高温存储对Sn-Pb-Ni凸点界面金属间化合物生长的影响

倒装焊工艺由于具有信号处理速度快、封装密度高、可靠性高等特点,已广泛应用于高密度集成电路封装工艺中。高可靠倒装焊器件的互连焊点通常采用10Sn90Pb等高铅焊料,该焊料具有剪切强度高、可靠性高等优点,但其熔点高、回流工艺窗口窄等特性给封装工艺带来一定难度,此外该焊料在高温存储环境的可靠性有待进一步提高。本文采用Ni元素对10Sn90Pb焊料进行改性,研究高温存储下Sn-Pb-Ni体系凸点的力学性能以及金属间化合物(Intermetallic compound,IMC)的生长演变规律,以此评估Ni元素对10Sn90Pb凸点可靠性的影响。主要结果如下:适量添加Ni元素可以细化10Sn90Pb焊点界面处IMC晶粒,降低高温存储条件下的IMC生长速度,但在一定程度上会降低凸点的剪切强度。0.05%~0.1%含量的Ni元素添加对10Sn90Pb凸点综合性能提升较为显著。

铝/镀银层/钢的扩散钎焊及界面化合物的生长行为

采用扩散钎焊方法对6063铝合金/镀银层/1Cr18Ni9Ti不锈钢进行焊接,探讨焊接界面金属间化合物的生长行为。结果表明:钎缝中靠近不锈钢一侧为Fe-Al金属间化合物层,靠近铝合金一侧主要是Ag(Al)固溶体,中心区域由Ag-Al化合物和Ag(Al)固溶体混合而成;随着低温扩散保温时间的延长,化合物层厚度随之增加,Ag在铝合金一侧富集出现晶界渗透现象;钎缝中首先产生Ag-Al金属间化合物,之后共晶液相中的Al原子穿越Ag-Al金属间化合物层和残余镀银层扩散至不锈钢一侧,与Fe原子生成Fe-Al金属间化合物;在任意给定的扩散钎焊低条件下,可以对化合物层厚度进行初步估算。

IMC生长对无铅焊球可靠性的影响

通过模拟及实验研究了IMC层及其生长对无铅焊点可靠性的影响。采用回流焊将无铅焊球（Sn3.5Ag0.7Cu）焊接到PCB板的铜焊盘上,通过-55-125℃的热循环实验,获得了IMC厚度经不同热循环次数后的生长规律。采用有限元法模拟了热循环过程中IMC厚度生长对无铅BGA焊点中应力变化的影响,并由能量疲劳模型预测了无铅焊点寿命。计算结果显示,考虑IMC层生长所预测的焊点热疲劳寿命比不考虑IMC层生长时缩短约30%。

大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展

介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考。

生长素类化合物及6-苯甲基腺嘌呤对拟南芥主根生长的抑制效应比较

为更好的研究生长素类化合物及6-苯甲基腺嘌呤(6-BA)对细胞分裂和细胞伸长的影响,以拟南芥主根为材料,从组织学水平比较了IAA、NAA、2,4-D和6-BA对拟南芥主根分生区和伸长区的抑制效应,发现IAA和NAA效果是相似的,可以通过促进细胞分裂显著增加根分生区长度,但也显著缩短主根伸长区长度,而2,4-D和6-BA则通过抑制细胞分裂来显著缩短根分生区长度,同时也显著缩短根伸长区的长度。

β-Sn晶粒取向及温度对Cu/SAC305/Cu微焊点时效界面反应的影响

为了探究不同等温时效温度下β-Sn晶粒取向及晶界特征对界面反应的影响,采用准原位观测手段对不同Sn取向的Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu(Cu/SAC305/Cu)微焊点进行研究.结果表明,在不同温度下时效时,微焊点两侧界面IMC(Cu_(6)Sn_(5)+Cu_(3)Sn两相)自始至终呈现对称性生长,表明时效过程中β-Sn晶粒取向及晶界的存在不会影响界面反应.但是随着时效温度的升高,界面IMC的形貌和厚度发生明显变化.在100℃时效后,界面处生成扇贝状的Cu_(6)Sn_(5)和较薄的不连续的Cu_(3)Sn层;在125℃时效后,界面处生成扇贝状的Cu_(6)Sn_(5)和较薄的连续的Cu_(3)Sn层;而在150℃时效后,界面IMC由层状Cu_(6)Sn_(5)和层状Cu3Sn双层结构组成.时效温度的升高促使Cu和Sn原子扩散加快,促进了扇贝状Cu_(6)Sn_(5)向层状转变并造成Cu3Sn的快速生长.同时,基于界面IMC厚度随时效时间的演变规律,获得了不同时效温度下微焊点界面IMC生长曲线,可为Sn基微焊点的可靠性评价提供依据.