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化学气相反应法制备SiC涂层 被引量:22
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作者 刘兴昉 黄启忠 +1 位作者 苏哲安 蒋建献 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期906-910,共5页
采用化学气相反应法,以3种不同工艺在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并检测了其抗氧化性能。以工业用Si和辅助剂SiO2为原料,在高温、惰性环境中反应产生SiO蒸气,将其引入反应室与C/C复合材料在不同温度下进行气相反应,在试样表面生成一... 采用化学气相反应法,以3种不同工艺在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并检测了其抗氧化性能。以工业用Si和辅助剂SiO2为原料,在高温、惰性环境中反应产生SiO蒸气,将其引入反应室与C/C复合材料在不同温度下进行气相反应,在试样表面生成一层致密的SiC涂层。X射线衍射分析表明:涂层是由βSiC组成。从试样截面的扫描电镜可知:不同工艺制得的SiC涂层界面过渡带颗粒的微观形貌各异。经最优工艺制备的涂层过渡带很窄,有βSiC纳米晶须生成,且其抗氧化性能最佳。 展开更多
关键词 一氧化硅 碳化硅涂层 纳米晶须 化学气相反应
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热化学气相反应法制备SiC纳米粉的研究 被引量:5
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作者 杨修春 韩高荣 +2 位作者 杜丕一 丁子上 周国治 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期523-526,共4页
利用SiH4-C2H4-H2系统的反应,在1423K~1673K温度范围内对SiC超细粉的合成进行了系统研究。采用的粉末表征方法有透射电镜(TEM)、红外吸收谱(IR)、X射线衍射(XRD)、粉末比表面分析(BET),高分辨透射电镜(HREM)和化学分析。... 利用SiH4-C2H4-H2系统的反应,在1423K~1673K温度范围内对SiC超细粉的合成进行了系统研究。采用的粉末表征方法有透射电镜(TEM)、红外吸收谱(IR)、X射线衍射(XRD)、粉末比表面分析(BET),高分辨透射电镜(HREM)和化学分析。结果表明,改变反应温度和反应气体组成比能获得高纯SiC赵细粉。在1423K~1573K范围内,粉末富硅,当温度超过1623K时粉末富碳,在T=1623K,C2H4/SIH。一1.2,P—0.02MPa时,制备出11urn的纯卜SiC赵细粉,SiC含量高达97.8%,其氧含量为1.3%。游离硅的存在能显著影响最终颗粒尺寸。 展开更多
关键词 化学气相反应 碳化硅 超细粉 粉末特征 纳米
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化学气相反应法制备Zr-Si-C涂层 被引量:7
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作者 殷小玮 GUTMANAS Elazar +1 位作者 成来飞 张立同 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1419-1422,1438,共5页
为了提高Zr-Si-C涂层与基体的结合强度,基于粉末埋入反应辅助涂覆工艺,采用新型化学气相反应法在SiC陶瓷表面制备Zr-Si-C涂层。SiC陶瓷基片被包埋于Zr-1%(质量分数)I_2混合粉体中,在850~1100℃进行化学气相反应。碘促进Zr原子向SiC陶... 为了提高Zr-Si-C涂层与基体的结合强度,基于粉末埋入反应辅助涂覆工艺,采用新型化学气相反应法在SiC陶瓷表面制备Zr-Si-C涂层。SiC陶瓷基片被包埋于Zr-1%(质量分数)I_2混合粉体中,在850~1100℃进行化学气相反应。碘促进Zr原子向SiC陶瓷表面的传输,Zr与SiC之间的扩散反应导致在SiC表面生成连续的Zr-Si-C复合涂层。采用X射线衍射、扫描电镜结合X射线能谱分析以及相图分析确定了涂层微结构及相组成。结果表明:复合涂层内层为ZrC、中间层为Zr_2Si-ZrC_(1-x)复相区、外层为ZrC_(1-x)。通过测量涂层厚度研究了涂层的生长动力学.在850~1100℃范围内,涂层生长符合抛物线规律,活化能为(210±20)kJ/mol。 展开更多
关键词 化学气相反应 碳化硅 碳化钴 涂层 粉末埋入反应
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激光化学气相反应生长Ti(C,N)薄膜的成分及微观结构 被引量:3
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作者 张炳春 李梅 +1 位作者 王亚庆 冯钟潮 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期663-664,共2页
运用XRD、EPMA、TEM等手段分析在Ti—6Al—4V基材上用激光化学气相反应生长的Ti(C,N)薄膜的成分、结构、显微组织可在基材表面形成大面积均匀的Ti(C,N)膜层,为无明显择优取向的等轴纳米晶,其中有少量的Ti2N相,且Al、V含量低于... 运用XRD、EPMA、TEM等手段分析在Ti—6Al—4V基材上用激光化学气相反应生长的Ti(C,N)薄膜的成分、结构、显微组织可在基材表面形成大面积均匀的Ti(C,N)膜层,为无明显择优取向的等轴纳米晶,其中有少量的Ti2N相,且Al、V含量低于基材。 展开更多
关键词 激光 化学气相反应 薄膜 TI(C N) 微观结构
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化学气相反应法合成SiC超细粉的成核和生长过程的研究 被引量:2
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作者 杨修春 韩高荣 +1 位作者 杜丕一 丁子上 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期332-338,共7页
借助于TEM观察,讨论了化学气相反应法合成SiC超细粉的成长机理,分析结果显示,由于气体流速不同,合成的SiC超细粉颗粒尺寸和颗粒形貌有较大变化,颗粒尺寸和颗粒形貌的变化由成核和生长机理决定,一般涉及到均匀成核、异相... 借助于TEM观察,讨论了化学气相反应法合成SiC超细粉的成长机理,分析结果显示,由于气体流速不同,合成的SiC超细粉颗粒尺寸和颗粒形貌有较大变化,颗粒尺寸和颗粒形貌的变化由成核和生长机理决定,一般涉及到均匀成核、异相成核。 展开更多
关键词 化学气相反应 超细粉 碳化硅陶瓷 成核
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化学气相反应制备碳化硅纳米线
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作者 赵建国 郭永 +1 位作者 张素芳 王海青 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A06期2212-2213,共2页
用硅粉、二氧化硅和石墨粉作原料,在无催化剂的条件下,在1400℃下用高温化学气相反应法制备了碳化硅纳米线,并用高分辨扫描电镜观察了所得碳化硅纳米线的形貌。所得碳化硅纳米线直径为100-500nm,长度可达几百微米。还提出了描述碳... 用硅粉、二氧化硅和石墨粉作原料,在无催化剂的条件下,在1400℃下用高温化学气相反应法制备了碳化硅纳米线,并用高分辨扫描电镜观察了所得碳化硅纳米线的形貌。所得碳化硅纳米线直径为100-500nm,长度可达几百微米。还提出了描述碳化硅纳米线的生长机理。 展开更多
关键词 碳化硅纳米线 扫描电子显微镜 化学气相反应
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用化学气相反应法在石墨基体上制备SiC涂层
7
作者 付志强 唐春和 梁彤祥 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B07期79-82,共4页
石墨是建造高温气冷堆的主要材料,提高其抗氧化性能可以进一步改善高温气冷堆安全性。本文对利用化学气相反应法(CVR)在高温气冷堆燃料元件基体石墨上制备SiC涂层的工艺进行了探讨,利用XRD、Raman谱及SEM对制备的SiC涂层进行了分析。结... 石墨是建造高温气冷堆的主要材料,提高其抗氧化性能可以进一步改善高温气冷堆安全性。本文对利用化学气相反应法(CVR)在高温气冷堆燃料元件基体石墨上制备SiC涂层的工艺进行了探讨,利用XRD、Raman谱及SEM对制备的SiC涂层进行了分析。结果表明,可以获得单一βSiC相的SiC涂层,涂层与基体之间具有良好的梯度过渡;但由于在涂层中存在一定的孔隙,仅用CVR制备的SiC涂层不能很好地改善石墨的抗氧化性能,将此方法和其他方法结合起来可以获得低成本的、均匀的SiC抗氧化涂层。 展开更多
关键词 SIC涂层 化学气相反应 石墨
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化学气相反应合成单分散性碳纳米管研究 被引量:2
8
作者 钟小华 冯建民 +2 位作者 瞧小花 侯峰 李亚利 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期55-59,共5页
采用液相注入的化学气相流催化反应,在乙醇为碳源和二茂铁为催化剂的反应系统中加入微量的水,在氩气流中高产率合成出具有氧化基表面、高结晶度和大内管径的多壁碳纳米管。此方法合成的碳管可高浓度分散于乙醇、苯、甲苯、二甲苯、正己... 采用液相注入的化学气相流催化反应,在乙醇为碳源和二茂铁为催化剂的反应系统中加入微量的水,在氩气流中高产率合成出具有氧化基表面、高结晶度和大内管径的多壁碳纳米管。此方法合成的碳管可高浓度分散于乙醇、苯、甲苯、二甲苯、正己烷等有机溶剂中。高分辨电镜观察碳管端部呈开口状,碳管表层部分有缺陷,但管内碳层完整、排列整齐、呈高度结晶态。光电子能谱(XPS)分析测得碳管表面有碳氧键。由此可知,在反应系统中加入微量的水一方面活化了催化剂、提高了碳管产率,另一方面产生了氧化的碳管表面。对碳管进行氧化处理获得可分散纳米碳管是实现其众多应用的关键步骤,常规采用酸处理氧化或热氧化等后续处理方法,但这些处理常常导致破坏结晶性,降低材料性能。本工作采用一步法高产率合成出具有氧功能化表面的、可分散、高结晶度的碳纳米管,这对碳管的制备及相关应用具有重要意义。 展开更多
关键词 碳纳米管 化学气相反应 催化合成
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激光化学气相反应制备精细陶瓷膜 被引量:1
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作者 余茂黎 《硬质合金》 CAS 北大核心 1994年第4期241-245,共5页
本文讨论了激光对化学气相反应的增强机制和激光CVD制备精细陶瓷薄膜系统的选择,介绍了激光CVD在无机物薄膜制备中的应用和前景。
关键词 激光 化学气相反应 陶瓷 薄膜 CVD
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激光等离子体化学反应合成SiC、Si_3N_4
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作者 韩理 马连喜 +1 位作者 于威 傅广生 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1995年第1期18-23,共6页
本工作以C_3H_6+SiH_4混合的气体及SiH_4+NH_3混合气体为反应物,用激光等离子体化学气相反应法合成了纳米级的SiC和Si_3N_4陶瓷粉末材料,用红外谱、X射线衍射、透射电子显微镜等多种技术对粉末的化... 本工作以C_3H_6+SiH_4混合的气体及SiH_4+NH_3混合气体为反应物,用激光等离子体化学气相反应法合成了纳米级的SiC和Si_3N_4陶瓷粉末材料,用红外谱、X射线衍射、透射电子显微镜等多种技术对粉末的化学键性质、粒度及形、晶态等特性进行了分析,讨论了实验参量对粉末性能的影响。 展开更多
关键词 激光等离子体 化学气相反应 碳化硅 氮化硅 陶瓷
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SiC纳米线改性C/C复合材料的制备及其电磁波吸收性能研究
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作者 桂凯旋 罗祥洁 +1 位作者 刘方瑜 赵晓玉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期889-898,共10页
C/C复合材料因低密度、耐高温等特性在航空航天材料方面具有很广泛的应用,通过改性的方法提高该类材料的电磁波吸收性能有望拓宽其应用领域。本文以酚醛树脂、Si和SiO_(2)粉体,以及催化剂二茂铁为原料,采用先驱体浸渍裂解法制备C/C复合... C/C复合材料因低密度、耐高温等特性在航空航天材料方面具有很广泛的应用,通过改性的方法提高该类材料的电磁波吸收性能有望拓宽其应用领域。本文以酚醛树脂、Si和SiO_(2)粉体,以及催化剂二茂铁为原料,采用先驱体浸渍裂解法制备C/C复合材料,然后通过化学气相反应法在C/C复合材料中生成SiC纳米线(SiC_(nw)),制备出SiC_(nw)改性C/C复合材料(SiC_(nw)/C/C)。研究了C/C和SiC_(nw)/C/C复合材料的结构与性能,探讨了SiC_(nw)含量对C/C复合材料电磁波吸收性能的影响。结果表明,通过本方法可在C/C复合材料中成功引入具有核壳结构的SiC_(nw),并且随着SiC_(nw)含量增加,C/C复合材料的电磁波吸收性能显著提升。当SiC_(nw)含量为15.4%(质量分数)时,SiC_(nw)/C/C复合材料在厚度为2.07 mm处的最小反射损耗值为-38.02 dB,明显低于同类其他材料,表现出优异的电磁波吸收性能。本文研究制备的SiC_(nw)/C/C复合材料可为高性能碳/陶复合材料的制备提供技术和理论支撑。 展开更多
关键词 SIC纳米线 碳纤维 复合材料 电磁波吸收性能 催化剂 化学气相反应
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反应温度对纳米SiC纤维制备的影响
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作者 姜卓钰 杨金华 +4 位作者 焦春荣 吕晓旭 齐哲 周怡然 焦健 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期29-34,共6页
采用化学气相反应法在碳纤维织物表面生长纳米SiC纤维,通过对不同温度下制备纳米SiC纤维的微观形貌及产量等进行分析,优化出较为合适的工艺温度。结果表明,当采用Micro-Si/Nano-SiO_2混合粉作为反应原料时,反应温度低于1410℃时不利于纳... 采用化学气相反应法在碳纤维织物表面生长纳米SiC纤维,通过对不同温度下制备纳米SiC纤维的微观形貌及产量等进行分析,优化出较为合适的工艺温度。结果表明,当采用Micro-Si/Nano-SiO_2混合粉作为反应原料时,反应温度低于1410℃时不利于纳米SiC纤维的大量生成,反应温度为1420℃时制备出的纳米SiC纤维具有较好的均匀性,所制备纳米纤维直径约为140~320 nm,制备纳米SiC纤维后碳纤维织物的净增重率接近6%,反应温度为1460℃时,由于反应温度过高导致出现了较高密度的层错堆垛,制备的纳米纤维出现明显的弯曲甚至打结现象。 展开更多
关键词 陶瓷基复合材料 纳米SiC纤维 化学气相反应 碳化硅
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碳纤维表面原位SiC纳米纤维的合成与生长 被引量:1
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作者 代吉祥 张兆甫 +2 位作者 王永昌 王首豪 沙建军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第12期2379-2384,共6页
基于化学气相反应法,以高纯Si和SiO_2为反应源材料,在碳纤维表面原位生长β-SiC纳米纤维。采用XRD、SEM和TEM等分析测试手段对SiC纳米纤维进行了表征分析,研究了不同反应温度和时间对生成β-SiC纳米纤维微观形貌和结构的影响,并探讨了β... 基于化学气相反应法,以高纯Si和SiO_2为反应源材料,在碳纤维表面原位生长β-SiC纳米纤维。采用XRD、SEM和TEM等分析测试手段对SiC纳米纤维进行了表征分析,研究了不同反应温度和时间对生成β-SiC纳米纤维微观形貌和结构的影响,并探讨了β-SiC纳米纤维的生长机制。研究结果表明:采取化学气相反应法能够制备高质量、高纯度的β-SiC纳米纤维,纳米纤维的直径约为100~300 nm。随着反应温度的提高和时间的延长,纳米纤维的产额增加,且微观组织形貌发生了变化。结合制备过程和纳米纤维微观结构的观察分析,表明气-固(VS)机制是SiC纳米纤维生长的主要机理。 展开更多
关键词 SiC纳米纤维 碳纤维 化学气相反应 气固机制
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甲烷通气速率/通气量对大量合成SiC一维纳米材料的影响规律
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作者 齐学礼 李镇江 +1 位作者 李伟东 孙莎莎 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第5期465-469,共5页
采用化学气相反应法(CVR),以球磨后的Si粉、SiO2粉及CH4气体为原料,镍为催化剂,在1 250℃下成功制备出大量SiC一维纳米材料。着重研究了甲烷通气速率/通气量对产物宏观产量、微观形貌的影响规律。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X... 采用化学气相反应法(CVR),以球磨后的Si粉、SiO2粉及CH4气体为原料,镍为催化剂,在1 250℃下成功制备出大量SiC一维纳米材料。着重研究了甲烷通气速率/通气量对产物宏观产量、微观形貌的影响规律。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等多种测试手段对所得产物进行了表征。结果表明:随CH4通气速率/通气量的减少,产物宏观颜色由深蓝色转变成灰白色,纳米线直径变得不均匀,纳米线的堆积密度逐渐增大。在通气速率为0.054L·min-1、通气时间36min、通气量1.4L优选工艺条件下,所制备的一维纳米材料为带有少许非晶SiO2包覆层的立方结构的β-SiC。 展开更多
关键词 SiC一维纳米材料 化学气相反应 宏观产量 微观形貌
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Anti-oxidation behavior of chemical vapor reaction SiC coatings on different carbon materials at high temperatures 被引量:11
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作者 杨鑫 黄启忠 +4 位作者 邹艳红 常新 苏哲安 张明瑜 谢志勇 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2009年第5期1044-1050,共7页
To protect carbon materials from oxidation,SiC coatings were prepared on carbon/carbon(C/C)composites and graphite by chemical vapor reaction.SEM and XRD analyses show that the coatings obtained are composed of SiC gr... To protect carbon materials from oxidation,SiC coatings were prepared on carbon/carbon(C/C)composites and graphite by chemical vapor reaction.SEM and XRD analyses show that the coatings obtained are composed of SiC grains and micro-crystals. The influence of different carbon substrates on oxidation behavior of coated samples was investigated,and then their oxidation mechanisms were studied.Oxidation test shows that the SiC coated graphite has a better oxidation resistance than SiC coated C/C composites at high temperatures(1 623 K and 1 823 K).In the oxidation process,the oxidation curves of SiC coated C/C composites are linear,while those of SiC coated graphite follow a quasi-parabolic manner.The oxidation mechanism of the former is controlled by chemical reaction while the latter is controlled by oxygen diffusion based on the experimental results.The variation of oxidation behavior and mechanism of SiC coatings on two kinds of carbon substrates are primarily contributed to their structure differences. 展开更多
关键词 SIC涂层 抗氧化性能 化学气相反应 反应行为 碳材料 炭/炭复合材料 高温 碳化硅涂层
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Improved oxidation resistance of chemical vapor reaction SiC coating modified with silica for carbon/carbon composites 被引量:4
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作者 杨鑫 邹艳红 +4 位作者 黄启忠 苏哲安 常新 张明瑜 肖勇 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2010年第1期1-6,共6页
To protect carbon/carbon (C/C) composites from oxidation, a SiC coating modified with SiO2 was prepared by a complex technology. The inner SiC coating with thickness varying from 150 to 300 μm was initially coated by... To protect carbon/carbon (C/C) composites from oxidation, a SiC coating modified with SiO2 was prepared by a complex technology. The inner SiC coating with thickness varying from 150 to 300 μm was initially coated by chemical vapor reaction (CVR): a simple and cheap technique to prepare the SiC coating via siliconizing the substrate that was exposed to the mixed vapor (Si and SiO2) at high temperatures (1 923?2 273 K). Then the as-prepared coating was processed by a dipping and drying procedure with tetraethoxysilane as source materials to form SiO2 to fill the cracks and holes. Oxidation tests show that, after oxidation in air at 1 623 K for 10 h and thermal cycling between 1 623 K and room temperature 5 times, the mass loss of the CVR coated sample is up to 18.21%, while the sample coated with modified coating is only 5.96%, exhibiting an obvious improvement of oxidation and thermal shock resistance of the coating. The mass loss of the modified sample is mainly contributed to the reaction of C/C substrate with oxygen diffusing through the penetrating cracks formed in thermal shock tests. 展开更多
关键词 碳/碳复合材料 化学气相反应 碳化硅涂层 抗氧化 硅改性 二氧化硅 技术准备 样品质量
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光学塑料及光学陶瓷
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《中国光学》 EI CAS 1994年第6期39-39,共1页
TQ174.558.23 94064102脉冲CO<sub>2</sub>激光制备纳米级SiC粉末=Pulsed CO<sub>2</sub>laser assisted synthesis of nanometer SiC ceramic powder[刊,中]/韩理,于威,傅广生,李晓苇,张连水(河北大学物理系... TQ174.558.23 94064102脉冲CO<sub>2</sub>激光制备纳米级SiC粉末=Pulsed CO<sub>2</sub>laser assisted synthesis of nanometer SiC ceramic powder[刊,中]/韩理,于威,傅广生,李晓苇,张连水(河北大学物理系.河北,保定(071002))//中国激光.—1994,A21(6).—522—525采用脉冲TEACO<sub>2</sub>激光诱发SiH<sub>4</sub>+CH<sub>4</sub>等离子体化学气相反应,合成了粒度分布均匀的纳米SiC球型陶瓷粉末,采用傅里叶红外光谱、X射线衍射。 展开更多
关键词 傅里叶红外光谱 等离子体 化学气相反应 粒度分布 激光制备 脉冲 陶瓷粉末 纳米级 河北大学 光学塑料
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一种高速生长硅基薄膜的低成本技术
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《太阳能》 2005年第6期60-61,共2页
本发明涉及生长硅基薄膜,尤其是在低温衬底上高速生长优质硅基薄膜的低成本技术,属于薄膜光伏电池与薄膜晶体管等光电子器件技术领域。本发明克服了常规生长硅基薄膜方法中或生长速率慢、或衬底温度高、或离子轰击严重等缺陷,整合了... 本发明涉及生长硅基薄膜,尤其是在低温衬底上高速生长优质硅基薄膜的低成本技术,属于薄膜光伏电池与薄膜晶体管等光电子器件技术领域。本发明克服了常规生长硅基薄膜方法中或生长速率慢、或衬底温度高、或离子轰击严重等缺陷,整合了其优点。方案是,硅烷等反应气体先经过热丝加热,再输运到施加超高频功率信号电极之间,只需施加较小功率的甚高频信号,使硅烷易充分分解,通过化学气相反应沉积成膜,降低了离子轰击,改善薄膜质量。 展开更多
关键词 硅基薄膜 生长速率 器件技术 成本 高速 化学气相反应 衬底温度 离子轰击 薄膜晶体管 光伏电池
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火花等离子烧结加工陶瓷基复合材料技术
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作者 李崇俊 《炭素技术》 CAS 北大核心 2014年第1期35-38,共4页
液相硅渗透(LSI)方法制备C/SiC复合材料.相对于其他SiC基体成型技术,如化学气相渗透(CVI)、聚合物陶瓷先驱体浸渍一裂解(PIP)、化学气相反应(CVR)等,是一种低成本快速的陶瓷基复合材料(CMC)制备技术,材料致密性高,具有... 液相硅渗透(LSI)方法制备C/SiC复合材料.相对于其他SiC基体成型技术,如化学气相渗透(CVI)、聚合物陶瓷先驱体浸渍一裂解(PIP)、化学气相反应(CVR)等,是一种低成本快速的陶瓷基复合材料(CMC)制备技术,材料致密性高,具有抗氧化性,且耐高温机械磨损性能优异,已在豪华汽车和飞机刹车盘、空间望远镜镜面、再人大气层飞行器的结构热防护系统(TPS)、超音速飞行器控制面板等方面得到实际应用。 展开更多
关键词 陶瓷基复合材料 复合材料技术 火花等离子烧结 C SIC复合材料 化学气相渗透 超音速飞行器 加工 化学气相反应
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三维针刺C/SiC刹车材料的热物理性能 被引量:8
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作者 范尚武 张立同 成来飞 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期56-62,共7页
通过化学气相渗透(CVI)法结合反应熔体浸渗(RMI)法制备了三维针刺C/SiC刹车材料,系统研究了三维针刺C/SiC刹车材料的热物理性能。结果表明:C/SiC刹车材料的热膨胀系数随温度升高总体呈增大趋势,但呈规律性波动;在相同温度下,垂直于摩擦... 通过化学气相渗透(CVI)法结合反应熔体浸渗(RMI)法制备了三维针刺C/SiC刹车材料,系统研究了三维针刺C/SiC刹车材料的热物理性能。结果表明:C/SiC刹车材料的热膨胀系数随温度升高总体呈增大趋势,但呈规律性波动;在相同温度下,垂直于摩擦面方向的热膨胀系数远大于平行方向的。从室温至1300℃,平行和垂直于摩擦面方向的平均热膨胀系数分别为1.75×10-6K-1和4.41×10-6K-1;C/SiC刹车材料的比定压热容随温度的升高而增大,但增大速率逐渐减小。温度从100℃升到1400℃,其比定压热容从1.41 J/(g.K)增大到1.92 J/(g.K);C/SiC刹车材料的热扩散率随温度的升高而降低,并趋于常量。平行于摩擦面方向的热扩散率明显大于垂直于摩擦面方向的热扩散率。 展开更多
关键词 三维针刺C/SiC 刹车材料 热物理性能 化学气相渗透 反应熔体浸渗
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