膜层性能可控和高沉积速率的多层复合膜的化学气相沉积装置与方法

20030401 化学气相沉积Ti-Si-C-N新型涂层——Kao D H.TheSolid Film,2002,419(11):11(英文) 探讨了常压下TiCl_4,SiCl_4,C_2H_2,NH_3和Ar作反应气体,用化学气相沉积方法制备的Ti-Si-C-N四元复合涂层。为了降低沉积温度,改变了过去常用的工艺条件,以NH_3取代N_2。在不同的沉积温度和SiCl_4流量的工况下,研究了四元涂层的沉积过程。当涂层厚度为4.5～20.0μm时,生长速率较快(9.0～40.0μm/h),且与工艺参数有关。值得注意的是:在各种温度下SiCl_4的流量会影响涂层的组织、成分和生长动力学。涂层硬度为11.5～20.3GPa时,且与沉积温度和SiCl_4供量有关。

以100倍的沉积速度进行类金刚石碳成膜的大气压等离子化学气相沉积装置

日本庆臆义塾大学理工学部的铃木哲也教授开发了一种大气压等离子化学气相沉积（CVD）装置，该装置可以将类金刚石碳（DLC）在大气压下成膜为薄膜状，宽50cm的薄膜在通过1对电极间的空间过程中向表面成膜。与采用真空容器的方法相比，膜的沉积速度提高100倍，制造成本降低为原来的1／100。

新型微波等离子体化学沉积装置的数值仿真

为了解决2.45 GHz微波等离子体化学沉积(MPCVD)装置沉积金刚石面积小、质量低的问题,提出了一款新型915 MHz半球形的MPCVD装置,并使用COMSOL软件对装置的结构进行优化设计。优化结果表明,当薄板与中心轴的距离为70 mm时,顶部电场强度仅为500 V/m,可以有效屏蔽谐振腔顶部次生电场的产生。将气体入口设置在谐振腔顶部时,气流会从基片台上均匀地横向扩散到底部排气孔,保证了反应物在基片台上的均匀分布。腔体底部的调谐机构可将谐振腔内的电场强度维持在4000 V/m以上,以确保金刚石的生长条件。优化设计了同轴天线穿过矩形波导的距离和同轴波导中心到短路活塞的距离,将反射系数S11降低到-8.7 dB。设计的新型915 MHz MPCVD装置可在高功率、高气压条件下沉积大面积、高质量的金刚石薄膜,具有实际应用价值。

CN2666928一种等离子热丝法化学气相沉积金刚石膜的装置

本实用新型涉及一种等离子热丝法化学气相沉积金刚石膜的装置，属于化学气相沉积领域。本实用新型在传统热丝法化学气相沉积装置中引入等离子辉光放电，即在化学气相沉积装置真空室中的热丝的上方设置一上电极，在基台和上电极上的可调圆盘之间通过直流电源施加较高的偏压，使基台与圆盘之间产生辉光放电，从而极大的提高了金刚石膜的生长速率；而且由于灯丝上不再施加偏压，故其使用寿命得到大幅度提高。另外，本实用新型装置可在50Pa至6000Pa气压范围方便的进行金刚石膜等薄膜材料的掺杂沉积，还可以用于制备类金刚石膜、氮化碳膜、氮化硼膜、碳化硅膜等薄膜和掺杂沉积，应用范围非常广泛。

一种钨制品的制备装置及方法

申请（专利）号：201710689624.2公开（公告）日：2017-12-08申请（专利权）人：北京理工大学中船重工（邯郸）派瑞特种气体有限公司摘要：本发明涉及一种钨制品的制备装置及方法,特别涉及超高纯度、超高致密度的高端钨制品工业化绿色制造装置及工艺,属于难熔金属特种加工技术领域。本发明的装置通过电解制气装置、氟化装置、化学气相沉积装置和尾气处理装置构成封闭循环.

W过渡层结合界面对金刚石薄膜在WC-6%Co上的附着力的影响

在微波等离子体化学气相沉积装置中,采用负偏压形核等方法,研究两种不同的W过渡层/基体结合界面对金刚石薄膜与WC 6%Co附着力的影响。采用氢等离子体脱碳、磁控溅射镀W、高偏压碳化等方法,在YG6衬底表面形成化学反应型界面,W膜在碳化时和基体WC连为一体,极大地增加了W膜与基体的附着力,明显优于直接镀钨、碳化形成的物理吸附界面。在高负偏压下碳化,能提高表面粗糙度,增加膜与基体机械钳合,而负偏压形核增加核密度,从而增加膜与基体的接触面积,结果极大地提高了金刚石薄膜的附着力。

基片预处理对CVD金刚石薄膜形核的影响

微波辅助等离子体化学气相沉积法是目前低压气相合成金刚石薄膜方法中应用最普遍、工艺最成熟的方法,形核是CVD金刚石沉积的第一步.利用微波辅助等离子体化学气相沉积装置,研究了硅基片预处理方式对金刚石薄膜形核密度的影响.在工作气压为5～8 kPa,微波功率为2 500～5 000 W,甲烷流量为4～8 cm3/min,氢气流量为200 cm3/min,沉积温度为500℃～850℃的条件下,在单晶Si基片上沉积金刚石薄膜.通过扫描电子显微镜形貌观察表明,基片预处理能够显著提高金刚石形核密度,同时用拉曼光谱表征了金刚石薄膜的质量.

CVD金刚石膜产业化制备技术研究

为了解决化学气相沉积金刚石膜产业化进程中存在的生长速率慢、沉积尺寸小的难题,自行研制了适宜于大尺寸金刚石膜高速生长的电子辅助热灯丝式化学气相沉积(EAHFCVD)装置,通过反应气体中加氧将碳源浓度提高到10%以上,并优化反应压力与直流偏流密度二参数间的匹配,研究了该装置的生产特性,同时利用SEM、XRD和Raman光谱对沉积的金刚石膜进行了分析表征.研究结果表明,应用该装置高质量金刚石膜的沉积尺寸可达100mm以上,生长速率达到约10μm/h的水平,并制备出100mm×1 5mm的完整金刚石自支撑膜片,该技术可满足产业化生产的要求.

金刚石涂层氮化硅

美国弗琅荷费研究所（Fraunhofer Institute）的研究人员新近研制成功一种具有高度耐磨而且摩擦系数很小的表面金刚石涂层的氮化硅材料，商品名为“DiaCer”。它可广泛应用于重载下工作的工具和构件，如泵和成形模具等。氮化硅或碳化物陶瓷制件首先置于装设有热丝化学气相沉积装置的真空反应器中，然后通入甲烷和氢气，通过加热丝加热到白炽化温度，