化学包覆法AgWC(20)C(3)触头材料的性能分析及应用

对化学包覆法AgWC(20)C(3)触头材料的各项性能作了较全面的测试,并与机械混粉法AgWC(12)C(3)触头材料进行对比。试验证明,AgWC(20)C(3)的各项性能指标均优于AgWC(12)C(3)。前者装于我国某新型飞机的断路器中,顺利通过了地面各项性能及五年飞行后的性能考核,目前已经批量使用。在断路器DW10-400、DW10-600、DZ20J-400中也通过了型式试验。

化学包覆法制备Ho^(3+)掺杂钛酸钡基X8R细晶陶瓷

采用化学包覆法将Ho_2O_3包覆在纳米级钛酸钡粉体表面,通过烧结将Ho^(3+)扩散到钛酸钡晶粒中,调节其介电性能,研究了不同Ho^(3+)掺杂量对Ba Ti O3基陶瓷相组成、微观结构和介电性能的影响。X射线衍射和扫描电子显微镜分析结果表明:Ho^(3+)改性陶瓷样品均为赝立方相,Ho^(3+)的加入能抑制晶粒生长,改善陶瓷微观结构,有利于制备均匀的细晶陶瓷。透射电子显微镜观察显示,包覆层的厚度约为2 nm,包覆Ho_2O_3有助于陶瓷烧结过程中形成"核-壳"结构晶粒,能显著改善钛酸钡基陶瓷的介电温度稳定性,提高绝缘电阻。当Ho^(3+)掺杂量为2.0%时,陶瓷的相对介电常数为1 612,ΔC/C(-55~150℃)<±15%,满足EIA X8R电容器的温度特性。

铁包覆T-ZnOw复合粉体的制备及其性能研究

采用化学包覆法,以氨水为沉淀剂,在碱性体系中制备了Fe(OH)3包覆T-ZnOw复合粉体,在600℃下通氢气还原获得了Fe/T-ZnOw包覆复合粉体。用XRD,SEM和EDX对粉体进行表征,结果表明:复合粉体存在金属铁相和T-ZnOw相,T-ZnOw四针保持完整,表面包覆完整,铁颗粒为球形,颗粒细小均匀,并T-ZnOw表层外有部分散落铁颗粒,颗粒粒径约为3μm。用VSM分析测定粉体的磁饱和强度和矫顽力,分别为32.10 emu/g和140.5 Oe。

碱式硫酸镁晶须表面改性研究

为了改善碱式硫酸镁晶须的表面性质,提高碱式硫酸镁晶须与有机基体材料的相容性,以活化指数和接触角为改性效果评价指标,采用化学包覆法对自制的碱式硫酸镁晶须进行了表面改性研究。结果表明:适于碱式硫酸镁晶须表面改性的改性剂为油酸钾;在油酸钾用量为2%、改性晶须料浆浓度为4%,改性时间为30 min,改性温度为80℃,搅拌速度为600 r/min条件下,可以获得较好的表面改性效果,改性碱式硫酸镁晶须的活化指数达到99.35%,接触角为126.8°。

a-Fe含量对各向同性SmCo5/a-Fe纳米双相复合磁体磁性能的影响

本实验采用声化学包覆和放电等离子快速热压的方法制备了各向同性SmCo5/a-Fe纳米双相复合磁体,研究了a-Fe含量对各向同性SmCo5/a-Fe纳米双相复合磁体磁性能的影响。研究结果表明,随着Fe掺杂量的增加,各向同性磁体的饱和磁化强度Ms逐渐增大,剩磁Mr先升高后降低,矫顽力Hci则总体呈减小趋势;当α-Fe名义添加量为10wt.%时,磁体获得最佳磁性能。