量子阱在沿其平面方向偏振太赫兹波驱动下子带间光吸收(英文)

利用半导体布洛赫方程,讨论了量子阱在沿其平面方向偏振的太赫兹场驱动下的光学吸收谱。研究结果揭示了半导体量子阱在沿平面方向偏振的强太赫兹场驱动下吸收谱的一些新奇效应,如主吸收的太赫兹边带、动态弗兰兹-凯尔迪什效应。太赫兹场的频率及其相位对探测场吸收谱的影响也很显著。

单晶硅材料电致双折射的研究

首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5.

(HgCd)Te探测器-光吸收系数控制器组件的实验研究

(HgCd)Te探测器具有较为明显的弗兰兹 凯尔迪什效应 ,且其弗兰兹凯尔迪什效应有效强度的强弱与(HgCd)Te探测器的外加偏压有关。据此制作了 (HgCd)Te探测器的光吸收系数控制器 ,并用 (HgCd)Te探测器和光吸收系数控制器组成一个组件 ,实验证明了该组件既能提高输出信号 ,又能实现强光保护 ,这在实际应用中具有一定的价值。