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化学气相沉积法制备ZnS中“彩色”来源和可见光散射控制研究
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作者 缪彦美 子光平 +1 位作者 彭明清 应飞飞 《云南冶金》 2024年第5期108-110,121,共4页
针对化学气相沉积法制备ZnS材料颜色变化、可见光散射等问题,采用自主开发的ZnS沉积系统,通过调整沉积工艺条件Zn/S比、沉积温度等相关条件,开展一系列从低温到高温、富Zn到富S的生长沉积试验。研究结果表明:制备的ZnS呈现灰色(富Zn、... 针对化学气相沉积法制备ZnS材料颜色变化、可见光散射等问题,采用自主开发的ZnS沉积系统,通过调整沉积工艺条件Zn/S比、沉积温度等相关条件,开展一系列从低温到高温、富Zn到富S的生长沉积试验。研究结果表明:制备的ZnS呈现灰色(富Zn、较低温)→浅白色(富S、较高温)的变化规律,颜色偏红的ZnS透过性能更好;沉积温度过高,ZnS生长快,晶体中微孔和六方相结构ZnS会增多,造成光的散射增加,影响材料的透过性能。 展开更多
关键词 化学沉积 硫化锌 透过性能
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热丝化学气相沉积法制备单晶金刚石的试验研究
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作者 张川 刘栋栋 +1 位作者 陆明 孙方宏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期279-285,F0003,共8页
热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延... 热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延生长。结果表明,在热丝温度为2200℃、碳源浓度为4%、腔体气压为4 kPa的条件下,单晶金刚石以3.41μm/h的速度生长,表面无多晶、破口、孔洞等缺陷;外延层X射线衍射光谱在(400)面处峰值的半高宽为0.11°,低于基体的半高宽0.16°,证明外延层具有较高的晶体质量;氮气的引入可以提升单晶金刚石的生长速度,同时降低外延层的晶体质量,较高的氮气浓度还会使得单晶金刚石的生长模式转为岛状生长。 展开更多
关键词 热丝化学沉积 单晶金刚石 工艺参数优化 掺杂
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化学气相沉积ZnS、ZnSe研究进展 被引量:1
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作者 赵小玻 韦中华 +2 位作者 张旭 钱纁 于浩海 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2125-2134,共10页
化学气相沉积(CVD)ZnS、ZnSe具有较高的红外透过率及良好的光学、力学性能,是红外军用探测系统首选的红外光学材料。大尺寸、高均匀性ZnS、ZnSe材料的制备是未来研究的重要课题。本文介绍了CVD的原理及在沉积过程中存在的主要问题,阐述... 化学气相沉积(CVD)ZnS、ZnSe具有较高的红外透过率及良好的光学、力学性能,是红外军用探测系统首选的红外光学材料。大尺寸、高均匀性ZnS、ZnSe材料的制备是未来研究的重要课题。本文介绍了CVD的原理及在沉积过程中存在的主要问题,阐述了高性能红外材料必备的光学性能,综述和分析了CVD ZnS、CVD ZnSe的研究进展,以及这两种材料主要缺陷形成机理与工艺控制研究。旨在改进生产工艺参数,为批量化制备高性能ZnS、ZnSe材料提供理论参考,以满足其在军事领域上的应用。 展开更多
关键词 zns znsE 化学沉积 透过率 吸收系数 缺陷 红外光学材料
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化学气相沉积HfO_(2)涂层的制备及性能
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作者 何锐朋 朱利安 +4 位作者 王震 叶益聪 李顺 唐宇 白书欣 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期67-75,共9页
采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结... 采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结果表明:HfO_(2)涂层与基体结合良好,在经历25~2000℃,100次循环热震后涂层表面未出现宏观剥落;划痕法测定的涂层附着力约23 N;在2.5~5μm波段,涂层表面平均发射率为0.48,将Mo在该波段的平均发射率提高了近5倍。 展开更多
关键词 化学沉积 氧化铪涂层 热力学计算 发射率 抗热震性
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机器学习在化学气相沉积中的应用研究进展
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作者 谢炜 明帅强 +1 位作者 夏洋 周兰江 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期331-339,共9页
化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的... 化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的典型应用,总结并分析了未来应用的发展趋势。 展开更多
关键词 化学沉积 无机材料 薄膜 机器学习
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铜箔衬底对化学气相沉积法制备石墨烯的影响 被引量:1
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作者 王云鹏 刘宇宁 +3 位作者 王同波 张嘉凝 莫永达 娄花芬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期173-177,共5页
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下... 化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下两类铜箔对生长石墨烯的影响。研究表明,电解铜箔的表面粗糙度在预处理与退火后均大于压延铜箔。压延铜箔由于经历变形,退火处理后晶粒尺寸为37μm,Cu(111)面比例约40%,电解铜箔退火后晶粒尺寸约为24μm,Cu(111)面比例约为28%,压延铜箔优于电解铜箔。CVD制备石墨烯后发现压延铜箔上生长的石墨烯岛的面积大于电解铜箔,石墨烯缺陷要少于电解铜箔,即相同制备条件与相同厚度下压延铜箔上制备的石墨烯质量优于电解铜箔上制备的石墨烯。 展开更多
关键词 电解铜箔 压延铜箔 化学沉积 石墨烯
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3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究
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作者 彭善成 李一言 +3 位作者 马慧磊 杜铭骐 刘传歆 贺周同 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期79-89,共11页
3C-SiC又称β-SiC,有着优异的耐高温、耐腐蚀、耐辐照性能,是反应堆这类复杂环境中的理想材料。近年来,一维碳化硅纳米线材料成为碳化硅材料研究领域的热门研究方向,同时也面临加工手段匮乏、加工难度大的问题。我们通过化学气相沉积法... 3C-SiC又称β-SiC,有着优异的耐高温、耐腐蚀、耐辐照性能,是反应堆这类复杂环境中的理想材料。近年来,一维碳化硅纳米线材料成为碳化硅材料研究领域的热门研究方向,同时也面临加工手段匮乏、加工难度大的问题。我们通过化学气相沉积法成功制备了含有高密度堆叠层错的3C-SiC纳米线,并采用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)以及拉曼光谱(Raman spectrum)等多种手段对制备出来的碳化硅纳米线进行了微观结构表征,揭示了其独特的微观形态和晶体结构特征;进一步研究了超声裁剪碳化硅纳米线,利用“气泡-射流”模型结合碳化硅纳米线的形态解释了碳化硅纳米线的超声裁剪过程,探索了碳化硅纳米线的直径、强度、缺陷等对其在超声过程中断裂行为的影响。本研究为碳化硅纳米线的超声裁剪加工和纳米线的强度研究提供了新的视角,对于未来碳化硅纳米线在核能领域的应用具有重要的意义。 展开更多
关键词 3C-SIC 化学沉积 碳化硅纳米线 纳米线断裂行为 超声裁剪
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化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜
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作者 徐玉琦 李晴雯 钟敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期841-847,共7页
碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI_(3)粉末作为蒸发源,O_(2)/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源... 碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI_(3)粉末作为蒸发源,O_(2)/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源温度和沉积时间对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiOI薄膜的生长机理。结果表明CVD方法制备的BiOI薄膜属于四方晶系,具有高c轴取向的特点。c轴取向的薄膜平行于基底生长,其结晶性、透过率及缺陷性能等都与蒸发温度和沉积时间密切相关。当蒸发温度为370℃、沉积时间为20 min时,BiOI薄膜的晶化最好,透过率最低,缺陷最少。 展开更多
关键词 碘氧化铋 光电材料 化学沉积 半导体
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化学气相沉积SiC涂层的制备及水热腐蚀行为
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作者 毛健 陈招科 +1 位作者 徐振男 熊翔 《粉末冶金材料科学与工程》 2024年第5期373-383,共11页
采用化学气相沉积法在高纯石墨块上制备SiC涂层,并进行水热腐蚀实验,研究化学气相沉积工艺、涂层形貌结构与涂层水热腐蚀行为的关系。结果表明:随稀释氢气流量增大,涂层平均晶粒尺寸减小,涂层出现游离Si的可能性增大,其耐水热腐蚀性能... 采用化学气相沉积法在高纯石墨块上制备SiC涂层,并进行水热腐蚀实验,研究化学气相沉积工艺、涂层形貌结构与涂层水热腐蚀行为的关系。结果表明:随稀释氢气流量增大,涂层平均晶粒尺寸减小,涂层出现游离Si的可能性增大,其耐水热腐蚀性能逐渐降低;随沉积温度从1 000℃升高至1 300℃,涂层结晶度和平均晶粒尺寸都先增大后减小,在沉积温度为1 200℃时获得最大值,水热腐蚀后涂层结构和晶粒形貌保持完好;随三氯甲基硅烷水浴温度升高,涂层的平均晶粒尺寸增大,50℃水浴温度下制备的涂层结晶度最差且被腐蚀得最严重。 展开更多
关键词 SIC涂层 化学沉积 水热腐蚀 晶粒尺寸 结晶度
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金属有机物化学气相沉积颗粒物污染及在线氯气清洗工艺研究
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作者 杨超普 方文卿 李晓龙 《广东化工》 CAS 2024年第9期25-27,20,共4页
近耦合喷淋MOCVD在硅衬底GaN基LED外延生长中优势显著。外延中反应室内颗粒物污染直接影响着晶体质量。通过自主设计加工全316L不锈钢近耦合MOCVD喷头,在近耦合喷淋MOCVD上首次实现了在线氯气清洗并完成工艺优化。利用激光尘埃粒子计数... 近耦合喷淋MOCVD在硅衬底GaN基LED外延生长中优势显著。外延中反应室内颗粒物污染直接影响着晶体质量。通过自主设计加工全316L不锈钢近耦合MOCVD喷头,在近耦合喷淋MOCVD上首次实现了在线氯气清洗并完成工艺优化。利用激光尘埃粒子计数器对硅衬底GaN基LED外延过程中,不同工艺、反应室不同位置颗粒物数量随时间变化、粒径分布进行研究。验证了近耦合喷淋MOCVD在线氯气清洗可行且效果良好。发现抹灰工艺会产生大量颗粒物,10min颗粒物难以稳定。颗粒物污染主要来自加热器,且加热器处颗粒物粒径较大。该结果可为外延工艺优化及相关设备开发提供参考。 展开更多
关键词 金属有机物化学沉积 外延生长 清洗 颗粒物污染
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术 被引量:1
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作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第2期86-88,共3页
(接2023年第1期88页)2.1 PECVD技术原理与特征等离子激发的化学气相沉积借助于真空环境下气体辉光放电产生的低温等离子体,增强了反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基片上形成新的固体膜。图1是PECVD装置... (接2023年第1期88页)2.1 PECVD技术原理与特征等离子激发的化学气相沉积借助于真空环境下气体辉光放电产生的低温等离子体,增强了反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基片上形成新的固体膜。图1是PECVD装置示意图。 展开更多
关键词 反应物质 辉光放电 低温等离子体 化学活性 化学沉积 真空环境 化学反应 示意图
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化学气相沉积法制备智能窗用热致变色VO_(2)薄膜的研究进展
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作者 鲍可 李西军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期233-258,共26页
热致变色智能窗是通过在玻璃上沉积温度刺激响应型材料,实现根据环境温度调控窗户玻璃的太阳光透过率,减少建筑物能耗的节能窗户。二氧化钒(VO_(2))是一种典型的热致相变材料,在~68℃发生金属-绝缘体相变,相变前后伴随光学性能的显著变... 热致变色智能窗是通过在玻璃上沉积温度刺激响应型材料,实现根据环境温度调控窗户玻璃的太阳光透过率,减少建筑物能耗的节能窗户。二氧化钒(VO_(2))是一种典型的热致相变材料,在~68℃发生金属-绝缘体相变,相变前后伴随光学性能的显著变化,在智能窗等多个领域有潜在的技术应用。然而,当前VO_(2)基热致变色智能窗的应用仍存在着相变温度(τc)偏高、可见光透过率(Tlum)低和太阳能调节效率(ΔTsol)不足等问题,无法满足实际建筑节能的需求。为了解决这些问题,研究人员开展了广泛而深入的工作。化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD)能够以合理的成本生产高质量、大面积的VO_(2)薄膜,受到研究者青睐。本文总结了近年来利用CVD技术制备VO_(2)薄膜的研究进展,系统介绍常压化学气相沉积、气溶胶辅助化学气相沉积、低压化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积和等离子体增强化学气相沉积等CVD工艺,分析了反应物种类及比例、反应温度、压力、载体流量等因素对VO_(2)薄膜质量的影响,并结合元素掺杂、纳米复合薄膜、多层膜结构等对VO_(2)薄膜的性能调控与优化进行总结,最后对未来等离子体增强化学气相沉积制备VO_(2)薄膜的研究前景做出展望。 展开更多
关键词 二氧化钒 热致变色 智能窗 化学沉积 薄膜 综述
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化学气相沉积法制备高氮掺杂碳纳米笼的电容去离子性能
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作者 薛玉红 伊尔夏提·地力夏提 +6 位作者 古丽格娜·皮达买买提 白翔 伏桂仪 魏贤勇 何晓燕 赵红光 王艳丽 《洁净煤技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期78-86,共9页
电容去离子(CDI)是一种基于电场力驱动的快速去除水中带电离子的新型脱盐技术,在盐水预富集和降低零排能耗方面极具潜力。但目前CDI技术受限于多孔碳电极低电吸附活性及不可控的孔结构分布导致脱盐容量和电荷效率较低,限制其进一步应用... 电容去离子(CDI)是一种基于电场力驱动的快速去除水中带电离子的新型脱盐技术,在盐水预富集和降低零排能耗方面极具潜力。但目前CDI技术受限于多孔碳电极低电吸附活性及不可控的孔结构分布导致脱盐容量和电荷效率较低,限制其进一步应用。为此,以吡啶在为碳源、碱式碳酸镁为模板剂通过化学气相沉法,构建了高活性表面、结构可控的N掺杂碳纳米笼状结构(N-CNC),探究其脱盐性能。通过精准控制载气与吡啶进入量,制备的N-CNC是由3~5层石墨化碳层层堆叠的空心长方体形貌,且外壁平均壁厚在1~2 nm,其中N质量分数高达4.2%。得益于这种优异的孔隙结构分布和丰富的表面化学性质,N-CNC展现出以赝电容贡献为主的电化学行为。组装N-CNC//N-CNC对称模块,采用单通道脱盐模式脱盐测试,结果表明,盐吸附量和电荷效率分别为21.8 mg/g和82%,能耗低至0.71 Wh/g。进一步使用自组装CDI模块处理煤化工高盐水,在1.2 V吸附电压下获得Cl^(-)、SO_(4)^(2-)和NO_(3)^(-)电吸附脱盐容量分别为33.4、20.5和8.9 mg/g,其中Cl-/SO_(4)^(2-)选择性比高达5.1。本研究提供了一种简便可控的N掺杂碳纳米笼状结构制备方法,为CDI浓缩工业卤水预富集应用提供理论和技术支撑。 展开更多
关键词 吡啶 化学沉积 碳纳米笼 电容脱盐 吸附量 煤化工废水
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化学气相沉积陶瓷薄膜高温摩擦磨损性能研究
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作者 王旋 殷宇 +9 位作者 张立业 代野 周富 彭冬 白懿心 丁星星 董玲抒 花泽荟 戴明辉 丛大龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期68-76,共9页
目的对比研究不同陶瓷薄膜的耐高温磨损性能。方法采用化学气相沉积工艺制备了TiN/TiCN、TiN/Al_(2)O_(3)、TiN/TiCN/Al_(2)O_(3)3种陶瓷薄膜。通过划痕测试、显微硬度测试、高温摩擦磨损试验等测试方法,分别表征并评价3种陶瓷薄膜的附... 目的对比研究不同陶瓷薄膜的耐高温磨损性能。方法采用化学气相沉积工艺制备了TiN/TiCN、TiN/Al_(2)O_(3)、TiN/TiCN/Al_(2)O_(3)3种陶瓷薄膜。通过划痕测试、显微硬度测试、高温摩擦磨损试验等测试方法,分别表征并评价3种陶瓷薄膜的附着力、硬度、耐600℃高温磨损性能,并通过扫描电子显微镜和光学显微镜对磨痕形貌进行分析。结果化学气相沉积制备的3种陶瓷薄膜结构致密,无孔隙、裂纹等缺陷,且与基材结合界面良好,其中,TiN/TiCN/Al_(2)O_(3)多层薄膜与基体结合力最佳,为68.53 N,但其表层Al_(2)O_(3)薄膜与中间层TiCN薄膜结合强度较弱。600℃高温摩擦磨损结果表明,TiN/Al_(2)O_(3)薄膜具有最高的高温摩擦因数,平均为0.51,但其耐高温磨损性能最佳,体积磨损率为0.58×10^(‒5)mm^(3)/(N·m);而TiN/TiCN薄膜具有最低的高温摩擦因数,平均为0.37,但其耐高温磨损性能最差,体积磨损率为4.23×10^(‒5) mm^(3)/(N·m)。结论3种陶瓷薄膜高温摩擦磨损的主要损伤形式各异,TiN/TiCN薄膜的主要磨损机制为黏着磨损、氧化磨损和疲劳磨损,TiN/Al_(2)O_(3)薄膜的主要磨损机制为磨粒磨损,TiN/TiCN/Al_(2)O_(3)多层薄膜的主要磨损机制为磨粒磨损和氧化磨损。TiN/Al_(2)O_(3)薄膜的耐高温磨损性能最佳是由于其硬度较高,且化学性质稳定,主要磨损形式为磨粒磨损,较难被磨损去除。而TiN/TiCN薄膜耐高温磨损性能最差是由于TiCN薄膜硬度较低,在高温摩擦作用下,会发生氧化磨损、黏着磨损、疲劳磨损等多种损伤形式。 展开更多
关键词 化学沉积 陶瓷薄膜 高温摩擦磨损 结合力 耐磨性 磨损机制
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MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究
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作者 吴蕊 胡洋 +5 位作者 唐荣芬 阳倩 王序 吴怡逸 聂登攀 王环江 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1608-1619,共12页
本文利用量子化学的密度泛函理论(DFT),研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长ZnO薄膜过程中二乙基锌(DEZn)与叔丁醇(t-BuOH)体系的气相寄生反应机理。通过计算不同温度下反应路径的Gibbs自由能变化,从热力学角度详细分析关键中间产物(... 本文利用量子化学的密度泛函理论(DFT),研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长ZnO薄膜过程中二乙基锌(DEZn)与叔丁醇(t-BuOH)体系的气相寄生反应机理。通过计算不同温度下反应路径的Gibbs自由能变化,从热力学角度详细分析关键中间产物(HOZnOBut、H(ZnO)_(2)But、HZnOH)的水解及二聚物(Zn_(2)O_(2)H_(4)、Zn_(2)O_(4)H_(4)、Zn_(4)O_(4)H_(4))、三聚物(Zn_(3)O_(6)H_(6))的形成,揭示不利于ZnO薄膜生长的纳米颗粒可能的形成路径和产物。研究发现在高温沉积条件下(673.15 K<T<713.15 K),DEZn热解后的中间产物H(ZnO)_(2)But容易与H_(2)O发生双分子碰撞直接生成有利于ZnO薄膜生长的(ZnOH)_(2)。但是这类中间产物同时会通过聚合消去反应形成二聚物和三聚物,这些聚合物是形成纳米颗粒的重要前体,其中由HOZnOBut聚合产生的聚合物(HOZnOBut)2连续脱去C4 H8,并最终形成Zn_(2)O_(4)H_(4)的反应最容易发生。因此,二聚物Zn_(2)O_(4)H_(4)是最有可能提供纳米颗粒的重要前体。 展开更多
关键词 氧化锌 金属有机化学沉积 密度泛函理论 寄生反应 薄膜 二聚物
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赵培教授团队:紧焦化学气相沉积技术,开启薄膜材料创新之门
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《武汉工程大学学报》 CAS 2024年第4期F0002-F0002,共1页
赵培,教授,博士生导师,楚天学子/工大学者特聘教授、“湖北省杰出青年科学基金”及“武汉市青年科技晨光计划”人才基金项目获得者;2021年被评为武汉工程大学材料学科带头人;主要从事化学气相沉积法制备各种结构及功能薄膜/涂层的技术... 赵培,教授,博士生导师,楚天学子/工大学者特聘教授、“湖北省杰出青年科学基金”及“武汉市青年科技晨光计划”人才基金项目获得者;2021年被评为武汉工程大学材料学科带头人;主要从事化学气相沉积法制备各种结构及功能薄膜/涂层的技术和设备开发研究。 展开更多
关键词 学科带头人 基金项目 武汉工程大学 化学沉积技术 薄膜材料 化学沉积 博士生导师 创新之门
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化学气相沉积法在锂离子电池硅/碳负极中的应用
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作者 成业 郭纵 +2 位作者 郑朝振 刘朋远 王舒玮 《矿冶》 CAS 2024年第5期729-737,共9页
在众多锂离子电池负极材料中,硅由于其超高的理论容量(4200 mA·h·g^(-1)),被认为是下一代高能量密度电池最有前途的负极材料。然而,硅基材料在循环中较大的体积效应,限制了其电化学性能的发挥,并极大地阻碍了其实际应用。研... 在众多锂离子电池负极材料中,硅由于其超高的理论容量(4200 mA·h·g^(-1)),被认为是下一代高能量密度电池最有前途的负极材料。然而,硅基材料在循环中较大的体积效应,限制了其电化学性能的发挥,并极大地阻碍了其实际应用。研究表明,硅/碳复合负极材料能够有效缓解硅的体积膨胀,提升导电性,从而提高硅基负极的稳定性和电池的循环寿命。然而,实现高稳定性的批量生产仍然是一个巨大的挑战。由于化学气相沉积法(CVD)可以实现高质量沉积,且工艺简单,因此在制备硅/碳负极材料中得到广泛应用。从沉积硅、沉积碳和沉积硅/碳三个方面展开综述了化学气相沉积法在锂离子电池硅/碳负极中的应用,重点介绍了其设计策略和电池性能。最后,给出了硅基负极的发展趋势和应用前景。 展开更多
关键词 硅/碳负极 化学沉积 锂离子电池 硅基负极 化学性能 负极材料
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金属基底上化学气相沉积法制备石墨烯研究进展
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作者 张光辉 《山东化工》 CAS 2024年第12期68-71,共4页
石墨烯因其独特的结构以及卓越的光、电、热性能,已成为材料科学领域的研究焦点。目前,制造或分离单层和双层石墨烯的方法多种多样,其中化学气相沉积技术因其能够生产高质量石墨烯而备受青睐。化学气相沉积不仅可以在不同金属基底上成... 石墨烯因其独特的结构以及卓越的光、电、热性能,已成为材料科学领域的研究焦点。目前,制造或分离单层和双层石墨烯的方法多种多样,其中化学气相沉积技术因其能够生产高质量石墨烯而备受青睐。化学气相沉积不仅可以在不同金属基底上成功合成石墨烯,而且具有大规模生产的潜力,操作简便,成本效益高。本文将对化学气相沉积法在不同金属基底上制备石墨烯的过程进行综述,并展望其未来的发展方向。 展开更多
关键词 石墨烯 化学沉积 金属基底
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术
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作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第1期86-88,共3页
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是在一定温度条件下,混合气体之间或混合气体与基材表面相互作用,并在基材表面上形成金属或化合物的薄膜镀层,使材料表面改性,以满足耐磨、抗氧化、抗腐蚀以及特定的电学、光学和摩擦学等... 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是在一定温度条件下,混合气体之间或混合气体与基材表面相互作用,并在基材表面上形成金属或化合物的薄膜镀层,使材料表面改性,以满足耐磨、抗氧化、抗腐蚀以及特定的电学、光学和摩擦学等特殊性能要求的一种技术。 展开更多
关键词 化学沉积 基材表面 混合 材料表面改性 摩擦学 抗腐蚀 特殊性能
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术
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作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第3期86-88,共3页
(接2023年第2期88页)(5)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下:(1)PECVD反应是非选择性的。在等离子体中,电子能量分布的范围宽,除电子碰撞外,... (接2023年第2期88页)(5)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下:(1)PECVD反应是非选择性的。在等离子体中,电子能量分布的范围宽,除电子碰撞外,其离子的碰撞和放电时产生的射线作用也可产生新的粒子。从这一点上看,等离子体增强CVD的反应未必是选择性的,有可能存在几种化学反应,致使反应产物难以控制。有些反应机理也难以解释清楚。所以采用等离子体增强CVD难以获得纯净的物质。 展开更多
关键词 电子碰撞 等离子体增强 化学沉积 电子能量分布 金属膜 聚合膜 反应产物 PEcvd
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