基于功放记忆效应的动态X参数模型的研究

为了更加准确地表征功放的记忆效应,提出了一种新的动态X参数功放模型。该模型是对动态X参数模型的一种改进,利用FF(feed-forward)模型技术提取出表征功放记忆效应的核函数,并将其用于代替X参数表达式中的非线性函数。X参数表达式中的静态部分仍采用PHD(poly harmonic distortion)模型的非线性函数,并将动态部分进行合理的简化。相比传统的动态X参数建模方案,所提模型不仅仿真精度高,而且仿真速度快。经仿真测试NPT1004功放的数据,利用所提出的新的动态X参数模型对功放建模,结果证明了本模型仿真功放的ACPR(adjacent channel power ratio)的误差减小了3 d B,从而验证了该模型的可行性,对今后利用动态X参数对功放的建模具有参考价值。

基于新型二维核函数动态X参数的功放建模

为了更准确地描述带有记忆效应的射频(RF)功放特性,基于传统的动态X参数模型,结合功放长期记忆效应以及短期记忆效应机理,提出一种新型动态X参数功放建模方法。新模型保留X参数模型的静态核函数,利用双记忆路径模型提取出表征记忆效应的非线性函数,替换动态核函数。采用输出信号为幅度与频率双变量的新型反馈(FB)结构,引入时变频率变量而简化动态核函数为二维核函数。使用MW6S010N设计功放并建模,由仿真可知,新模型在单音大信号及码分多址(CDMA)信号激励下,均能正确表征功放特性,归一化均方误差(NMSE)较静态X参数模型、传统动态X参数模型以及前馈(FF)结构X参数模型分别减少8.0 d B、6.3 d B、2.5 d B。结果表明该模型能够更加准确拟合带有非线性记忆效应功率放大器的特性。

射频微波功放器件非线性记忆效应测量与行为建模技术的新进展

将综述具有记忆效应的射频微波功放器件非线性表征、测量和行为建模的最新进展。首先通过比较连续波和脉冲射频大信号测量实例,揭示自热与电器记忆效应对射频微波功放器件性能的影响。然后介绍如何将X参数行为模型扩展到考虑了射频微波器件强非线性及长期记忆效应的动态X参数行为模型理论、实验方案和模型记忆核辨识实例。最后展望了非线性长期记忆效应测量与行为建模技术的未来发展研究方向。