晶体硅缺陷的腐蚀及表征

对太阳电池用晶硅片的缺陷表征,目前大都采用厚1mm～3mm的片子进行测试研究,为了与当前批量生产晶硅片相兼容,我们使用常规生产的硅片(厚度180μm～200um)进行分析测试。文章主要论述了对180μm～200um厚的常规生产晶硅片的化学抛光、化学腐蚀的实验方法及采用共聚焦显微镜方法进行观察和表征晶体硅缺陷的方法及内容。