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利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的势垒转变区的宽度
被引量:
2
1
作者
毛凌锋
谭长华
许铭真
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期228-233,共6页
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程 ,发现 FN电流公式中的 B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度 ,而 C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度 .给出了一种利用 WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程 ,并得到一个 FN电流的分析表达式 ...
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程 ,发现 FN电流公式中的 B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度 ,而 C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度 .给出了一种利用 WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程 ,并得到一个 FN电流的分析表达式 .它可用来估计薄栅 MOS结构的栅氧化层的势垒转变区的宽度 .在转变区的宽度小于 1nm时 ,它与数值求解薛定谔方程的结果吻合得很好 ,表明该方法可以用来估计势垒转变区的宽度 .实验的结果表明 B因子随温度有较大的变化 。
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关键词
FN电流
MOS结构
栅氧化层
薄栅
势垒转变区
下载PDF
职称材料
题名
利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的势垒转变区的宽度
被引量:
2
1
作者
毛凌锋
谭长华
许铭真
机构
北京大学微电子所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期228-233,共6页
文摘
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程 ,发现 FN电流公式中的 B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度 ,而 C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度 .给出了一种利用 WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程 ,并得到一个 FN电流的分析表达式 .它可用来估计薄栅 MOS结构的栅氧化层的势垒转变区的宽度 .在转变区的宽度小于 1nm时 ,它与数值求解薛定谔方程的结果吻合得很好 ,表明该方法可以用来估计势垒转变区的宽度 .实验的结果表明 B因子随温度有较大的变化 。
关键词
FN电流
MOS结构
栅氧化层
薄栅
势垒转变区
Keywords
FN current
MOS structure
gate oxide
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的势垒转变区的宽度
毛凌锋
谭长华
许铭真
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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