短波红外纳米PbSe薄膜制备及光电性能研究

采用化学沉淀的方法在石英衬底上制备了短波红外纳米PbSe薄膜。XRD,SEM,TEM以及红外透射光谱测试分析结果表明,所制备的PbSe薄膜为纳米多晶薄膜,表面平整致密,薄膜的晶粒尺寸为10 nm左右,由于量子效应,薄膜吸收截止边相对PbSe体材料蓝移至1.6μm;经过敏化、光刻及金属化制备了PbSe单元光导探测器,在室温下进行光谱测试,其响应波段为0.6~1.5μm。

SiO_2/CdS光子晶体的制备及其光学性能

用化学浴沉淀法(CBD)在SiO2胶体晶体中生长了CdS半导体材料,并用UV-VIS-NIR光谱仪和荧光光分度计测试了其光学性能。测试结果表明,在SiO2胶体晶体中随着CdS填充量的增加,光子带隙向长波段方向移动且变宽;当发射出的光与基体材料的光子带隙相匹配时,可控制半导体材料的光致发光,同时,可通过控制SiO2胶体颗粒粒经的大小来调节CdS的光致发光性能。