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α粒子加速软失效率测试的稳定性研究 被引量:1
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作者 王娜 何俊明 +2 位作者 刘云海 丁育林 丁佳妮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期88-91,共4页
半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点。资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试。作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳定性进行了系统研究。通过对两... 半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点。资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试。作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳定性进行了系统研究。通过对两种不同制程的静态随机存储器芯片(SRAM)进行α粒子加速软失效率测试,提出了确保α粒子加速测试稳定的方法。基于相同测试条件下多次测量结果变化和测试时间的关系,给出了合理的加速软失效测试的时间推荐值,保证了测试结果的有效性。 展开更多
关键词 Α粒子 软错误 加速软失效率 测试稳定性 临界电荷
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