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包裹沉淀法制备Ni/YSZ阳极材料及性能研究 被引量:3
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作者 王凤华 郭瑞松 +2 位作者 周阳 魏楸桐 李海龙 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2004年第1期38-40,34,共4页
采用共沉淀法在NiO表面均匀地包裹了一层无定形氢氧化锆。在600℃和800℃下煅烧,YSZ包裹层结晶得到20nm左右的立方ZrO2。Ni/YSZ阳极材料主要的微观结构的变化是金属Ni的团聚和粗化。在NiO表面的YSZ层,有效地抑制了Ni的烧结,并防止了Ni... 采用共沉淀法在NiO表面均匀地包裹了一层无定形氢氧化锆。在600℃和800℃下煅烧,YSZ包裹层结晶得到20nm左右的立方ZrO2。Ni/YSZ阳极材料主要的微观结构的变化是金属Ni的团聚和粗化。在NiO表面的YSZ层,有效地抑制了Ni的烧结,并防止了Ni的团聚。经过SEM分析,YSZ形成了连续的网络结构,Ni均匀地分布在YSZ网络结构中。 展开更多
关键词 Ni/YSZ金属陶瓷 包裹沉淀法 微观结构 电导率
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