低能电子与H_2分子碰撞振动激发动量迁移散射截面的研究

采用振动密耦合方法及基于量子力学从头计算的静电势、交换势和相关极化势,研究了低能电子与H2分子碰撞振动激发的动量迁移散射截面.通过包含18个振动波函数、8个分波和16个分子对称性,得到了收敛性很好的ν=0→ν′=0,1,2,3,4等几个振动跃迁通道的动量迁移散射截面值,并在入射电子能量1eV<E≤10eV时给出了比以前的理论研究更为合理的总的动量迁移散射截面.

运用球高斯分布极化势研究低能电子与H_2分子碰撞的振动激发动量迁移散射截面

用最近改进的球高斯分布(distributed spherical Gaussian,DSG)极化势模型,在振动密耦合框架下和基于量子力学从头计算的静电势、交换势的基础上,研究了低能电子与H2分子碰撞振动激发的动量迁移散射截面(momentumtransfer cross section,MTCS).通过包含18个振动波函数、5个分波和16个分子对称性,得到了0<E≤10eV时收敛性很好的ν=0→ν′=0,1,2,3等几个振动跃迁通道和总的MTCS,并与其他实验和理论得到的值进行了比较和分析.