电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主。分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。

三星电子宣布第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器问世

据韩联社报道，三星电子宣布开发出了世界第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器（DRAM）半导体。

1.25VRDIMM：动态随机存取存储器

三星电子推出采用30纳米级企业服务器1．25V16GBDDR3RDIMM（RegisteredDualInlineMemoryModule）产品。

面向高性能众核处理器的超频DDR4访存结构设计

从高性能众核处理器的多路DDR4嵌入式工程应用出发,设计一种高密度DDR4串推互连结构,提出一种基于不同激励码型的仿真分析方法。采用双面盲孔印制板工艺折叠串推访存结构设计,解决地址组信号概率性出错问题。在压力测试环境下实测读/写信号波形良好,支持信号超频可靠传输,标称2666 Mbps的DDR4存储颗粒可以在3000 Mbps速率下长时间稳定运行。已在神威E级原型机等多台套大型计算装备研发中得到规模化推广应用,产生了良好的技术效益。

光域存储技术及其应用最新研究进展(本期优秀论文)

光域存储能够为光信号提供光域内的存储而不需经过光-电-光的变换,光域存储技术及基于光域存储的各种全光处理器件成为研究的热点。对准光存储、利用光波导介质和色散介质实现的光域存储技术近两年的最新发展及应用做了论述。

基于原子层沉积的高介电常数材料在DRAM中的应用

叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high-κ材料具备更优的热力学和电学性能。基于材料物性、工艺设备等局限,仍然存在较多难题,如保证薄膜完全均匀生长、优化掺杂量、抵抗掺杂后的载流子迁移率下降等。

大数据中心固态存储技术研究

比较SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)、闪存、磁盘和磁带等存储技术的性能,描述存储器层次结构,分析大数据中心云存储系统部署固态硬盘需克服的限制条件及两种用于遏制写入放大的技术,列举RAMCloud和Memcached两大实例,说明一致性散列算法的原理和应用。

SDRAM存储器的交错机制及其应用

在分析SDRAM（同步动态随即存取存储器）存储器的结构和访问时序的基础上，介绍了SDRAM的交错机制，并分析了交错机制对SDRAM访问性能的影响。通过对基于页的交错和基于体的交错方式的对比分析，得出基于页的交错方式具有更好的访问性能的结论，并通过实际测试证明了这一结论。测试结果表明，在相同的硬件条件下，采用基于页的交错方式比基于体的交错方式提高4％～5％的性能。

美国研发出加密硬件可以确保非易失性存储器应用安全

采用非易失性主存储器（NVMM）为主存的计算机会大大减少计算机的开机时间，提升存储能力，而且非易失性存储器在断电后仍能存储数据，因此拥有巨大的应用潜力。但是，NVMM即使有切断电源后，存储内容也不会消失仍然继续保持。使用传统动态随机存取存储器（DRAM）为主存的计算机在关闭后无法存储数据，

海力士研发出40纳米级存储器芯片

南韩海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高存储器芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”（DDR3动态随机存取存储器）芯片采用的技术能让互联线相距仅40纳米，细微度是目前产品的1／5。

DRAM存储市场仍无反弹迹象

美国肯沃公司（Converge）日前表示，目前尚无迹象显示，在DRAM（动态随机存取存储器）的价格今年9月创下新低后市场会出现反弹。肯沃公司是全球最大的电子元器件、计算机产品和网络设备独立分销商之一。

ISMB:多核系统中利用Bank分区实现共享库隔离

动态随机存取存储器DRAM一直以来以其低功耗、高性价比和良好的扩展性等优点作为计算机内存的最佳选择。为了提高内存的访问速度,DRAM中的每个Bank都有一个行缓冲区,它可以有效地提升局部性良好的应用程序的性能。然而在多核系统中,DRAM被系统中的所有Core共享,因此对内存的并发访问会导致Bank行缓冲区冲突问题的产生,从而导致内存访问延迟的增大。共享库作为一种共享资源,使Bank行缓冲区冲突问题更加严重。虽然目前有一些基于DRAM Bank分区技术的解决方案可以有效缓解由进程访问私有内存导致的Bank行缓冲区冲突问题,但是这些解决方案无法解决访问共享库引起的Bank行缓冲区冲突问题。该文提出了一种在多核系统中利用Bank分区实现共享库隔离的方案(ISMB)。ISMB使运行在同一个Core上的进程只能访问属于该Core的共享库的副本,因此ISMB消除了共享库导致的Bank行缓冲区冲突问题。对比实验结果表明,ISMB能够有效地提升系统隔离性能,在使用ISMB的情况下,SPEC CPU2006基准测试程序的减速率最大可降低26.3%。

DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势

介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。

高速DSP与SDRAM之间信号传输延时的分析及应用

在高速数字电路设计中,信号在印刷电路板(PCB)上的传输延时对于电路的时序影响已不容忽视。详细分析并推导了高速数字信号处理器(DSP)与同步动态随机存取存储器(SDRAM)之间各信号的传输延时约束关系;通过一个实例,给出了应用约束条件的具体方法。

用FPGA实现嵌入式视频图像信号实时采集

提出了一种基于FPGA的嵌入式视频图像信号实时采集系统,采用SAA7111A对信号进行A/D变换,并用FPGA与SDRAM实现大容量的双帧缓存。详细说明双口存储器、有限状态机的实现及隔行扫描到逐行扫描的转换、乒乓互锁工作机制等。本系统可用在安全监控、工业图像检测、机器视觉等领域。

应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究

BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。

i.MX:创建无线通信持久的性能

概述 第三代移动业务正在将宽带接入到每个人的身边,无线通信接入和处理能力正在与日俱增.然而,移动系统有其特定的弱点-电源问题.不管移动系统变得多么强大,它们所能执行工作的数量都会受制于所使用电池的寿命.这就是低功率消耗与移动通信设备的速度和效率同样重要的原因.

可配置及历史信息感知的多级缓存策略

传统磁盘存储设备因其固有的机械特性,已不能满足当前的数据密集型应用程序的需求。基于闪存的固态存储设备(solid state drive,SSD)的出现改善了这种情况,并被广泛用作缓存以降低内存与磁盘之间的性能差距。针对由DRAM和SSD构成的多级缓存,提出了一种可配置的历史信息感知的多级缓存替换策略Charm.Charm允许用户配置应用的访问模式、读写模式等多项内容,并且还可以根据应用对文件的历史访问信息来判断访问模式,从而能够适应访问模式的变化.此外,Charm过滤掉那些只访问一次的数据,将多次访问的热数据缓存至SSD,减少对SSD的写入次数,提升SSD寿命.使用MCsim对Charm与现有的多级缓存替换算法进行了对比测试,在实际的工作负载下,Charm优于其它多级缓存算法.

优化内存系统能效的DRAM架构研究综述

介绍了不同层次优化内存系统能效研究的现状,对通过修改动态随机存取存储器(DRAM)架构优化内存系统能效的研究进行了详细论述。概述了通过修改内存控制器和操作系统实现的高能效DRAM系统的研究。着重介绍了通过修改DRAM架构实现内存系统能效优化的研究,并将这些研究分为"低延迟的DRAM架构"和"低功耗的DRAM架构"两大类进行介绍,其中低延迟架构的研究包括优化关键操作、降低平均访存延迟以及提升请求并发度等3个方面;低功耗的架构研究包括细粒度激活、低功耗与低频率芯片、优化写操作、优化刷新操作以及多粒度访存等5个方面。最后给出了关于修改DRAM架构实现内存能效优化的总结和展望。