化学气相沉淀法SiC连续纤维用炭芯的研究 Ⅲ.大直径中间相沥青纤维的氧化

为获得热固性大直径中间相沥青纤维 ,在高于软化点 2 0℃和不同恒温时间的条件下 ,对纺制的大直径中间相沥青纤维进行氧化 (不熔化 )处理。由于稠环芳烃的次甲基发生氧化而形成 C O 键合的大分子 ,以及氧化构成的醚型交联键 C—O— C的大分子的存在 ,使中间相沥青纤维不熔化。笔者初步考察了化学反应速率控制和扩散控制在常压和加压齐聚反应所得大直径中间相沥青纤维氧化过程中的作用 ,O、 C、 H在氧化过程中的变化 ,使用原子力显微镜得到的表面结构。结果表明 ,常压齐聚反应后中间相沥青纤维的化学反应速度低于加压齐聚反应后中间相沥青纤维的 。

化学气相沉淀法合成单晶金刚石膜实验探索

采用微波等离子体化学气相沉淀法合成了单晶金刚石膜,探索了化学气相沉淀法(CVD)单晶金刚石膜的生长机理。实验仪器采用石英管式微波等离子体化学气相沉积装置,种晶为3颗IaAB型天然金刚石原石,生长面近平行于(111)和(110)方向,生长温度为800℃,压力约为6 kPa,时间约为8 h。使用宝石显微镜和环境扫描电子显微镜观察分析了CVD单晶金刚石膜的生长表面形貌。结果表明,在生长面上可见明显的生长层,生长晶体无色透明,CVD单晶金刚石膜在生长面上横向外延生长,并形成定向的台阶状表面——"阶梯流"。在相同的条件下,(111)方向上生长的CVD单晶金刚石膜比(110)方向上的更有序。H2浓度的大小对CVD单晶金刚石膜的质量有影响。

话说化学气相沉淀法(也称CVD法)合成钻石

化学气相沉淀法，英文名称Chemical Vapor Deposition，简称CVD法，可以用于人工合成钻石。最近，南于技术的突破，可以生产出大颗粒的钻石，国检中心在近期日常委托检验中，陆续发现了两批次CVD合成钻石，证明CVD合成钻石已经进入国内市场，引起了大家的关切。笔者从宝石人工合成的角度，介绍一下化学气相沉淀法（也称CVD法）合成钻石的技术。

全面智能创新管理新范式下基于化学气相沉淀法的合成钻石模型

人工智能不同于传统技术,其在充当技术要素之外也承担了创新主体的部分功能,且存在着对人类的潜在安全威胁。目前关于人工智能参与创新活动的范式研究尚不多见,因此,本研究梳理相关文献,参考人机共享控制系统中的"人机共享"技术规范以及生态位理论,将人工智能参与创新活动的特点以及其对人类的潜在安全威胁纳入考虑,在全面创新管理范式的基础上提出了全面智能创新管理这一新范式,详细阐述了新范式下各个创新要素的内涵以及创新运作机制。最后,在钻石模型的基础上借鉴化学气相沉淀法的合成钻石工艺流程,提出了全面智能创新管理范式下基于化学气相沉淀法的合成钻石模型。

化学气相沉淀法合成钻石简介

20世纪50年代，美国通用电气公司(G.E.)首先以面温高压法合成出人工钻石，使人类合成钻石的梦想成为现实。

化学气相沉积法制备多壁碳纳米管研究

根据实验结果 ,讨论了反应管直径、催化剂组分、反应温度及反应气体对多壁碳纳米管的产量和质量的影响。反应管直径大小将影响多壁碳纳米管的单位产量并对多壁碳纳米管质量产生影响。通过改变混合反应气体导入反应管的方式 ,可以提高多壁碳纳米管产量和改进质量。催化剂是影响多壁碳纳米管产量和质量的重要因素。在 70 0～80 0℃ ,反应温度仅对多壁碳纳米管的产量造成影响。

反应参数对以Cr/Cu为催化剂化学气相沉淀所制备CNTs/Cu复合粉末形貌的影响（英文）

采用化学共沉淀法制备了Cr/Cu复合粉体催化剂,并用化学气象沉淀法(CVD)原位合成CNTs/Cu复合粉末。利用SEM,TEM和Raman光谱分别对其微观形貌和结构进行表征。结果表明:采用化学气相沉淀法,使用10 wt%Cr/Cu的催化剂,在混合气体(Ar/H2/C2H4)流量2450/300 m L/min下,于1073 K温度生长30 min,可以得到优质、结晶良好的CNTs/Cu复合粉末。

纳米MoS_2的制备与研究进展

纳米二硫化钼具有优异性能,应用广泛。介绍了纳米二硫化钼的液相法、化学气相沉淀法的制备研究进展,及几种方法中存在的问题,指出了纳米二硫化钼制备方法的发展趋势。

纳米粒子的新应用—纳米润滑添加剂的发展现状

总结了当前用于润滑油领域的纳米添加剂的类型、所能达到的润滑效果以及在摩擦过程中起抗磨性的原理。特别介绍了纳米氢氧化物、纳米硼酸盐等的润滑性能。叙述了纳米粒子及其抗磨性的检测手段 。

氮流量对热丝制备富硅-氮化硅薄膜的结构及性质影响

采用热丝化学气相沉积法,以Si H4、NH3、N2作为反应气源,通过改变氮气流量来制备富硅-氮化硅薄膜材料。通过傅里叶红外变换谱、紫外-可见光吸收谱、光致发光谱、扫描电镜分别对薄膜的结构、带隙宽度、发光特性及表面形貌进行表征与分析。实验结果表明,随着氮气流量增加,薄膜中N原子含量减少,镶嵌在氮化硅母质中的硅团簇增大,Si-N键的键密度逐渐减少,薄膜的光学带隙Eg和带尾能EU呈现减小的趋势,薄膜有序度增加,且由氮悬挂键所引起的缺陷态发光峰增强。当氮气流量为30sccm时,Si-N键的非对称伸缩模式和Si-H键伸缩振动模发生了蓝移,当[N2]/[NH3]流量比小于5:1时,氮气流量对薄膜中氮含量的影响非常明显,适当地降低氮流量有利于制备出富硅-氮化硅薄膜。

双复纤维的制备及厘米波段吸波性能

采用电加热和化学气相沉淀(CVD)法合成双复纤维材料,将其研磨后,均匀分散于有机高分子黏合剂中,制成一定规格的波导样品,利用喷涂技术制成平板涂层样品,对波导样品的电磁参数和平板样品的反射率进行了测试和分析比较。结果表明,涂层样品在双复纤维含量为12.5%、涂层厚度d=1mm时,效果最佳,吸收峰为-6.52dB,从7.02～18GHz反射率低于-5dB,有效带宽近11GHz,而且利用双复纤维制成的涂层面密度比较低(d=1mm时,密度1.42kg/m2)。

石墨烯生产技术改进意在大幅降低成本

化学气相沉淀法（CVD）和机械剥离法是商业化生产石墨烯的两个主要路径。化学气相沉淀法工艺是将甲烷和氢气在反应室中加热,在铜基体表面高温分解后的碳原子会沉淀在基体上生成石墨烯片,该工艺成本较高。目前各界科研人员都在寻找降低成本的方法。2015年11月,格拉斯哥大学和毕尔肯大学的研究人员联合发表论文介绍了一种低成本的CVD技术。研究人员利用经济可行的铜箔来生产石墨烯，并且生产出的石墨烯质量高，具有很好的结构、电学和光学特性。

InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.

炭素专利

公开号:CN108147398B公开日:2021-05-18申请人:深圳大学发明人:房瑞阳,高致慧,李辉,等发明名称:在传感器基体表面制备石墨烯层的方法本发明涉及一种在传感器基体表面制备石墨烯层的方法,步骤如下:以铜箔为衬底,使用化学气相沉淀法制得石墨烯层,并对其形成支撑膜;去除多余的石墨烯和支撑膜,去除所述衬底;将石墨烯层的无支撑膜一面放置在传感器基底表面,使二者接触并经过加热处理使得石墨烯层结合在基体表面;去掉支撑膜,并清洁石墨烯层表面。

美国宝石学院（GIA）称阿波罗公司最新生产的CVD合成钻石是可以鉴别的

由美国阿波罗（Apollo）钻石公司运用化学气相沉淀法（CVD）生产的合成钻石在产品问世后的5年来，已有少量的这类合成钻石进入了商业珠宝市场（见图1）。值得庆幸的是．《宝石与宝石学》杂志在2007年第4期发表了一篇有关CVD合成钻石鉴定的文章．并指出这类合成钻石可通过宝石学特征以及大型实验室的先进钻石检测仪器的测定而鉴别．

明确公示 加强监管 CVD合成钻石难逃质检火眼金睛

国家珠宝玉石质量监督检验中心（NGTC）自今年2月份在日常接检过程中发现化学气相沉淀法合成钻石（以下称“CVD合成钻石”），ChjnaGems在第一时间即对此情况进行了跟踪报道。