刘德林 王振宇 张荣标 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期613-616,644,共5页
设计了一种BiCMOS光隔离放大器,给出了其中两个运算放大器的设计电路。设计过程中只在推拉式输出级配置两个双极型晶体管(BJT),而在电路的其余部分则设置CMOS器件。为了提高放大器的增益线性度和稳定性,光电耦合部分和各运放中都引入了... 设计了一种BiCMOS光隔离放大器,给出了其中两个运算放大器的设计电路。设计过程中只在推拉式输出级配置两个双极型晶体管(BJT),而在电路的其余部分则设置CMOS器件。为了提高放大器的增益线性度和稳定性,光电耦合部分和各运放中都引入了负反馈,并采取了优选元器件参数和提速等措施。实验结果表明所设计光隔离放大器的±3 dB带宽比双极型光隔离放大器ISO100增加了约20 kHz,当电源电压为8.6 V时,时延-功耗积比ISO100降低了约17.7pJ,增益线性度提高到5.5×10-5,因此特别适用于高速通信系统中。 展开更多
关键词 双极互补金属氧化物半导体器件 光电耦合隔离放大器 时延- 高速通信系统
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用于光通信系统的BiCMOS F/V转换器
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作者 成立 张静 +3 位作者 倪雪梅 周洋 张雷 王振宇 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期923-926,934,共5页
设计了一种由3运放A1、A2和A3组成的BiCMOS频率/电压(F/V)转换器,其中A1、A2设计成共源-共源CMOS运放,而低通滤波器(LPF)中的A3采用BiCMOS运放。优选了整个F/V转换器的元器件参数,并采取了提速和降耗等措施。实验结果表明,所设计的转换... 设计了一种由3运放A1、A2和A3组成的BiCMOS频率/电压(F/V)转换器,其中A1、A2设计成共源-共源CMOS运放,而低通滤波器(LPF)中的A3采用BiCMOS运放。优选了整个F/V转换器的元器件参数,并采取了提速和降耗等措施。实验结果表明,所设计的转换器输入至LPF的脉冲信号频率f2与输入信号频率fi相等,且该转换器输出电压平均值Uo与fi成正比;它可在4 Hz≤fi≤10 kHz的范围内工作,其综合性能指标——延迟-功耗积约为1.09 nJ,转换线性度仅为1.7×10-2,因而特别适用于低功耗、高线性度的光纤通信和光电检测系统中。 展开更多
关键词 双极互补金属氧化物半导体 F/V转换器 延迟- 光通信系统
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