外部高速缓存与非易失内存结合的混合内存体系结构特性评测

以非易失性存储器(NVM)作为主存且以动态随机存取存储器(DRAM)作为片外高速缓存(EC),是一种可以满足大数据应用内存容量需求的新型混合内存结构(ECNVM)。该结构同时具有NVM的大存储容量和DRAM的低存取延迟的优点。传统的结构是以片内SRAM作为片内高速缓存(IC)且以DRAM作为主存(IC-DRAM)。与ICDRAM相比,EC-NVM在容量比、延迟比方面均有显著不同,导致在IC-DRAM场景下的设计方法和优化策略直接迁移到EC-NVM上未必有良好的效果。本文评测了 EC-NVM的体系结构特性(包括高速缓存粒度、关联度、替换算法、预取算法等),获得了指导ECNVM结构的设计和优化的一系列发现。

DRAM存储市场仍无反弹迹象

美国肯沃公司（Converge）日前表示，目前尚无迹象显示，在DRAM（动态随机存取存储器）的价格今年9月创下新低后市场会出现反弹。肯沃公司是全球最大的电子元器件、计算机产品和网络设备独立分销商之一。

DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势

介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。

动态随机存储器的故障溯源

多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,D R A M设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为D R A M器件设计中至关重要的一个考虑因素。

大数据中心固态存储技术研究

比较SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)、闪存、磁盘和磁带等存储技术的性能,描述存储器层次结构,分析大数据中心云存储系统部署固态硬盘需克服的限制条件及两种用于遏制写入放大的技术,列举RAMCloud和Memcached两大实例,说明一致性散列算法的原理和应用。

应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究

BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。

优化内存系统能效的DRAM架构研究综述

介绍了不同层次优化内存系统能效研究的现状,对通过修改动态随机存取存储器(DRAM)架构优化内存系统能效的研究进行了详细论述。概述了通过修改内存控制器和操作系统实现的高能效DRAM系统的研究。着重介绍了通过修改DRAM架构实现内存系统能效优化的研究,并将这些研究分为"低延迟的DRAM架构"和"低功耗的DRAM架构"两大类进行介绍,其中低延迟架构的研究包括优化关键操作、降低平均访存延迟以及提升请求并发度等3个方面;低功耗的架构研究包括细粒度激活、低功耗与低频率芯片、优化写操作、优化刷新操作以及多粒度访存等5个方面。最后给出了关于修改DRAM架构实现内存能效优化的总结和展望。

全球DRAM销售额将大幅减少

据美国数据调查公司近日公布的一项预测结果显示，今年全世界计算机用动态随机存取存储器(DRAM)的销售额将达到140亿美元，比去年下降55．5％。该公司指出，今年的行情与1985年较为相似，1985年的全世界DRAM的销售额曾经下降了55．1％。目前，需求急剧减少，库存大量增加，在过去1年里，DRAM的价格下跌了约80％。主流产品128MB存储器的现货市场价格已跌至2美元以下，几乎所有的生产厂家都陷入了亏本经营状态。数据调查公司预测，这种亏损经营状况将会一直持续到明年。

快速DRAM的进展及供应

动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）面临的挑战是如何提供处理器所要求的快速存取时间而又仍然能保持其位密度和价格上的优势。ＰｅｎｔｉｕｍＩ运行于１００ＭＨｚ的局部总线速率，代表了当前处理器技术的水平。Ｉｎｔｅｌ公司发表ＰＣ１００标准就是为了保证Ｐｅｎｔｉｕｍ...

奇梦达携手Advantest共同开发GDDR5测试解决方案

奇梦达公司宣布与Advantest公司携手开发GDDR5（显示双数据速率5）测试硬件。此次合作旨在开发适用于GDDR5图形DRAM（动态随机存取存储器）的大容量测试解决方案。

美光收购尔必达内存行业的悲和喜

DRAM（动态随机存取存储器）市场已经低迷了很久，相关厂商哀鸿遍野。美光对尔必达伸出橄榄枝这件事情，在业界看来，对美光未必是一笔好交易，但对于整个DRAM行业却是一剂提神药。那么它对行业会产生什么影响呢？

存储器市场恢复但前景不旺

2009年1季度DRAM（动态随机存取存储器）和NAND（与非门）闪存储全球销售均下降14．3％，可望于第2季度增长3％，3季度和4季度分别有22％和17．5％的较大增长。但供过于求的情况依然严重，消费生产量无疑会对将来市场产生消极影响。

全球最小的内存

Hyni Semiconductor宣称开发出全球最小最快的512MB动态随机存取存储器DRAM，该芯片可广泛应用在手机、笔记本等移动电子产品上。该产品的运行速度为200MHz，每秒可处理1．6GB数据．约相当于该公司现有移动DRAM产品的1．5倍。

70-nanometer DRAM Process Technology Employing the CVD Method

随着物质生活水平的提高,人们对手机、个人电脑和家用电器的使用功能要求越来越高。为了满足人们的需求,采用高性能的动态随机存取存储器是提高电子产品性能的关键,因此韩国三星公司利用化学汽相沉淀法开发出70纳米级的动态随机存取存储器加工技术。该技术克服了目前采用物理汽相沉淀法加工存储器所存在的缺陷,如晶片表面沉积物分布不均,同时该技术可节约20％的制造成本。

人工智能计算进入存储芯片

约翰·冯·诺依曼她计算机架构(逻辑和内存是两个独立的领域)一直很受欢迎,但一些公司认为是时候做出改变了。近年来,向更多并行处理的转变和神经网络规模的大幅扩大意味着,处理器需要以更快的速度访问内存中的更多数据。然而,“动态随机存取存储器(DRAM)和处理器之间的性能差距比以往任何时候都大。”韩国科学技术院(位于韩国大田市)的3D存储芯片专家、IEEE会士金正浩(Joungho Kim)说。冯·诺依曼架构已变成冯·诺依曼瓶颈。

两大半导体巨头20亿美元在华建厂

昨日，两大半导体制造商——意法半导体和韩国现代半导体，在华投资20亿美元（人民币约158亿元）的合资工厂正式投入运营。该工厂位于江苏省无锡市，将生产NAND闪存和DRAM（动态随机存取存储器）内存。这将加快上述两家半导体抢占更多中国市场。

中国“芯”税力量

2020年5月,合肥长鑫存储技术有限公司(以下简称"长鑫存储")自主研发的DDR4内存芯片产品正式在官方网站上线售卖,实现了中国企业在动态随机存取存储器(DRAM)市场从0到1的突破,打破了长期以来三星电子、SK海力士和美光科技(MU)三家寡头企业占据着DRAM全球市场95%的封锁。