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题名如何使用新一代IGBT7设计下一代变频器
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作者
沈嵩
林彦饪
赵恺
周利伟
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机构
英飞凌科技(中国)有限公司
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出处
《变频器世界》
2021年第6期78-82,共5页
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文摘
随着变频器的应用领域的不断扩展,以及电机的矢量控制技术的成熟,新一代的变频器设计,对于功率密度提出了更高的要求,希望变频器在相同的功率密度下体积更小、系统成本更优。而如何满足下一代的变频器的功率密度的需求,新一代的微沟槽技术的IGBT7给出了答案。本文结合了新一代IGBT7主要的技术特点,阐述了如何采用新一代IGBT7进行变频器的设计,及其相关的系统设计考虑,例如动态调整开关频率、系统热容影响等,并依据仿真给出了11kW以下的变频器的IGBT7的模块选型,与目前主流的IGBT4对比,展现了IGBT7用于变频器设计,可以获得更高的功率密度。
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关键词
变频器
IGBT7
微沟槽技术
动态调整开关频率
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Keywords
Drive
IGBT7
MPT
Dynamic switching frequency control
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分类号
TN773
[电子电信—电路与系统]
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