三正丁基膦稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物的合成、表征以及作为前驱物用化学汽相沉积法生长铜膜(英文)

合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜髣β鄄二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行了表征。筛选出性能优良的配合物为前驱物用化学汽相沉积(CVD)的方法生长出金属铜膜,用SEM和EDX等手段对生长的铜膜进行了表征。

HFCVD法制备SiC薄膜工艺

分析研究了热丝化学汽相沉积 (HFCVD)法工艺参数的变化对 Si C薄膜质量的影响。结果表明 ,合理的选取工艺参数 ,可在较低温度 (70 0～ 90 0℃ )下 ,沿 Si(1 1 1 )晶向异质生长出高质量的准晶 Si C薄膜。

光纤预制棒(MCVD法)的工艺理论研究

本文对光纤预制棒(MCVD)的工艺机理进行了理论分析,建立了沉积过程中的微粒沉降模型,该模型的基本原理与实验观察一致。对渐变型折射率分布多模光纤的结构分析表明,MCVD法能精确地控制a参数和数值孔径,为提高沉积速率和生产效率开辟了应用途径。

移动加热源法制备单层硒化镓晶体

为了解决硒化镓(GaSe)晶体制备困难、化学性能差的问题,对GaSe晶体传统的化学汽相沉积制备方法进行了改进,采用移动加热源法制备GaSe晶体。搭建了GaSe晶体的制备装置,通过单片机精确调控制备晶体的高温炉的加热温度、移动位置等参数,并采用光学显微镜和原子力显微镜对所制备的GaSe晶体进行辅助表征。研究表明,利用移动加热源法可以制备出表面光滑且尺寸较大的单层二维GaSe晶体。由于对机电设备实现了自动精密移动,可对单层二维GaSe晶体实现高质量大批量的制备,有利于GaSe晶体在光电子学和纳电子学中的广泛应用。

硫化物纳米管及其研究进展

综述了硫化物纳米管的发现、结构和独特的性质,对硫化物纳米管的制备方法进行了详细地说明,包括化学汽相沉积法、模板法、电子辐射法、等离子体法、催化法等,介绍了硫化物纳米管作为原子力显微镜的扫描探针针尖和在物理、化学、材料、储能等方面的应用以及对MS2纳米管的组成、结构、形貌进行分析检测的方法——HRTEM,TEM,SEM,ED,XRD,EDS,AFM,光学吸收光谱,喇曼光谱。

光纤预制棒复合工艺的研究

文章概括了当前光纤预制棒制造技术的现状 ,对“等离子体化学汽相沉积法 ( PCVD)+管外汽相沉积法 ( OVD)”

纳米碳纤维技术的新进展

综述了已投入商业化运营的纳米碳纤维(CNF)生产工艺,诸如化学汽相沉积法(CVD)、静电纺丝法技术状况以及相关的生命周期分析数据。表明纳米尺度的碳纤维及其复合材料是一种多功能材料,具有优良的导电性、力学增强性和热性能。在纳米复合材料、贮氢和催化载体领域显示出了市场潜力。

应力诱导碳纳米管电阻的变化

利用三点弯曲法研究了掺杂和末掺杂碳纳米管薄膜应力诱导电阻的变化。该研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学汽相沉积法合成的。实验结果表明 ,碳纳米管有显著的应力诱导电阻变化的效应。当应力从 0 .2GPa增加到 1GPa时 ,膜的电阻相对变化从 7%增加到 11% ,而非掺杂的薄膜电阻变化小于掺杂膜的情况。电阻随应力变化的原因也许是带隙变化 (掺杂 )和管之间接触电阻变化 (非掺杂 )

低温异质生长SiC薄膜预处理工艺研究

讨论了在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中,预处理工艺对SiC成膜的影响.采用硅烷、甲烷作为反应气源,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微分析(SEM)等分析手段,进行预处理工艺的研究.获得了在低温下700~800℃制备高质量SiC薄膜的预处理工艺参数:热丝碳化温度2 000℃;HF酸蚀30 s;H2刻蚀10 min.

掺Yb^(3+)石英光纤的制作

利用一种新型的环形石墨炉加热的改进的化学汽相沉积(MCVD)车床制作出了高吸收、低背景损耗单包层高掺Yb3+石英光纤,并对其几何参数和吸收谱进行了测量、分析和讨论,得出了高掺Yb3+石英光纤的制作要点在于高质量疏松层的制作的结论,并分析了疏松层中掺P有助于提高掺Yb3+量的机理。制作出的高掺Yb3+单包层石英光纤样品在976 nm波长下的吸收可达594 dB/m,而背景损耗只有0.1 dB/m。

工业燃气轮机用热障涂层技术的发展

市场需求的不断提高和扩大,对热障涂层(TBCs)技术提出了新的要求。制备技术的发展,从早期的等离子喷涂法到近期的电子束物理汽相沉积法,使TBCs质量得到了明显的提高,在改善航空发动机热端部件性能方面发挥了积极作用;而化学汽相沉积法在降低设备成本和对几何形状复杂部件适用性方面显示出的巨大潜力,对工业燃气轮机更具吸引力。在TBCs的检测技术方面目前也正积极发展,以提高产品的可靠性。

其它

TB3 95010627α—Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究=A study on laser-preparation and energy—levelstructure of nanometer sized α-Si3N4particles[刊.中]/王善忠（中科院安徽光机所）,李道火（中国科技大学结构分析开放实验室）//物理学报.—1994,43（4）.—627—631给出激光化学汽相沉积法制备α—Si3N4纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为6.5nm的优质α—Si3N4纳米粒子,用紫外光谱研究其能级结构。

几何光学元器件

TH703 98010061平凸型氮化硅球面微透镜的研究=Study of plano-convex silicon nitride microlenses withspherical surface[刊,中]/宋国瑞,姚惠贞(华南理工大学电子与通信工程系.广东,广州(510641))//光学学报.-1997,17(5).-586-590介绍了用激光化学汽相沉积(LCVD)球面微透镜的技术。对激光化学汽相沉积法获得球面微透镜进行了理论分析,并用计算机分析了在一定沉积条件下的微透镜厚度剖面形状及光学聚焦特性。介绍了激光化学汽相沉积的实验装置,用该装置在平面石英玻璃衬底上,制出了平凸型氮化硅球面微透镜,并对其参量进行了测量。图8表1参6(严寒)

纳米硅薄膜及其制备工艺

本发明公开了一种纳米硅薄膜，其采用等离子化学汽相沉积法，在PECVD设备中生长制备，产品的晶粒大小为d=（2—6）纳米，晶态体积百分比Xc=（53±5）％，薄膜最高电导率为σn=30Ω^-1·cm^-1，薄膜中电子迁移率为p=（3-10）cm^2／（V·s）。用本发明的方法不仅使其电导率提高到几十Ω^-1·cm^-1还能控制其导电类型（n型或P型），已基本上能满足研制纳米硅器件的需要．

在线Low—E镀膜玻璃通过成果鉴定

由杭州蓝星新材料技术有限公司、威海蓝星玻璃股份有限公司、浙江大学合作开发的“浮法在线线性多通道制备低辐射膜成套工程技术与设备开发”技术及产品、“化学汽相沉积法在浮法退火窑镀TiO2膜的成套工程技术与设备开发”技术及产品研究开发项目，2007年12月29日在威海通过了由中国建筑材料联合会组织的科技成果鉴定。鉴定委员会由中国建筑材料科学院研究总院、

延长单次镀膜时间 提高镀膜玻璃产量

文章介绍了延长镀膜时间 。