12-GHz 0.25μmCMOS 1:2动态分频器

基于D触发器的电路结构 ,采用TSMC 0 .2 5 μmCMOS工艺 ,成功地实现了12GHz 1:2动态分频器。经测试 ,该分频器在输入信号频率为 10 .5 3GHz时 ,最小可分频幅度小于 2mV ,输入信号单端幅度小于 30 0mV时 ,可分频范围为 7GHz～ 12GHz。电源电压 3.3V ,核心功耗 2 4mW。

基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz范围内实现二分频。

基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。

动态分频器技术

本文介绍了动态分频器的基本原理；详细叙述了动态分频器电路及其主要工艺技术；综述了国外动态分频器的发展动态。

W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文)

采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.

倍频器、分频器、混频器、变频器、移相器

Y2001-62877-170 0120754—8通道采样速率36G/秒 CMOS 定时分析仪=Aneight channel 36G sample/s CMOS timing analyzer[会.英]/Weinlader,D.& Ho,R//2000 IEEE Interna-tional Solid-State Circuits Conference,Digest.—170～171(EC)