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题名原子层分子束外延技术
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作者
宋登元
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机构
河北大学电子系
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1991年第8期47-48,F003,9,共4页
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文摘
本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用.
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关键词
原子层分子束外延技术
化学气相淀积技术
薄膜生产
异质结构
Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物
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Keywords
ALMBE
2D Growth
Heteroepitaxy
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
O484.1
[理学—固体物理]
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题名400V高温超导薄膜限流元件
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作者
杨钦慧
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出处
《华通技术》
2001年第1期43-45,共3页
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文摘
一、前言
当电力回路中发生短路事故就有大的短流电流通过,如不设法限流或快速切断故障回路会造成很大的损失.超导限流器在抑制短路电流方面作用显著,一些国家积极开发超导限流器,但大多应用在高压方面,日本三菱公司研究人员应用Y系(YBa2 Cu3Ox)高温超导薄膜成功地开发出400V限流元件,试验验证很好.400V超导限流元件结构简单小型化,在低压方面的应用已开了一个好头.
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关键词
高温超导薄膜限流元件
化学气相淀积技术
限流器
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分类号
TM26
[一般工业技术—材料科学与工程]
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