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SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术
1
《电子产品世界》
2005年第01A期i004-i004,共1页
英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件,将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的OptiMOS2技术专用于优化要求高效的应用设计的开关性能(例如:大功率密度的直流DC/DC转换器)。
关键词
SuperSo8封装
英飞凌公司
功率转换
OptiMOS2
MOSFET系列器件
功能块结构图
性能特征
下载PDF
职称材料
题名
SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术
1
出处
《电子产品世界》
2005年第01A期i004-i004,共1页
文摘
英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件,将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的OptiMOS2技术专用于优化要求高效的应用设计的开关性能(例如:大功率密度的直流DC/DC转换器)。
关键词
SuperSo8封装
英飞凌公司
功率转换
OptiMOS2
MOSFET系列器件
功能块结构图
性能特征
分类号
TN386.7 [电子电信—物理电子学]
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1
SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术
《电子产品世界》
2005
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