采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段,引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正,研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的...采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段,引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正,研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的影响,结果表明应力场对二维岛的成核具有决定作用,采用调制应力的方法可以有效控制量子点的自组织生长过程。展开更多
文摘采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段,引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正,研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的影响,结果表明应力场对二维岛的成核具有决定作用,采用调制应力的方法可以有效控制量子点的自组织生长过程。
基金supported by the Science and Engineering Research Council through Grant(152-70-00017)Use of Computing Resources at the A*STAR Computational Resource Centre and National Supercomputer Centre,Singapore