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混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB_2超导薄膜技术 被引量:2
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作者 周章渝 杨发顺 +2 位作者 王松 杨健 傅兴华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期893-896,共4页
介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生... 介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响。结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高。 展开更多
关键词 MGB2超导薄膜 沉积温度 混合物理化学气相法(HPCVD)
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化学气相法低温合成纳米WC-Co-VC粉体 被引量:3
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作者 谭国龙 吴希俊 甘波 《中国有色金属学报》 CSCD 北大核心 1998年第S2期283-285,共3页
利用H2/C2H2混合气体在850℃下还原碳化高表面活性的纳米WO3(CoO,V2O5)先驱粉体,合成了平均粒度为20~50nm的WC-Co-VC复相粉体。制备过程分3步完成:制备先驱体溶液、合成超细WO3(CoO,V2O5)粉体及其还原碳化过程。当温度低于80... 利用H2/C2H2混合气体在850℃下还原碳化高表面活性的纳米WO3(CoO,V2O5)先驱粉体,合成了平均粒度为20~50nm的WC-Co-VC复相粉体。制备过程分3步完成:制备先驱体溶液、合成超细WO3(CoO,V2O5)粉体及其还原碳化过程。当温度低于800℃时,还原碳化产物为WC,W2C,W,VC和Co3W3C的混合物。高于900℃的温度下,先驱体完全碳化为六方WC、立方Co和立方VC的纳米复相粉体。结果表明,WO3(CoO,V2O5)先驱体在H2/C2H2气流下的还原碳化行为与其初始结晶状态、碳化温度、气流速度等工艺参数密切相关。 展开更多
关键词 纳米WC 复合粉体 化学气相法 硬质合金
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化学气相法制备纳米级氮化铁超细粉末 被引量:4
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作者 曹茂盛 邓启刚 +1 位作者 房晓勇 李书鹏 《西北纺织工学院学报》 1995年第4期372-375,共4页
采用化学气相法制备了纳米级氮化铁超细粉末,利用XRD、TEM、XPS和VSM测试了粉末的基本物性,初步表征了粉末的物相、形貌、粒度、成分及相应的磁性.实验结果表明,化学气相法可以制备出均匀、链状、超细的氮化铁粉末,并... 采用化学气相法制备了纳米级氮化铁超细粉末,利用XRD、TEM、XPS和VSM测试了粉末的基本物性,初步表征了粉末的物相、形貌、粒度、成分及相应的磁性.实验结果表明,化学气相法可以制备出均匀、链状、超细的氮化铁粉末,并且该粉末的磁性指标优于γ-Fe2O3和田中隆夫的同类研究结果. 展开更多
关键词 化学气相法 纳米级超细粉末 氮化铁 磁粉
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化学气相法生长ZnO单晶的热动特性研究 被引量:3
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作者 彭柱 曾体贤 +4 位作者 陈太红 彭丽萍 王新明 王雪敏 吴卫东 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期64-67,92,共5页
研究了ZnO-C体系化学气相法生长ZnO单晶的Zn、CO、O2、CO2、ZnO气体热力学平衡过程,计算发现主要气相物种为Zn,CO。分析了Zn和CO在N2,Ar,He气体中的扩散系数,发现Ar气既可抑制Zn物质流传输,又可减缓Zn扩散系数随温度升高而递减的趋势,... 研究了ZnO-C体系化学气相法生长ZnO单晶的Zn、CO、O2、CO2、ZnO气体热力学平衡过程,计算发现主要气相物种为Zn,CO。分析了Zn和CO在N2,Ar,He气体中的扩散系数,发现Ar气既可抑制Zn物质流传输,又可减缓Zn扩散系数随温度升高而递减的趋势,是较适宜的外加气体。建立了ZnO单晶气相生长一维传输模型,揭示了Zn的动力学输运过程,获取了三个温度梯度下(氩气背景压力分别为0 atm、0.5 atm、1 atm)Zn的物质流密度,以及温度梯度、背景压力对最大生长速率的影响。 展开更多
关键词 ZNO单晶 化学气相法 热力学 动力学
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γ-Fe_2O_3/碳纳米管复合材料的化学气相法制备及磁性 被引量:4
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作者 梁先庆 刘伟 李苞 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期18-20,28,共4页
利用化学气相沉积法,以二茂铁和水为原料,在碳纳米管表面包覆氧化铁纳米颗粒,制备出磁性氧化铁/碳纳米管复合材料。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)以及振动样品磁强计(VSM)对复合材料进行了表征。结果表明,... 利用化学气相沉积法,以二茂铁和水为原料,在碳纳米管表面包覆氧化铁纳米颗粒,制备出磁性氧化铁/碳纳米管复合材料。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)以及振动样品磁强计(VSM)对复合材料进行了表征。结果表明,包覆在碳纳米管上的是γ相Fe2O3纳米颗粒,它们均匀分布在碳纳米管表面。随着合成温度的升高,γ-Fe2O3纳米颗粒的平均粒径增大,γ-Fe2O3/碳纳米管复合材料的饱和磁化强度和矫顽力也随之增大。因此,通过简单的合成温度调节即可以实现碳纳米管复合材料纳米颗粒尺寸和磁性的控制。 展开更多
关键词 碳纳米管 Γ-FE2O3 化学沉积 磁性
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自加热化学气相法制备连续碳纤维增强碳化硅复合材料 被引量:9
6
作者 李俊红 朱时珍 +1 位作者 于晓东 苏铁健 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期29-32,共4页
通过自加热化学气相渗积法制备了 Cf/ Si C复合材料 ,对其力学性能进行了测试与分析 ,运用 SEM对复合材料显微结构和断口形貌进行了分析。研究表明 :自加热化学气相渗积法具有较快的渗积速率 ;气体流量的适度增加可改善复合材料的性能 ... 通过自加热化学气相渗积法制备了 Cf/ Si C复合材料 ,对其力学性能进行了测试与分析 ,运用 SEM对复合材料显微结构和断口形貌进行了分析。研究表明 :自加热化学气相渗积法具有较快的渗积速率 ;气体流量的适度增加可改善复合材料的性能 ;碳涂层的厚度对复合材料的力学性能有较大的影响 ,适合的涂层厚度在 0 .35~ 0 .5 展开更多
关键词 碳化硅复合材料 制备 碳纤维增强 自加热化学渗积 CF/SIC复合材料 力学性能 显微结构
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等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜 被引量:1
7
作者 郑怀礼 张玉其 +1 位作者 郑泽根 邓子华 《材料科学与工程》 CSCD 1998年第4期37-39,共3页
本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。
关键词 金刚石 薄膜 化学沉积 等离子体
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等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统
8
《中国粉体工业》 2009年第4期65-65,共1页
一、专利号专利号:ZL02123440.X 二、专利简介等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统,该系统是在等离子体化学气相法生产无定型氮化硅粉体工艺的基础上增加一个连续转相热处理装置,所述装置主要由推料器、前密封箱、... 一、专利号专利号:ZL02123440.X 二、专利简介等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统,该系统是在等离子体化学气相法生产无定型氮化硅粉体工艺的基础上增加一个连续转相热处理装置,所述装置主要由推料器、前密封箱、中温炉、高温炉、冷却带以及后密封箱组成,在该装置内装有可连续运动的多个盛粉容器,并以氨或氨与氮的混合气为保护气氛。采用本发明可连续、批量生产高a相氮化硅粉体; 展开更多
关键词 氮化硅粉体 化学气相法 批量生产 等离子体 粉体工艺 系统 热处理装置
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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:1
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作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学沉积 三维生长 拼接生长 异质外延
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SnS_(2)的化学气相沉积法制备及光电特性
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作者 南亚新 坚佳莹 +2 位作者 董芃凡 耿铭涛 常芳娥 《西安工业大学学报》 CAS 2023年第3期268-276,共9页
为了提高光电探测器的光电特性,使其具有更宽的光谱响应范围以及实现对弱光信号的探测。文中以二氧化锡和升华硫为原料,采用化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了SnS_(2)薄膜,通过干法转移制备了SnS_(2)光电探测器,探究了其在不同波长、... 为了提高光电探测器的光电特性,使其具有更宽的光谱响应范围以及实现对弱光信号的探测。文中以二氧化锡和升华硫为原料,采用化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了SnS_(2)薄膜,通过干法转移制备了SnS_(2)光电探测器,探究了其在不同波长、光强、偏压条件下的光电特性。研究结果表明:制备出的SnS_(2)为20~30μm的不规则形状晶体;SnS_(2)光电探测器在250~850 nm波长范围内有不同程度的响应,在波长440 nm附近的响应最高。在520 nm波长的激光照射下,SnS_(2)光电探测器的光响应度和光探测率分别为42.52 mA·W^(-1)和1.83×1011 cm·Hz 1/2·W^(-1),上升时间和下降时间分别为37 ms和66 ms。由于SnS_(2)是一种环境友好型材料且具有较大的带隙,使其为设计下一代高性能光电探测器提供了参考。 展开更多
关键词 二硫化锡 化学沉积 光电探测器 光电特性
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化学气相沉积法合成Si_(3)N_(4)纳米带的研究
11
作者 李思婷 李增祎 +5 位作者 傅煜然 刘丽 谭嘉林 赵文科 谭浩博 陈洋 《非金属矿》 北大核心 2023年第5期1-3,共3页
以Si粉、酚醛树脂和硝酸铁为原料,采用化学气相沉积法在氮气气氛下合成Si_(3)N_(4)纳米带。研究了热处理温度和硝酸铁添加量对合成Si_(3)N_(4)纯度和形貌的影响。结果表明,在非催化作用下,热处理温度升高有利于提高Si_(3)N_(4)纯度;温度... 以Si粉、酚醛树脂和硝酸铁为原料,采用化学气相沉积法在氮气气氛下合成Si_(3)N_(4)纳米带。研究了热处理温度和硝酸铁添加量对合成Si_(3)N_(4)纯度和形貌的影响。结果表明,在非催化作用下,热处理温度升高有利于提高Si_(3)N_(4)纯度;温度为1500℃时,合成高纯Si_(3)N_(4),其中α-Si_(3)N_(4)和β-Si_(3)N_(4)生成量分别为91%和9%。添加催化剂显著影响Si_(3)N_(4)形貌,其形貌由直线形带状结构演变为蜷曲的带状结构,具有这种带状结构的Si_(3)N_(4)为α-Si_(3)N_(4);当硝酸铁添加量为5%时,α-Si_(3)N_(4)生成量较高,为95%。 展开更多
关键词 Si_(3)N_(4)纳米带 催化 化学沉积 显微结构
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石墨烯的化学气相沉积法制备 被引量:91
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作者 任文才 高力波 +1 位作者 马来鹏 成会明 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期71-80,共10页
化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理... 化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点,重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展,并展望了未来CVD法制备石墨烯的可能发展方向,如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等。 展开更多
关键词 石墨烯 制备 化学沉积 转移
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石墨烯的化学气相沉积法制备及其表征 被引量:25
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作者 邹鹏 石文荣 +1 位作者 杨书华 黄德欢 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期264-267,共4页
石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气... 石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯,并用拉曼光谱、高分辨率扫描电镜和X射线多晶衍射对其进行了分析和表征。研究结果表明,用CVD法制备石墨烯具有工业化的可能。 展开更多
关键词 石墨烯 化学沉积(CVD) 制备 表征
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蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯 被引量:8
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作者 刘庆彬 蔚翠 +4 位作者 何泽召 王晶晶 李佳 芦伟立 冯志红 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期787-792,共6页
化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响... 化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm^2?V^(-1)?s^(-1)。 展开更多
关键词 石墨烯 蓝宝石 化学沉积 生长温度 刻蚀机理
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化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展 被引量:21
15
作者 王敏炜 彭年才 李凤仪 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期18-21,共4页
从催化剂、碳源气体及反应器的选择等方面综述了化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展 ,讨论了碳纳米管的合成机理。指出催化合成碳纳米管的研究难点在于管径的有效调控和大批量生产 。
关键词 化学沉积 制备 碳纳米管 研究进展 催化剂 碳源
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学沉积 低温 镍基板
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氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响 被引量:8
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作者 冯程程 周明 +3 位作者 吴春霞 马伟伟 李刚 蔡兰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期657-661,共5页
本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响。借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征。结... 本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响。借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征。结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇。当O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加。高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶。 展开更多
关键词 氧化锌 化学沉积 氧分压 二次生长
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CeO_2助Ni/MgO催化剂用于化学气相沉积法制备多壁碳纳米管(英文) 被引量:6
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作者 杨文 储伟 +2 位作者 江成发 文婕 孙文晶 《催化学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1323-1328,共6页
以柠檬酸燃烧法制备的Ni/MgO,Ni/CeO2-MgO和Ni/CeO2为催化剂,CH4为碳源,采用化学气相沉积法制备多壁碳纳米管(MWCNTs),通过N2吸附、X射线衍射、H2程序升温还原和X射线光电子能谱对催化剂进行表征,并运用热重和透射电镜表征了碳纳米管的... 以柠檬酸燃烧法制备的Ni/MgO,Ni/CeO2-MgO和Ni/CeO2为催化剂,CH4为碳源,采用化学气相沉积法制备多壁碳纳米管(MWCNTs),通过N2吸附、X射线衍射、H2程序升温还原和X射线光电子能谱对催化剂进行表征,并运用热重和透射电镜表征了碳纳米管的质量和形貌.结果表明,CeO2的加入可有效地降低还原温度和增加易还原Ni物种的含量,并使电子发生转移,还原后的Ni/CeO2-MgO催化剂中,Ni晶粒尺寸较小.这表明CeO2的加入使得Ni物种的化学环境发生改变,导致它和载体间的相互作用减弱,从而促进Ni物种的还原,且还原后,高度分散在CeO2-MgO载体上,从而催化剂的催化活性增加.相比Ni/MgO催化剂,Ni/CeO2-MgO为催化剂上生长的CNTs质量更高.另外,由CeO2助Ni/MgO催化剂制备出基本没有无定形碳、结晶度好的碳纳米管. 展开更多
关键词 氧化镁 二氧化铈 化学沉积 碳纳米管 甲烷裂解
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微波等离子体化学气相沉积法低温合成纳米碳管 被引量:12
19
作者 王升高 汪建华 秦勇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期957-960,共4页
纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米... 纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米金属钴颗粒 .以甲烷为碳源、氢气为载气 ,在纳米金属钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在低于 5 0 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体 化学沉积 低温合成 结构表征
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化学气相沉积法修饰13X分子筛上α-蒎烯的异构化反应 被引量:8
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作者 王亚明 王辉 +2 位作者 魏云波 邢思敏 黄若华 《林产化学与工业》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期8-12,共5页
用经化学气相沉积法(CVD)修饰的一系列13X分子筛催化a-蒎烯的异构化反应。发现随着CVD处理时间的增加,SiO_2沉积量增加,烯的选择性提高。
关键词 化学沉积 分子筛 蒎烯 异构化反应
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