温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ 附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 层的应变可能是反转温度变低的原因．

采用CMOS N势阱层的低成本红外微测辐射热计焦平面列阵

1引言 非致冷红外探测器由于与光子探测器相比具有成本低、重量轻、功率小、光谱响应宽和工作寿命长的优点,最近已受到了红外成像应用界的广泛关注.为了实现低成本的红外探测器列阵,人们一般都倾向于以单片方式使这些探测器同CMOS读出电子部件形成一体,而这些探测器与读出电子部件的合并通常是用后CMOS表面或块体微切削加工技术来完成的.