BIM技术在大型湿法冶炼厂防腐蚀衬胶管道施工中的应用

某6万吨/年镍电解大型湿法冶炼项目的衬胶管道的施工存在涉及专业多、管线密集、系统复杂,工程量大等难点。基于此,介绍了BIM技术及其在大型湿法冶炼厂防腐蚀衬胶管道施工中的应用,结果表明,应用该技术可以实现工程建设的高效、安全和优质。

超声技术在硅湿法腐蚀中的应用

为了获得平滑的硅湿法腐蚀表面，在硅湿法腐蚀中引入超声技术。对超声湿法腐蚀系统进行了改进，以确保腐蚀溶液的顶部和底部温差在0．5℃之内。采用60℃，10％质量分数的KOH溶液，在超声频率为59kHz，超声功率为60～180w（间隔10W）条件下对（100）硅片进行湿法腐蚀。最后，运用激光共聚焦扫描显微镜（LSCM）对腐蚀后硅片表面粗糙度进行测量，并探讨超声参数的选择对腐蚀表面质量的影响。实验结果表明：超声功率在120W时，可以获得平滑的腐蚀表面，表面粗糙度Rq值为0．020um。在湿法腐蚀系统中采用超声技术，可以明显改善腐蚀表面质量，在较低温度和较低浓度的KOH溶液中，选择合适的超声参数可获得高品质的腐蚀表面。

湿法混炼技术制备环烷油增塑天然橡胶/白炭黑复合材料的性能

使用优选的乳化剂对增塑剂环烷油(NAP)进行乳化,制得均一稳定的NAP乳化液,采用湿法混炼技术,使用所得的NAP乳化液与天然胶乳和白炭黑(SiO_(2))浆液制备了NAP增塑的天然橡胶(NR)/SiO_(2)(NAP/NR/SiO_(2))复合材料,研究了NAP添加量对NAP/NR/SiO_(2)复合材料门尼黏度、物理机械性能、动态力学性能、SiO_(2)分散性、耐热空气老化性能和屈挠龟裂性能的影响。结果表明,NAP/NR/SiO_(2)复合材料的门尼黏度较NR/SiO_(2)复合材料显著降低,Payne效应明显减弱,而动态力学性能和加工性能则明显提升;NAP添加量为10份(质量)时,NAP/NR/SiO_(2)复合材料的综合性能达到最佳,其拉伸强度与NR/SiO_(2)复合材料相比略微下降,而扯断伸长率则有不同程度的上升;加入NAP后,NR/SiO_(2)复合材料的耐热空气老化性能和屈挠龟裂性能得到了改善。

燃煤电厂湿法脱硫中的腐蚀环境和防腐技术

简述燃煤电厂烟气石灰石湿法脱硫工艺(FGD)中主要腐蚀环境和国内外FGD工艺中使用的主要防腐方法如衬胶、涂鳞及使用不锈钢等,介绍这些方法的特点、发展现状及应用情况.另外,为FGD防腐国产化方向提出看法.

湿法磷酸生产装置腐蚀防护技术

分析讨论了湿法磷酸生产装置的腐蚀防护技术 。

高功率垂直腔面发射激光器的湿法腐蚀工艺

为提高高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)光电性能,对氧化限制型高功率VCSEL湿法腐蚀工艺进行了实验研究。实验中采用H3PO4系溶液替代以往制备此类器件常用的H2SO4系溶液作为高功率VCSEL外延片的腐蚀液,利用扫描电镜(SEM)研究了腐蚀后外延片氧化窗口的腐蚀形貌变化与腐蚀液浓度的关系,消除了以往采用H2SO4系溶液腐蚀时,高功率VCSEL氧化层侧壁出现的"燕尾"结构;通过改变湿法腐蚀工艺的外部温度条件和腐蚀液的浓度配比,实验研究了高功率VCSEL湿法腐蚀速率规律,最后得出了制备高功率VCSEL时湿法腐蚀工艺的最佳外部温度条件与腐蚀液的最佳浓度配比。

单晶硅各向异性湿法腐蚀机理的研究进展

介绍了硅各向异性腐蚀的含义、特点、用途以及常用的腐蚀剂等基本要素 ;着重论述了试图解释硅各向异性腐蚀行为的几种典型机理 。

Si(111)湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究

运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (ATR-FTIR) ,研究了 Si(1 1 1 )在不同比例的 NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子 ,表明在较低的 PH值的NH4F-HCl溶液中腐蚀的 Si(1 1 1 )表面粗糙度较大 ,与通过扫描隧道显微镜 (STM)

晶圆级封装中硅基盖帽的湿法腐蚀工艺

对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si〈100〉衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对腐蚀速率和形貌的影响。针对深腐蚀中掩膜易脱落的缺点,提出了一种先用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积SiO2介质层,再用磁控溅射生长CrAu金属层的方法,SiO2介质层和CrAu金属层作为双层掩膜。研究结果表明:硅的腐蚀速率随温度的增加呈指数增加,在饱和NaOH溶液中腐蚀速率最快,腐蚀速率可达15μm/min。最终腐蚀出表面平整、界面清晰的硅基盖帽,盖帽空间面积为2 cm×2 cm,深度超过100μm,复合掩膜层没有开裂、脱落现象,具有优异的抗腐蚀性。该腐蚀工艺对红外焦平面阵列(IRFPA)探测器晶圆级封装具有重要的应用价值。

湿法冶金设备的防腐蚀设计及防腐蚀管理

针对金川公司湿法冶金设备在运行过程中因环境介质造成的腐蚀,为防止设备的破坏,延长其使用寿命,保障企业生产正常。结合金川集团股份有限公司生产工艺条件、环境介质、使用效果等,借鉴多年在湿法冶金方面从事防腐蚀工作的实践经验,阐述了设备防腐蚀防护技术中的选材、设计、工艺及全寿命周期管理等方面的要求和作法。

深硅杯湿法腐蚀中金属保护工艺研究

提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成所有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护时间,在TMAH湿法腐蚀工艺条件下掩膜能够坚持6h,且成功实现了对硅280μm的深刻蚀。新工艺与IC工艺兼容,简单可靠,也能进行圆片级批量腐蚀。

HCl/HF/CrO_3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备

利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0.28As0.6P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析.

基于遥感图像掩膜法的厦门市景观分类与动态变化研究

选取厦门市这一典型快速城市化地区,基于2001年、2003年和2006年TM遥感数据,运用掩膜法研究厦门是景观分类和动态变化。研究结果表明:每期图像的Kappa指数都达到0.75以上,能较好地满足研究要求;研究期间厦门海岛型战略向海湾型战略转变中,快速城市化过程对景观产生剧烈改造作用。景观变化动态可以反映出整个港湾地区的空间拓展与厦门海湾型战略及新一轮城市总体规划的空间布局渐趋一致。

湿法脱硫烟囱防腐技术及方案研究

当前普遍采用的湿法脱硫不加装烟气加热系统(GGH)工艺,使排入烟囱的烟气温度在50℃左右,湿烟气在烟囱内结露形成冷凝酸液,对烟囱的腐蚀性大大加强,目前正在运行湿法脱硫(FGD)烟囱内壁严重腐蚀的问题已经暴露出来,为了解决湿烟囱的防腐问题,必须寻求一种耐酸防腐、满足结构要求、同时又经济适用的烟囱型式,玻璃钢烟囱内筒为我们提供了一种较好的选择。

基于湿法烟气脱硫装置的防腐材料技术

文章主要研究基于湿法烟气脱硫装置的防腐材料技术,通过对湿法烟气脱硫技术概况进行概述,以具有典型性,应用较为广泛的石灰石/石膏法脱硫技术为例,详细探讨了湿法烟气脱硫装置的防腐机理、腐蚀介质及环境,同时对湿法烟气脱硫装置防腐材料的选择进行了分析。

PYREX7740玻璃湿法刻蚀研究

玻璃腐蚀工艺是MEMS工艺的重要方面。本文对PYREX 7740玻璃湿法刻蚀进行研究,提出了利用铬膜和光刻胶作为掩膜,进行一次光刻、多次坚膜、多次腐蚀的工艺方法。该方法可以使掩膜耐蚀时间达到200多分钟,且能腐蚀出表面平整、线条清晰的十多微米的深槽。实验还得出玻璃的腐蚀速率和温度的关系以及光刻胶的耐蚀时间和温度之间的关系。

应用于MOEMS器件的K9玻璃湿法刻蚀工艺的研究

介绍了以K9玻璃为基体材料MOEMS器件的湿法刻蚀工艺。选择了光刻胶,铬,氮化硅,ITO等多种材料作为基底材料抗腐蚀的掩膜,利用多种不同成分的刻蚀剂进行了对比刻蚀试验,研究了刻蚀环境温度对保护膜的影响。对比与分析了多种试验结果并对其适用范围进行了适当的评价。

关于烟气脱硫对烟囱腐蚀及防腐技术探讨

1概述 大唐淮北发电厂8号机组1×22MW发电机组脱硫系统采用石灰石——石膏湿法脱硫工艺，脱硫剂为石灰石（CaCO3），吸收塔采用单回路喷淋空塔。配置升压风机，烟气通过升压风机进入GGH（烟气换热器）冷却后进入吸收塔，经过除雾器完成了雾滴和气体的分离后，

烟气脱硫防腐蚀技术相关专利

烟气脱硫过程中防止酸露点腐蚀的方法；防止烟气渗透腐蚀的带外套筒烟囱；一种防止湿法烟气脱硫后烟气结露腐蚀的方法；防止烟气渗透腐蚀的烟囱及其方法；旋涡式。

Pyrex7740玻璃通孔湿法腐蚀技术研究

本文研究报道了Pyrex7740玻璃湿法腐蚀通孔技术。将四寸硅玻璃键合圆片的玻璃衬底减薄,并在玻璃上分别制备PECVD SiC、W/Au和PECVD多晶硅三种不同掩膜及其开口,最终利用40%HF腐蚀实现玻璃通孔。整个工艺过程与IC工艺兼容,并可进行圆片级批量加工。观察并研究纵向和横向腐蚀过程和通孔形貌,对比三种不同腐蚀掩膜掩蔽效果。本文研究结果为圆片级密封封装及其它MEMS器件奠定了基础。