均一粒径硅溶胶的可控合成及其在化学机械精抛光中的应用

随着大规模集成电路制程日益复杂,对化学机械精抛光材料的要求也越来越高。目前,用于高端芯片平整化所需化学机械精抛光液的合成仍存在一些技术难点。本文通过对传统的溶胶凝胶法进行改进,在不添加稳定剂的条件下规模合成粒径小(10~50nm)、均一且稳定性好的硅溶胶。该硅溶胶作为磨料用于硅片的化学机械精抛光(CMP),研究了双氧水浓度对硅片表面去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)的影响。当双氧水质量分数为5%时,硅片表面粗糙度为0.1nm,可实现单晶硅片的精密加工。