制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响

用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。

SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展

介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。

中温化学气相沉积(MTCVD)工艺技术及超级涂层材料的研究

采用MT CVD工艺技术 ,用CH3 CN等含有C/N原子团的有机化合物 ,在 70 0～ 90 0℃沉积组织致密、层间结合强度好、柱状结晶的超级TiCN涂层。研究了沉积温度、压力、不同气体流量等工艺参数对TiCN涂层组织结构及性能的影响规律 ;分析了超级涂层材料设计机理和结构 ,给出了在经过改造的高温化学气相沉积 (HT CVD)设备上应用HT CVD和MT

常压化学汽相沉积TiO_x纳米光学薄膜及其用于太阳电池减反射膜的研究

报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀一致。采用该工艺制备的TiOx 减反射膜能使单晶硅太阳电池光电转换效率平均增加 10 %。

化学汽相沉积金刚石薄膜的生长

利用热丝化学汽相沉积法生长出优异的金刚石薄膜.研究表明，金刚石的成核依赖于沉积点的尖锐度，薄膜的生长包括晶粒长大和薄膜上的二次成核及其生长，可用分层生长来描述．金刚石晶粒的生长由外延生长和二次成核及其生长组成，也是分层进行的．结果导致了金刚石晶体和薄膜的层状结构．

聚对苯(撑)二甲基膜的化学气相沉积(CVD)聚合

采用化学气相沉积(CVD)聚合工艺制备的对苯撑二甲基聚合物可广泛应用在航天、航空、军工、电子、生物医学工程、控制系统、文物保护、纳米材料和磁性材料等诸多领域。综述了聚对苯(撑)二甲基系列膜的化学气相沉积聚合工艺和原理,介绍了底物温度和沉积舱压力等主要因素对膜沉积率的影响和膜的一些主要性能,并讨论了典型的Parylene N膜的光氧降解性能。

光化学汽相沉积中光激活物质的理论解析

基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析． 模拟结果同实验结果符合良好．

化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜的主要制备方法及应用

介绍了化学气相沉积金刚石薄膜的主要制备方法：热灯丝法、微波法、等离子体喷射法、火焰燃烧法。 Ｃ Ｖ Ｄ 金刚石膜的应用。

热壁化学汽相沉积Si基GaN奇异面

利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜。用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和荧光光谱(PL)对样品进行形貌、结构、组分和发光特性的分析。SEM显示在平滑的表面上出现了由绳状、树根状、项链状晶体组成的奇异面。FTIR、XRD和SAED显示生成的GaN奇异面呈六方纤锌矿多晶结构同时含有少量的碳污染。PL谱显示了不同于一般GaN发光谱的发光峰。

激光化学汽相沉积球面微透镜的研究

本文介绍了一种新颖的利用激光化学汽相沉积（ＬＣＶ）球面微透镜的技术。我们建立了一套ＬＣＶＤ的实验装置，用该装置在平面石英玻璃衬底上，成功地沉积生成了平凸型氨化硅球面微透镜。同时，还对沉积成的微透镜的参量进行了测试。在实验中还摸索了ＬＣＶＤ的沉积工艺。实验结果表明，通过控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的聚焦激光光斑尺寸，选择沉积时间，可以获得不同直径、透明、表面光滑的平凸型氮化硅球面微透镜。

TiN 类薄膜的激光化学汽相沉积

在Ｔｉ和Ｔｉ合金表面镀上一层薄膜以提高它的硬度、耐磨性及耐蚀性等是很有意义的。研究了用激光化学汽相沉积的方法在Ｔｉ和Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基体材料上沉积ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（Ｃ．Ｎ）薄膜的工艺，并获得了良好膜层的最佳工艺。在低压下用激光化学汽相沉积（ＬＣＶＤ）方法制备成功的ＴｉＮ类薄膜颜色金黄，成份均匀，其平均显微硬度为２５００ＨＫ，耐磨性比基体材料提高６倍。

用热灯丝辅助化学汽相沉积法在钼基板上沉积金刚石薄膜的研究

用热灯丝铺助化学汽相沉积(HFACVD)法,以H_2十CH_4为原料在钼基板上沉积出了金刚石膜。用扫描电镜,X射线衍射,激光Raman光谱和光荧光谱对所得金刚石膜进行了分析。实验结果表明,钼基板表面先生成了1层Mo_2C,然后,金刚石再在此Mo_2C上形核生长。所沉积的金刚石膜中仍含有一定的SP^2态碳和中性空缺等缺陷。

利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅(英文)

成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅。利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si∶H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅。为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率。室温下,电导率从非晶硅的10-10S/cm增加到10-5S/cm。

钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究

本文介绍了用激光化学汽相沉积的方法在Si和TiN基板上沉积钨的实验研究。沉积过程由反射率探测法实时监测,实验结果表明:钨的沉积速率依赖于WF_6和H_2的比例、压力、激光功率和基板的物理性质。实验得到了3μm宽的钨膜。

用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究

本文报道了用化学气相沉积 (CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌 (ZnS)的制备工艺 ,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响。XRD ,XEM及IR表明 ,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理 ,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn H键的形成 ,使生长的CVDZnS具有高的红外透过率 。

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．

化学气相沉积(CVD)工艺对ZnS力学性能影响的研究

介绍了化学气相沉积法(CVD)制备ZnS过程中,CVD工艺对材料相关力学性能的影响和控制方法。通过X射线衍射分析、扫描电镜和金相显微镜等手段研究了不同工艺下制备的ZnS样品材料的内部结构和缺陷,提出了ZnS生长过程中晶粒尺寸和材料缺陷的控制方法。研究结果表明,设计合理的喷嘴结构,营造稳定的CVD生长环境,提高CVDZnS毛坯一致性,抑制材料缺陷形成,有助于提升ZnS材料力学相关性能。

化学汽相淀积（CVD）设备的使用与维修

化学汽相淀积（ＣＶＤ）设备的使用与维修王焕杰，张克云，陈振昌（复旦大学．上海．２００４３３）自８０年代初开始，化学汽相淀积（简称ＣＶＤ）工艺及其专用设备，在我国半导体器件制造工业中逐渐推广使用。多种ＣＶＤ设备，包括ＬＰＣＶＤ氨化硅／多晶硅，ＬＰＣＶＤ...

化学汽相沉积制作氧化锡电热薄膜研究

利用化学汽相沉积原理，使用简单设备制作氧化锡半导体薄膜。

化学气相沉积(CVD)金刚石技术及产业分析——21世纪新材料CVD金刚石

20世纪80年代以来，世界范围内掀起了一股利用化学气相沉积（Cheroical Vapor Deposition-CVD）方法制备金刚石材料的科技研发浪潮，新方法制备的金刚石材料几乎实现了天然单晶金刚石的全部特性，被认为是未来最具发展前景、能够实现金刚石全方位功能应用的新金刚石材料。利用化学气相沉积方法合成金刚石材料的技术最早起源可追溯到20世纪50—60年代，