碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式。当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式。其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加,晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式。最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显。

二维完全阻挫XY模型的动力学指数

采用大规模动力学蒙特卡罗模拟方法,对二维完全阻挫XY模型的Kosterlitz-Thouless(KT)型相变展开数值研究.系统从有序初始态出发演化到高于KT相变的温度,以普适的动力学标度形式为基础,通过测量磁化和Binder累积量,得出动力学关联时间和平衡态空间关联长度,确定出更精确的动力学指数z.特别是建议并证实了一种在KT相变温度以上(T>TKT),独立判断动力学指数z的方法.模拟结果表明,动力学指数z≈2,这与在相变温度以下(T<TKT)测量的结果一致.