化学沉积法制备Pt/n-GaAs肖特基结

本文报导了一种化学镀铂液在n型(N_D=10^(16))单晶GaAs上沉积金属铂制备Pt/n-GaAs肖特基结的方法,由I-V曲线和热电子发射方程,测得其势垒高度和理想因子分别为0.82eV和1.53,文中还讨论了化学沉积机理。