槲皮素化学修饰碳糊电极循环伏安法测定抗坏血酸

制备了槲皮素化学修饰碳糊电极,并研究了抗坏血酸在该修饰电极上的电化学行为。循环伏安法研究发现:在pH 4.5的磷酸盐缓冲介质中,抗坏血酸在+0.39V(vs.SCE)处产生一个灵敏的准可逆氧化峰,电极反应受吸附控制。氧化峰电流与抗坏血酸的浓度在5.0×10-6～5.0×10-4 mol.L-1范围内呈线性关系,检出限(3S/N)为2.5×10-6 mol.L-1。据此提出了应用该修饰电极测定维生素C片中抗坏血酸的含量,测得回收率在96%～104%之间。

石墨烯/银复合材料修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

用石墨烯/银复合材料(rGO/Ag)修饰碳糊电极,采用循环伏安法在pH值=7.00的磷酸缓冲溶液(PBS)中测定铜离子(Cu^(2+))。研究rGO/Ag修饰碳糊电极在不同条件对Cu^(2+)电化学测定的影响。实验表明,以比例为0.005∶0.5的石墨烯/银复合材料(石墨烯∶银=0.075∶1.5)与石墨粉制作电极,在pH值=7.00的PBS缓冲溶液,扫描范围为1.4V^0.4V,扫描速率为100mV·s-1进行循环伏安测定时,得到最佳实验条件;峰电流与Cu^(2+)浓度在1.0×10^(-8) mol·L^(-1)~3.5×10^(-7) mol·L^(-1)范围内呈良好的线性关系,线性方程为y=0.44156+0.13936x,相关系数为0.9955,检出限为3.6×10^(-7) mol·L^(-1);连续测定20天,修饰碳糊电极具有良好的稳定性。

石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

用石墨烯修饰碳糊电极,采用循环伏安法在BR缓冲溶液中测定Cu2+的电化学行为。研究了不同条件对Cu2+电化学测定的影响。实验表明,石墨与石墨烯比例为8∶1,pH=3.5,扫描速度为100mV/s进行循环伏安法测定时,在0.136V左右处出现一个峰形较好的特征吸收峰;峰电压与Cu2+浓度在5×10-8~1×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.9905,检出限为5.572×10-8 mol/L;连续测定两周,电极表现出较好的稳定性。

氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为。实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液p H值为3.0,扫描速率为120 m V/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8mol/L^1.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8mol/L。氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性。

测定人发中铜的桑色素修饰碳糊电极吸附溶出伏安法

制作了用桑色素作修饰剂的化学修饰碳糊电极 ,利用该电极为工作电极 ,建立了测定痕量铜的新方法。在甲酸钠 -盐酸缓冲溶液 (pH4.6)中 ,在0.20V(vsSCE)下搅拌富集,铜 (Ⅱ )与碳糊修饰电极表面的桑色素形成电活性络合物而吸附富集于电极表面 ,经 -0.45V静置还原后,阳极化线性扫描 ,在 -0.05V获得一灵敏的二次导数溶出峰。在不同富集时间下 ,其二次导数峰电流与铜 (Ⅱ )浓度分别在1.0×10-9～6.0×10-8 mol/L和2.0×10-8～9.0×10-7 mol/L两个范围内呈良好的线性关系 ,检出限可达4.0×10-10 mol/L(S/N=3)。同时 ,探讨了电极反应机理。方法应用于人发中的痕量铜的测定 ,获得了令人满意的结果。

槲皮素修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定人血清中铜

制作了用槲皮素作修饰剂的修饰碳糊电极 ,利用此电极为工作电极 ,建立了测定痕量铜的新方法。在甲酸钠 -盐酸缓冲溶液 ( p H4.7)中 ,于 0 .2 0 V( vs.SCE下同 )处搅拌富集 ,铜 ( )与碳糊修饰电极表面的槲皮素形成电活性络合物而吸附富集于电极表面 ,于 - 0 .40 V静止还原后 ,阳极化线性扫描 ,在 - 0 .0 3V左右获得一灵敏的二次导数溶出峰。在不同富集时间下 ,其二次导数峰电流与铜 ( )浓度分别在1 .5× 1 0 - 9～ 8.0× 1 0 - 8mol/ L和 1 .5× 1 0 - 8～ 9.0× 1 0 - 7mol/ L两个范围内成良好的线性关系 ,检出限可达 8.0× 1 0 - 10 mol/ L。同时探讨了电极反应机理。方法应用于人血清中痕量铜的测定 。

化学修饰碳糊电极测定废水中痕量铜

研制了 732型阳离子交换树脂碳糊修饰电极 ,在盐酸 -乙二胺体系中 ,对 Cu( )显示出良好的离子交换和选择性 ,电极具有很好的重现性和较长的使用寿命 。

化学修饰碳糊电极反应机理的探讨

研究了丁二酮肟化学修饰碳糊电极的循环伏安行为，并采用对比实验和红外光谱分析的方法对电极反应机理进行了探讨。

碳纳米管修饰碳糊电极测定铜离子

制备了碳纳米管修饰碳糊电极,并研究了铜离子在该电极上的循环伏安行为,建立了一种测定铜离子的新方法。结果表明,在pH=3.4的B-R缓冲溶液中,该电极在铜离子标准溶液中富集Cu2+,在-0.072V处产生一个还原峰,回扫时在0.059V处产生一个氧化峰,电极反应是可逆的。Cu2+浓度对数在1.0×10-7～1.0×10-4mol/L内与电位呈良好的线性关系,其检测下限为5.4×10-8mol/L。

碳纳米管修饰碳糊电极同时测定铜和铅

制备了碳纳米管化学修饰碳糊电极,采用循环伏安法,在pH为4·20的B-R缓冲溶液中同时对Cu2+和Pb2+进行测定.结果表明,Cu2+和Pb2+浓度分别在3·0×10-6～1·0×10-4mol/L和6·0×10-6～1·0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限分别为5·6×10-8mol/L和1·8×10-7mol/L,线性相关系数R分别为0·9884和0·9909.

芦丁修饰碳糊电极测定微量的铜离子

报道了用芦丁修饰碳糊电极测定微量铜离子的电化学方法。研究了测定Cu2+的条件如底液的pH值、富集电位、富集时间、扫描速度和修饰剂的用量等。在最优化的实验条件下,该修饰电极测定Cu2+的线性范围为5.0×10-7￣1.0×10-9mol/L,检出限为8.0×10-10mol/L。用该修饰电极测定了实际水样中的Cu2+,平均回收率为100.1%。

铁氰化铜修饰电极对亚硝酸根的电化学行为研究

用循环伏安法制备了铁氰化铜修饰玻碳电极（CuHCF）。对CuHCF膜电极的电化学行为进行了表征，并研究了电极对亚硝酸根的电催化氧化作用。结果表明亚硝酸根在CuHCF膜电极上有明显的催化作用，而且电催化峰电流与NO2-浓度在2．0×10^-6～2．5×10^-3mol／L范围内．催化峰电流与浓度呈良好的线性关系。

溴代水杨醛席夫碱镍配合物修饰碳糊电极的制备及其对甲醛电催化研究

本文利用溶液法，设计合成了5-溴水杨醛席夫碱及其镍配合物，通过紫外光谱、红外光谱、热分析技术对目标产物的结构进行了表征和确认。将溴代水杨醛席夫碱镍（Ⅱ）配合物作为电活性物质，制备了配合物修饰碳糊电极，详细考察了电活性物质的种类及用量、石墨用量、石蜡用量对电极的循环伏安行为的影响，确定了修饰碳糊电极的最佳制备条件为电活性物质0．050g、石墨0．30g、石蜡0．18g。以循环伏安图中氧化峰电位和峰电流变化值为指标，与空白修饰电极比较，考察了修饰电极对甲醛的电催化氧化性能，并计算得出甲醛在反应过程的阴极传递系数a=0．510；塔菲尔斜率b=0．115；扩散系数D=1．66×10^-6cm^2／s。甲醛浓度在0．001～0．01mol／L范围内，氧化峰峰电流变化值与其浓度呈线性关系，表明可用修饰碳糊电极对甲醛进行定量分析。

纳米Pt/巯基丁二酰胺铜修饰电极的制备及其电催化活性

利用电沉积法将纳米Pt固定在巯基丁二酰胺铜(II)自组装金电极(Au/CuL)表面,制备了一种纳米催化电极(Au/CuL/nanoPt).分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS),表面红外光谱(FT-IR)及电化学交流阻抗(EIS)对电极表面形貌进行了表征,并采用循环伏安法(CV)研究了它的电化学性质.结果表明,CuL具有良好的电化学活性并对H2O2的还原具有电催化作用,纳米Pt可以显著增强这种催化性能.在30℃、0.02mol·L-1PBS缓冲液(pH=6.0)中检测H2O2,在0.00125-0.16mmol·L-1浓度范围呈现线性响应,相关系数为0.9960(信噪比为3),检测极限为0.3μmol·L-1.该电极对H2O2电流响应灵敏度高(0.312mA·cm-2·mmol-1·L)、检测迅速(4.3s)、稳定性好(对46μmol·L-1和2.8mmol·L-1的H2O2连续测10次,变异系数分别为3.1%和3.9%;保存70d后对10μmol·L-1H2O2的响应为初始响应的95%).

手性Salen金属配合物修饰碳糊电极的制备及对甲醛的电催化氧化

以3,5-二叔丁基水杨醛和(1R,2R)-环己二胺为原料,合成了(R,R)-N,N-二(3,5-二叔丁基水杨醛)-1,2环己二胺钴配合物(Salen-Co(Ⅱ)配合物),并以此作为化学修饰剂,利用直接混合法将化学修饰剂、粘合剂和石墨粉按一定比例研磨混合制作成西夫碱钴配合物修饰碳糊电极(Salen-Co/CPE).实验表明,该西夫碱钴配合物修饰碳糊电极对甲醛具有良好的电催化作用.利用计时电流法,在优化的实验条件下,氧化峰电流与甲醛的浓度在3.0×10-2～1.2×10-1mol/L的范围内具有良好的线性关系,检出限为3.33×10-3mol/L.

CuHCF/Pt的制备及其电化学性质

通过实验选择了制备铁氰化铜修饰铂电极（CuHCF/Pt）的最佳条件,并用循环伏安法考察了CuHCF/Pt对一价阳离子的选择性及VC在该电极上的电化学行为.实验结果表明,CuHCF/Pt在0.4~1.0 V（vs.SCE）范围内有一对可逆性良好的氧化还原峰,该电极对K＋有较好地选择性且对VC有催化氧化作用.