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负性化学放大胶的光刻模型及模拟 被引量:1
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作者 卢伟 黄庆安 +1 位作者 李伟华 周再发 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期568-571,576,共5页
在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较,结果显示,简化的后烘反应扩散动力学... 在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较,结果显示,简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确,且程序运行占用的电脑资源更少。另外,通过不同曝光时间下的显影过程模拟,清晰地反映了光刻胶显影的过程,其结果与实际相符,对实际光刻工艺有较好的参考意义。 展开更多
关键词 光刻模拟 负性化学放大胶 后烘模型
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化学放大胶在电子束光刻技术中的应用 被引量:2
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作者 田丰 韩立 杨忠山 《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期43-46,共4页
化学放大胶(ChemicallyAmplifiedResists,简称CARs)是下一代光刻技术中极具发展潜力的一种光学记录介质。介绍了化学放大胶在电子束光刻技术中图形制作工艺的关键步骤以及目前常用的几种化学放大胶,分析了将化学放大胶用于电子束曝光工... 化学放大胶(ChemicallyAmplifiedResists,简称CARs)是下一代光刻技术中极具发展潜力的一种光学记录介质。介绍了化学放大胶在电子束光刻技术中图形制作工艺的关键步骤以及目前常用的几种化学放大胶,分析了将化学放大胶用于电子束曝光工艺应注意的问题和它将来的发展趋势。 展开更多
关键词 化学放大胶 电子束光刻技术 抗蚀剂 CARS 光学记录介质 电子束曝光 微电子产业
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193nm化学放大光刻胶研究进展 被引量:5
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作者 李小欧 顾雪松 +1 位作者 刘亚栋 季生象 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1105-1118,共14页
193 nm光刻胶主要有化学/非化学放大、分子玻璃和无机-有机杂化等类型。目前,商业化193 nm光刻胶基本为化学放大型,主要成分包括聚合物树脂、光致产酸剂、添加剂(碱性添加剂、溶解抑制剂等)和溶剂等。本文从光刻胶的成分出发介绍193 nm... 193 nm光刻胶主要有化学/非化学放大、分子玻璃和无机-有机杂化等类型。目前,商业化193 nm光刻胶基本为化学放大型,主要成分包括聚合物树脂、光致产酸剂、添加剂(碱性添加剂、溶解抑制剂等)和溶剂等。本文从光刻胶的成分出发介绍193 nm化学放大胶的研究进展,概述目前应用及研究中出现的代表性193 nm化学放大胶,总结其优缺点及未来可能的发展方向。 展开更多
关键词 化学放大胶 聚合物树脂 光致产酸剂 碱性添加剂 溶解抑制剂
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g-线/i-线光刻胶研究进展 被引量:7
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作者 顾雪松 李小欧 +1 位作者 刘亚栋 季生象 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1091-1104,共14页
光刻胶是半导体领域中不可或缺的关键材料。光刻胶行业常年被日本和美国等国家所垄断,随着国际竞争的日益激烈,光刻胶国产化迫在眉睫。本文针对g-线(436 nm)和i-线(365 nm)光刻胶进行了总结,按照其组成不同,将其分为酚醛树脂/重氮萘醌... 光刻胶是半导体领域中不可或缺的关键材料。光刻胶行业常年被日本和美国等国家所垄断,随着国际竞争的日益激烈,光刻胶国产化迫在眉睫。本文针对g-线(436 nm)和i-线(365 nm)光刻胶进行了总结,按照其组成不同,将其分为酚醛树脂/重氮萘醌、化学放大胶和分子玻璃等类型,并分别进行介绍。目前,市场用量较大的g/i-线光刻胶主要是酚醛树脂/重氮萘醌系列,本文详细介绍了国内外对酚醛树脂/重氮萘醌的研究报道,阐述了其曝光机理以及光敏剂、添加剂等对光刻胶性能的影响。本文期望能对g-线/i-线光刻胶的开发提供参考。 展开更多
关键词 光刻 g-线 i-线 酚醛树脂/重氮萘醌 化学放大胶 分子玻璃
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采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅
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作者 杨中月 付兴昌 +1 位作者 宋洁晶 孙希国 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第6期372-375,共4页
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术... 介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。 展开更多
关键词 深紫外光刻 负性化学放大胶 “T”型栅 移相掩模技术 分辨率增强技术 砷化镓PHEMT
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DUV投影光刻制作T型栅
6
作者 杨中月 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第5期311-313,318,共4页
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅... 描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅,突破了采用常规光学光刻时栅长的制作限制。介绍了GaAs器件在栅光刻时遇到的困难,描述了工艺制作过程,并讨论了该工艺技术中每步工艺的思路和采用的工艺原理。通过在6~18GHz GaAsP HEMT功率放大器制作中的应用,提高了器件性能及成品率,并给出了测试结果以及0.18μmT型栅的电镜图片。 展开更多
关键词 T型栅 深紫外 化学放大胶 分辨率增强技术 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路
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先进光刻材料 被引量:5
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作者 李自力 徐兴冉 +3 位作者 湛江浩 胡晓华 张子英 熊诗圣 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期859-870,共12页
随着半导体产业的技术发展与进步,芯片制造在摩尔定律的推动下也在不断向先进工艺节点推进。与此同时,我们迫切需要开发与之相匹配的光刻材料来满足光刻图形化的快速发展需求。本文从光刻材料的成分和性能出发,介绍了光刻图形化技术所... 随着半导体产业的技术发展与进步,芯片制造在摩尔定律的推动下也在不断向先进工艺节点推进。与此同时,我们迫切需要开发与之相匹配的光刻材料来满足光刻图形化的快速发展需求。本文从光刻材料的成分和性能出发,介绍了光刻图形化技术所用的从紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光胶、共轭聚合物光刻材料到导向自组装光刻材料,分析了光刻材料的发展现状,最后总结全文并对国内光刻材料的未来发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 先进光刻技术 导向自组装光刻 光刻 共轭聚合物光刻材料 化学放大胶
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Various Effective Resist Diffusion Lengths Methodology for OPC Model Calibration
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作者 朱亮 闻人青青 +2 位作者 阎江 顾以理 杨华岳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2346-2352,共7页
A various effective resist diffusion lengths methodology for OPC model calibration is proposed,which considers the discrepancy of effective resist diffusion lengths between 1D and 2D patterns. An important step of thi... A various effective resist diffusion lengths methodology for OPC model calibration is proposed,which considers the discrepancy of effective resist diffusion lengths between 1D and 2D patterns. An important step of this methodology is to set up a new calibration flow that lets 1D and 2D patterns have the same optical parameters but different effective diffusion lengths. Furthermore, a design for manufacturing (DFM) interaction is suggested in the calibration flow of the pro- posed model. From the CD errors of fitting results and the comparison between simulated contours and SEM images,it is found that the various effective resist diffusion lengths model calibration methodology results in a more accurate and stable model. 展开更多
关键词 OPC DFM DAIM EPE CAR MEF
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